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发光二极管晶片分选方法技术
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下载发光二极管晶片分选方法的技术资料
文档序号:5965672
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本发明公开了一种发光二极管晶片分选方法,是利用晶片独具的特征晶粒以产生一特征晶粒坐标,接着以一点测设备对晶片进行探测并建立一晶粒分布晶片地图,尔后于分选过程中,加入特征晶粒坐标的特征晶粒位置与晶粒分布晶片地图的空穴位置比对,以求确认晶粒分选...
该专利属于旺矽科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过旺矽科技股份有限公司授权不得商用。
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