晶片级直立式的二极管封装结构制造技术

一种晶片级直立式的二极管封装结构，该封装结构包括：一第一型半导体材料层、一第二型半导体材料层、一绝缘单元、一第一导电结构及一第二导电结构。第二型半导体材料层连接于第一型半导体材料层的一表面。绝缘单元环绕包覆第一型半导体材料层的周围及第二型半导体材料层的周围。第一导电结构成形于第一型半导体材料层的表面上及绝缘单元的一侧边上。第二导电结构成形于第二型半导体材料层的表面上及绝缘单元的另外一相反侧边上。通过绝缘单元、第一导电结构及第二导电结构，以将第一型半导体材料层及第二型半导体材料层全部包覆。本实用新型专利技术大大降低了材料成本及加工成本。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种二极管封装结构，尤其涉及一种晶片级直立式的 二极管封装结构。
技术介绍
请参阅图l所示，其为公知二极管封装结构的剖面示意图。由上述图中可知，公知二极管封装结构具有一P型半导体材料层P、 一N型半导体材料 层N、 一金属导线L及一封装胶体C。其中，该P型半导体材料层P与该N 型半导体材料层N相互连接在一起，该N型半导体材料层N直接电性连接于 一电路板D上，并且该P型半导体材料层P通过该金属导线L并以打线的方 式电性连接于该电路板D上。此外，该封装胶体C用以将该P型半导体材料 层P、该N型半导体材料层N及该金属导线L包覆起来，以完成公知的二极 管封装结构，此种公知的二极管封装结构作为无源元件来使用。 然而，上述公知的二极管封装结构仍具有下列技术缺陷存在1、 由于公知的二极管封装结构还需要进行"金属打线"及"胶体封装" 两道制作过程，并且不需使用"封装衬底"，因此造成材料成本及加工成本 的增加。2、 由于公知的二极管封装结构仍需通过该金属导线L来与该电路板D 产生导电连接，因此公知二极管封装结构的导电路径较长，并且导电特性较 差。是以，由上可知，上述公知的二极管封装结构，在实际使用上，显然具 有不便与技术缺陷存在。因此，本专利技术人有感于上述技术缺陷的可改善，且 依据多年来从事此方面的相关经验，悉心观察且研究，并配合学理的运用， 而提出一种设计合理且有效改善上述技术缺陷的本技术。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题，在于提供一种晶片级直立式的二极管 封装结构。本技术通过至少一绝缘层及至少两个导电结构的配合来封装 两个相互连接的P型半导体材料层及N型半导体材料层，以完成一个二极管 封装结构；并且该二极管封装结构通过上述至少两个导电结构直接与一电路 板产生电性连接，以使得该二极管封装结构以直立的方式电性地设置于该电 路板上，因此本技术能够制作出一种晶片级直立式的二极管封装结构。为了解决上述技术问题，根据本技术的其中一种方案，提供一种晶 片级直立式的二极管封装结构，其包括 一第一型半导体材料层、 一第二型 半导体材料层、 一绝缘层、 一第一导电结构及一第二导电结构。其中，该第 二型半导体材料层连接于该第一型半导体材料层的一表面。该绝缘层选择性 地环绕包覆该第一型半导体材料层的一部分周围、环绕包覆该第一型半导体 材料层的周围、或环绕包覆该第一型半导体材料层的周围及该第二型半导体 材料层的一部分周围。该第一导电结构成形于该第一型半导体材料层的表面 上及该绝缘层的表面上。该第二导电结构成形于该第二型半导体材料层的表 面上。此外，通过该绝缘层、该第一导电结构及该第二型半导体材料层，以 将该第一型半导体材料层全部包覆。为了解决上述技术问题，根据本技术的其中一种方案，提供一种晶 片级直立式的二极管封装结构，其包括 一第一型半导体材料层、 一第二型 半导体材料层、 一绝缘单元、 一第一导电结构及一第二导电结构。其中，该 第二型半导体材料层连接于该第一型半导体材料层的一表面。该绝缘单元环 绕包覆该第一型半导体材料层的周围及第二型半导体材料层的周围。该第一 导电结构成形于该第一型半导体材料层的表面上及该绝缘单元的一侧边上。 该第二导电结构成形于该第二型半导体材料层的表面上及该绝缘单元的另 外一相反侧边上。此外，该绝缘单元具有一用于环绕包覆该第一型半导体材 料层的周围及第二型半导体材料层的一部分周围的第一绝缘层及一用于环 绕包覆第二型半导体材料层的其余周围的第二绝缘层。另外，通过该绝缘单 元、该第一导电结构及该第二导电结构，以将该第一型半导体材料层及该第 二型半导体材料层全部包覆。