形成电磁保护半导体管芯的方法及半导体管芯技术

本公开涉及形成电磁保护半导体管芯的方法及半导体管芯。在一个实施例中，将半导体管芯形成为具有斜坡侧壁。在该斜坡侧壁上形成导体。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及电子学，更具体地涉及形成半导体的方法。
技术介绍
在过去，半导体行业利用各种方法和结构来形成具有针对电磁(EM)干扰(或EMI) 的一定程度的保护的半导体器件。通常，半导体管芯被密封在封装中以形成降低半导体器件对高频信号的敏感度的半导体器件。该封装通常包括封装材料中或被粘附于封装材料的金属以便为半导体管芯提供电磁(EM)屏蔽。封装材料中的金属形成被屏蔽封装。通常，将被屏蔽封装制造至几乎完成的阶段，然后，将半导体管芯组装到该被屏蔽封装中。被屏蔽封装的制造增加封装成本并增加结果得到的成品半导体器件的成本。因此，期望的是具有由半导体晶片形成管芯的方法，其降低组装EM保护封装器件的成本，形成更加受到EM保护的半导体管芯，并具有用于EM保护半导体管芯的低成本。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面，提供一种形成半导体管芯的方法。该方法包括提供半导体晶片，该半导体晶片具有半导体衬底并具有多个半导体管芯，所述多个半导体管芯在所述半导体衬底上形成且被所述半导体衬底的要形成切单线的位置处的那部分相互分离，所述半导体衬底具有第一表面和第二表面；形成通过所述多个半导体管芯中的第一半导体管芯的开口，其中，所述开口具有斜坡侧壁，使得所述开口的宽度在开口的一个末端处比在所述开口的相反末端处大；以及在所述开口的所述斜坡侧壁上形成第一导体。根据本专利技术的另一个方面，提供一种半导体管芯，包括半导体衬底，其具有第一表面和第二表面；延伸通过所述半导体衬底的开口，所述开口具有侧壁，其中，至少一个侧壁是斜坡侧壁，使得所述开口的第一末端的宽度大于所述开口的相反末端的宽度；以及所述斜坡侧壁上的第一导体。附图说明图1图示依照本专利技术的多个EM保护半导体管芯的一部分的实施例的放大截面图；图2图示依照本专利技术的包括图1的多个半导体管芯的半导体晶片的实施例的缩小平面图；图3图示依照本专利技术的形成图1的半导体管芯的工艺示例中的一个阶段处的图1 的半导体晶片的一部分的实施例的示例的放大截面图；图4图示依照本专利技术的形成来自图1的半导体管芯的示例性工艺中的后续阶段；图5 图9图示依照本专利技术的形成图1的半导体管芯的示例性工艺中的后续阶段；图10图示依照本专利技术的形成图1的管芯的示例性工艺中的另一后续阶段；3图11图示依照本专利技术的形成半 导体管芯的另一方法的示例的实施例的放大截面图；图12和图13图示依照本专利技术的形成半导体管芯的方法的替代实施例的示例中的阶段；图14图示依照本专利技术的使用图1和图11的半导体管芯的组装方法的示例性实施例中的阶段；图15图示依照本专利技术的半导体管芯的实施例的一个示例的一部分的放大平面图；图16图示依照本专利技术的图15的半导体管芯的放大截面图；以及图17 图19图示依照本专利技术的形成图15和图16的半导体管芯的工艺的实施例的阶段的示例。为了图示的简单和明了起见，图中的元件不一定按比例，并且不同图中的相同附图标记表示相同的元件。另外，为了说明的简洁起见，省略了众所周知的步骤和元件的说明和细节。为了图的明了起见，器件结构的掺杂区被示为具有大体上为直线的边缘和有精确角度的拐角。然而，本领域的技术人员理解由于掺杂剂的扩散和激活，掺杂区的边缘通常可能不是直线的，并且拐角可能不是精确的角度。本领域的技术人员应认识到词语近似或基本上的使用意指元件的值具有预期非常接近于所述值或位置的参数。然而，如在本领域中众所周知的，始终存在阻止值或位置如所述的那样精确的微小偏差。在本领域中沿用已久的是达到至少百分之十(10%)(并且对于半导体掺杂浓度而言达到百分之二十(20%))的差异是与所述的理想目标的合理偏差。具体实施例方式如在下文中将进一步看到的，本说明包括形成半导体管芯的方法，该方法包括在半导体管芯的侧壁上形成导体作为EM屏蔽。