一种含酞菁硅结构单元共轭聚合物制备方法技术

本发明专利技术涉及一种含酞菁硅结构单元共轭聚合物的制备方法。它需要解决的技术问题是，提供一种光电功能，热、氧稳定性均有增加的共轭聚硅烷制备方法。本发明专利技术步骤：１）在Ｎ↓［２］保护，加入有机溶剂、助溶剂和钠砂的重量比为５～２０∶０．１～１∶１；２）在避光条件下缓慢加入原料：二氯硅酞菁与含π共轭链节有机硅单体的混合物，反应体系变成蓝紫色；滴加完毕，加热回流，冷却至室温；其中二氯硅酞菁与含π共轭链节有机硅单体的混合物的摩尔比为１∶１～１０，原料中氯与钠砂的摩尔比为１∶１～２；３）加入水和乙醇质量比为１～１０∶１的混合液终止反应，过滤；上层有机层水洗；减压得粘稠液体，加入四氢呋喃溶解后，再用甲醇沉降纯化得产品。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及有机高分子聚合物领域，具体是一种含酞菁硅结构单元共轭 聚合物的制备方法。技术背景近二十年来，主链中含有硅-硅键单元与7U共轭结构单元(如乙烯撑、乙炔 撑、苯撑等)的聚合物具有聚硅垸及7U共轭聚合物两类聚合物的特点，具有 优越的光电性能，可作为抗静电添加剂、电磁波屏蔽材料等，越来越引起人 们广泛的关注。聚硅垸对电子的传导能力较差，在聚硅烷中引入71共轭链节，可 以提高聚硅烷的导电能力。同时，7C共轭链节的引入，也可提高聚硅烷的耐热、 耐氧化能力。由于电子主要从7T共轭链节注入,硅-硅单元中CT电子和主链中兀 电子的共轭作用的强弱是影响这类聚合物光电性能的重要因素之一。在以往 的研究中，更多关注不同7t电子结构单元对聚合物性能的影响，对于含不同 硅取代基聚合物的制备鲜有报道。二氯硅酞菁(PcSiCl2)具有高度71电子共轭结构，由其制备的聚合物有 很高的导电性和光电导性。但所制备的聚合物主要以绝缘的氧原子或碳链为 桥键，阻止了电子沿分子主链的传递和运输，影响了聚合物的光电特性。
技术实现思路
本专利技术需要解决的技术问题是，提供一种含酞菁硅结构单元共轭聚合物 制备方法。本本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种含酞菁硅结构单元共轭聚合物的制备方法，以二氯硅酞菁、含π共轭链节有机硅单体、钠砂为原料其特征在于包括以下步骤：　１）在反应器中通入Ｎ↓［２］保护，加入有机溶剂、助溶剂和钠砂；其中有机溶剂、助溶剂和钠砂的重量比为５～２０∶０．１～１ ∶１；　２）在避光条件下缓慢加入原料：二氯硅酞菁与含π共轭链节有机硅单体的混合物，反应体系变成蓝紫色；滴加完毕，加热回流，冷却至室温；其中二氯硅酞菁与含π共轭链节有机硅单体的混合物的摩尔比为１∶１～１０，原料中氯与钠砂的摩尔比为１∶１ ～２；　３）加入水和乙醇混合液终止反应，水和乙醇的质量比为１～１０∶１，滤出不溶物；分出上层有机层，水洗；减...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李美江，来国桥，蒋剑雄，罗蒙贤，汪嫣，
申请(专利权)人：杭州师范大学，
类型：发明
国别省市：86[中国|杭州]