一种微波真空金属镀膜装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种微波真空金属镀膜装置，具体地讲它是一种主要适用于在半导体芯片、光电子芯片等基板上镀覆金属导电膜、光反射膜以及金属化合物膜的装置，它属于金属淀积技术领域。本实用新型专利技术是由等离子室、离子轰击室、过渡室、镀膜室自上而下依次连接构成，等离子室的顶端封盖一个微波窗，镀膜室的底端安置一个底盖，镀膜室的内部安置一个摇杆式升降机构，摇杆式升降机构的上部连接一个托有加热盘的短路钣，摇杆式升降机构的摇杆穿过镀膜室的底盖。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种微波真空金属镀膜装置，具体地讲它是一种主要 适用于在半导体芯片、光电子芯片等基板上镀覆金属导电膜、光反射膜以 及金属化合物膜的装置，它属于金属淀积

技术介绍
当前金属淀积的方法主要有化学法和物理法。化学法包括化学镀和电 镀两类，它们都属于传统的工艺方法，无法适合微器件高密度芯片的制造。 物理法当前主要有磁控—多弧法和金属有机物的热分解法，它们对现在特征尺寸小于0. 13微米的金属淀积镀覆，也各存在着缺点，前者因为局部高 温产生金属液滴导致芯片短路，溅射粒子粗大无法完满充填大深寛比刻蚀 沟槽，加之因为弧光放电的局部刻蚀造成靶面出现 <跑道'而提前报废，耙的利用率往往不到40%;而后者如美国新发展的有机铜虽然能够在热分解后完满充填，可是合成有机铜工艺困难、有剧毒、成本高、污染重，它必须使用的设备气相沉积炉(即M0CVD)价格高、耗能高。如果使用直流辉 光放电所属的DC-PECVD法或者双重辉光镀金属法等，因为溅射的粒子能量 过高，其'离子轰击效应'将伤及衬底的的晶体结构。中华人民共和国国家知识产权局于2006年5月24日公开了一份申请 号为20051004本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种微波真空金属镀膜装置，它是由等离子室、离子轰击室、过渡室、镀膜室自上而下依次连接构成，其特征在于等离子室的顶端封盖一个微波窗，镀膜室的底端安置一个底盖，镀膜室的内部安置一个摇杆式升降机构，摇杆式升降机构的上部连接一个托有加热盘的短路钣，摇杆式升降机构的摇杆穿过镀膜室的底盖。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张敬祎，高秀敏，
申请(专利权)人：张敬祎，高秀敏，
类型：实用新型
国别省市：95[中国|青岛]