形成EM保护半导体管芯的方法的一个示例性实施例可以包括提供半导体晶片， 该半导体晶片具有半导体衬底并具有多个半导体管芯，所述多个半导体管芯在该半导体衬底上形成且被该半导体衬底的要形成切单线的位置处的部分相互分离；从该半导体衬底的第一表面通过该半导体衬底的该部分来蚀刻切单线开口，从而在所述多个半导体管芯之间产生空间，所述切单线形成用于所述多个半导体管芯中的半导体管芯的斜坡侧壁，其中所述半导体管芯的顶面具有比所述半导体管芯的底面更大的宽度；以及在所述半导体管芯的斜坡侧壁上形成导体。所述方法还可以包括将半导体管芯附着于第一公共载体，将半导体管芯倒置使得第一公共载体为半导体管芯提供支撑，并在半导体管芯的斜坡侧壁上和底面上形成导体。所述方法还可以包括在半导体管芯的底面与第二公共载体相邻的情况下将半导体管芯附着于第二公共载体，在将半导体管芯倒置使得第一公共载体为半导体管芯提供支撑的步骤之前将第一公共载体施加于半导体管芯的顶面。如在下文中将进一步看到的，用于形成半导体管芯的方法的另一实施例可以包括提供半导体晶片，该半导体晶片具有半导体衬底并具有多个半导体管芯，所述多个半导体管芯在该半导体衬底上形成且被该半导体衬底的要形成切单线的位置处的部分相互分离；将所述多个半导体管芯中的第一半导体管芯与所述多个半导体管芯中的其它半导体管芯分离，其中，分离的步骤至少还在第一半导体管芯上形成侧壁，其中，所述侧壁中的至少一个是斜坡侧壁，使得第一半导体管芯的顶面比第一半导体管芯的底面更宽；以及在第一半导体管芯的斜坡侧壁上形成导体。所述方法还可以包括在第一半导体管芯的底面上并向所述斜坡侧壁上形成导体。另外，所述方法可以包括使用一系列的各向同性蚀刻，其中，每个各向同性蚀刻使切单线开口延伸至半导体衬底中，并且还连续地增加切单线开口的宽度。此外，半导体管芯的实施例的示例可以包括具有顶面、底面、和从顶面延伸到底面的外部侧壁的半导体管芯，其中，所述外部侧壁中的至少一个是斜坡侧壁，使得顶面的宽度大于底面的宽度；以及半导体管芯的斜坡侧壁上的导体。EM保护半导体管芯的实施例的示例还可以包括半导体管芯的底面上的导体。图1图示以倒置或翻转位置示出的多个半导体管芯12、13、和14的实施例的示例的放大截面部分，其中，上面形成有管芯12 14的衬底18的顶面11面朝下。如在下文中将进一步看到的，管芯12、13、和14包括在各管芯12、13、和14的底部上和侧壁35 37上形成的导体40。在优选实施例中，导体40是包括Au或多层金属的金属，所述多层金属是诸如Ti/NiV/Au或Ti/Ni/Au或TiW/Au或其它众所周知的多层金属。图2图示可以在其上面形成包括管芯12 14的多个半导体管芯的半导体晶片10 的示例的缩小平面图。管芯12 14在晶片10上被要形成诸如切单线15和16的切单区或切单线的晶片10的空间或部分间隔开。如本领域中众所周知的，晶片10上的所述多个半导体管芯通常全部在所有侧面上被要形成诸如线15和16的切单区或切单线的区域相互分离。图3图示形成半导体管芯12 14的方法的示例的实施例中的阶段。如在下文中将进一步看到的，用来切单管芯12 14的切单方法形成用于管芯12 14有角度的侧壁， 使得诸如管芯13的一个管芯的横向宽度在管芯顶面处(诸如在顶面11处)比其在管芯的底面处(诸如在衬底18的底面17处)更大。图3所示的视图是沿着剖面线3-3截取的图2的晶片10的放大截面部分。本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种形成半导体管芯的方法，包括：提供半导体晶片，该半导体晶片具有半导体衬底并具有多个半导体管芯，所述多个半导体管芯在所述半导体衬底上形成且被所述半导体衬底的要形成切单线的位置处的那部分相互分离，所述半导体衬底具有第一表面和第二表面；形成通过所述多个半导体管芯中的第一半导体管芯的开口，其中，所述开口具有斜坡侧壁，使得所述开口的宽度在开口的一个末端处比在所述开口的相反末端处大；以及在所述开口的所述斜坡侧壁上形成第一导体。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：M·J·塞登，F·J·卡尔尼，G·M·格里瓦纳，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：发明
国别省市：US