因此，本技术的晶片级直立式的二极管封装结构具有下列优点存在1、 由于本技术的二极管封装结构不需要进行"金属打线"及"胶 体封装"两道制作过程，因此本技术能够大大的降低材料成本及加工成 本。2、 由于本技术的二极管封装结构不需要通过"金属打线"来与一电路 板产生电性连接，而改以通过上述至少两个导电结构来与该电路板产生直接 的电性连接，因此本技术的二极管封装结构的导电路径较短，并且导电 特性较佳。3、 由于本技术的二极管封装结构直接用切割的方式来成形，因此 制作完成的二极管封装结构不需要再进行额外的研磨加工。为了能更进一步了解本技术为达成预定目的所采取的技术、手段及 功效，请参阅以下有关本技术的详细说明与附图，相信本技术的目 的、特征与特点，当可由此得一深入且具体的了解，然而附图仅提供参考与 说明用，并非用来对本技术加以限制。附图说明图1为公知二极管封装结构的剖面示意图；图2A1至图2 I 1为本技术晶片级直立式的二极管封装结构的制作 方法的第一实施例的制作流程剖面示意图；图2 12为本技术晶片级直立式的二极管封装结构的第一实施例的 立体示意图；图2J为本技术第一实施例的晶片级直立式的二极管封装结构通过 锡球以电性连接于一电路板上的剖面示意图；图2K为本技术第一实施例的晶片级直立式的二极管封装结构通过锡膏以电性连接于一电路板上的剖面示意图；图3A为本技术晶片级直立式的二极管封装结构的第二实施例的剖面示意图；图3 B为本技术晶片级直立式的二极管封装结构的第三实施例的剖 面示意图；图3C为本技术晶片级直立式的二极管封装结构的第四实施例的剖 面示意图；图4A至图4 I 1为本技术晶片级直立式的二极管封装结构的制作方 法的第五实施例的制作流程剖面示意图；图412为本技术晶片级直立式的二极管封装结构的第五实施例的 立体示意图；图4J为本技术第五实施例的晶片级直立式的二极管封装结构通过 锡球以电性连接于一电路板上的剖面示意图；图4K为本技术第五实施例的晶片级直立式的二极管封装结构通过锡膏以电性连接于一电路板上的剖面示意图；以及图5为本技术晶片级直立式的二极管封装结构的第六实施例的剖面 示意图。其中，附图标记说明如下P P型半导体材料层 N N型半导体材料层 L金属导线 C封装胶体 (第一实施例)W a 二极管晶片 P a 第一型半导体材料单元Na第二型半导体材料单元G a凹槽S a绝缘单元CI a 第一导电单元 Clla凸块底层金属层C12a第一导电层 C13a第二导电层C2a 第二导电单元 C21a凸块底层金属层C22a第一导电层C23a第二导电层P a'第一型半导体材料层N a ' 第二型半导体材料层7S a ' 绝缘层 Cl a'第一导电结构 C12a'第一导电层 C13a'第二导电层 C2a'第二导电结构 C22a'第一导电层 B 锡球 B' 锡膏 P 电路板 (第二实施例)P b'第一型半导体材料层 Clb'第一导电结构 Y b 绝缘结构 (第三实施例) P c'第一型半导体材料层 S c '绝缘层(第四实施例) P d'第一型半导体材料层 S d '绝缘层/ A"A" 工A^ /tM 、、邻H头鹏1列JW e 二极管晶片N e第二型半导体材料单元Gle第一凹槽G2e第二凹槽Sle第一绝缘单元S2e第二绝缘单元Cle第一导电单元C12e第一导电层C13e第二导电层C2e第二导电单元Cll a'凸块底层金属层C21本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片级直立式的二极管封装结构，其特征在于，包括：　一第一型半导体材料层；　一第二型半导体材料层，其连接于该第一型半导体材料层的一表面；　一绝缘层，其选择性地环绕包覆该第一型半导体材料层的一部分周围、环绕包覆该第一型半导 体材料层的周围、或环绕包覆该第一型半导体材料层的周围及该第二型半导体材料层的一部分周围；　一第一导电结构，其成形于该第一型半导体材料层的表面上及该绝缘层的表面上；以及　一第二导电结构，其成形于该第二型半导体材料层的表面上；　 　其中，通过该绝缘层、该第一导电结构及该第二型半导体材料层，以将该第一型半导体材料层全部包覆。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：汪秉龙，萧松益，陈政吉，
申请(专利权)人：宏齐科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71[中国|台湾]