发光二极管晶片分选方法技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管晶片分选方法，是利用晶片独具的特征晶粒以产生一特征晶粒坐标，接着以一点测设备对晶片进行探测并建立一晶粒分布晶片地图，尔后于分选过程中，加入特征晶粒坐标的特征晶粒位置与晶粒分布晶片地图的空穴位置比对，以求确认晶粒分选是否正确；或于晶粒分布晶片地图产生之后，再进行晶片扫描并产生一晶片晶粒坐标与该特征晶粒坐标进行比对，其同样可收到提高晶粒分选正确性与减少错误产生之效。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶片晶粒的分选，更详而言之是指一种。
技术介绍
晶片上的每颗晶粒或因制备工艺关系会有质量优劣之分，为确保所挑捡晶粒是合 格的，通常会施以电气测试以为检测各晶粒的电性与光学特性等，或以影像辨识外观是否 有瑕疵，尔后再行分选出合格晶粒。已知晶粒的分选有两种方法其一是探测与分选由同一台机器完成，它的优点 是可靠，但速度很慢，产能低；其二为将探测与分选分由两台机器完成，即先是以点测设 备(prober)对一晶片上的每一晶粒进行检测，并根据每一晶粒的不同特性予以分级且据 此产生一以行-列(Row-Column，R-C)方式标记各晶粒位置的输出档，之后再由一分选设 备(sorter)依据该输出档而控制一捡取装置对归属相同级别但分散各处的晶粒予以分选 挑捡，也因此，捡取装置经常需以跳跃(jump)动作来进行下一颗晶粒的拾取。惟，上述以 行-列(R-C)方式标记各晶粒位置，并以跳跃动作挑捡下一颗晶粒的分选方法，容易因下列 因素造成分选错误1.在探测与分选两个步骤间的晶粒分离过程中，可能发生晶粒外延片碎裂、局部 残缺碎裂或局部残缺，使得实际的晶粒分散与储存在分选机里的数据不符，造成分本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种发光二极管晶片分选方法，包含下列步骤：产生一特征晶粒坐标与一晶粒分布晶片地图，该晶粒分布晶片地图记录有特征晶粒的位置，并以一特殊标记表示特征晶粒位置；利用一分选设备接收该晶粒分布晶片地图与该晶片，且其一影像辨识器依该晶粒分布晶片地图的数据寻找各晶粒位置，在该影像辨识器的可预视范围内涵盖特征晶粒时，读入该特征晶粒坐标并与该晶粒分布晶片地图进行比对，若视觉辨识为特殊标记，则确认特征晶粒的实际位置与该晶粒分布晶片地图所记录特征晶粒的位置吻合。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡振扬，欧升明，李建德，陈建发，
申请(专利权)人：旺矽科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]