包括不同的铁磁材料层的存储器存储装置、其制造方法及使用方法制造方法及图纸

提供了一种包含交替的第一和第二铁磁材料层的存储器存储装置。每个第一铁磁材料层具有第一层厚度（Ｌ↓［１］）和第一临界电流密度（ＪＣ↓［１］），并且每个第二铁磁材料层具有第二层厚度（Ｌ↓［２］）和第二临界电流密度（ＪＣ↓［２］），其中ＪＣ↓［１］＜ＪＣ↓［２］，Ｌ↓［１］大于约３００ｎｍ，而Ｌ↓［２］在约２０ｎｍ至约２００ｎｍ的范围。所述装置还包括被畴壁分隔开的交替的方向相反的磁畴。在施加驱动电流时，所述磁畴和畴壁可移动穿过第一和第二铁磁材料层。相应地，数据能可以存储在该存储器存储装置中作为磁畴和畴壁的位置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种结构，至少包括多个交替的第一和第二铁磁层，其中每个所述第一铁磁层具有第一层厚度（Ｌ↓［１］）和第一临界电流密度（ＪＣ↓［１］），并且其中每个所述第二铁磁层具有第二层厚度（Ｌ↓［２］）和第二临界电流密度（ＪＣ↓［２］），其中ＪＣ↓［１］＜ＪＣ↓［２］，其中Ｌ↓［１］大于约３００ｎｍ，并且其中Ｌ↓［２］在约２０ｎｍ至约２００ｎｍ的范围。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：H德利吉安尼，黄强，LT罗曼基夫，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]