【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及有机高分子聚合物领域。
技术介绍
聚硅烷是一类链骨架中仅含硅原子的聚合物,其Si-Si链s键电子的非定域化使得s电子可以沿着主链广泛离域,其独特的结构使其在溶解性、热稳定性、紫外吸收、热致变色和荧光等方面呈现出特有的性质。基于其独特的性能,在光致抗蚀剂、光致引发剂、波导器、光导体和非线性光学材料等方面有广阔的应用前景。另外,聚硅烷还是制备SiC、Si3N4等陶瓷的前驱体,高温裂解制备碳化硅陶瓷材料是其重要用途之一,主要是制备耐高温抗氧化碳化硅陶瓷纤维,或者制备碳/碳-碳化硅复合材料以提高碳/碳的抗氧 化性能。当具有离域大P键共轭体系引入聚硅烷侧基后,可与具有空3p电子轨道的硅原子发生dp-pp相互作用,增强Si-Si键的s电子离域性。同时具有较好的溶解性和光热稳定性。曹镛等(CN 200510033100. 5)公开了一种含硅杂环戊二烯的共轭聚合物及其在制备发光二极管、平板显示器、太阳能光伏电池、有机场效应晶体管中的应用。高等学校化学学报2007 28(8)1586 报道了聚(3, 6-娃荷),其光致发射(Photo luminescence, P ...
【技术保护点】
一种含硅芴的新型聚硅烷,其特征在于该聚合物具有如下化学结构式: ***。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:罗穗莲,胡扬山,张力,古玉伟,石光,侯琼,
申请(专利权)人:华南师范大学,
类型:发明
国别省市:81
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