用于集成电路芯片的前侧和后侧供电布线制造技术

半导体芯片包括一个或多个底部外部(电源或接地)连接、前侧电力网络层、器件层、以及研磨侧电力网络层。器件层具有多个器件。一个或多个器件具有一个或多个器件电力连接和一个或多个器件接地连接，并且器件层具有前侧和后研磨侧。前侧电力网络层具有电力、接地、信号以及从/通过顶部前侧层连接到相应装置电源和装置接地连接的其他连接。以类似的方式，电源、接地、信号和其他连接从/通过研磨侧电力网络层的底部连接到相应的器件电源和器件接地连接。因而，一个或多个第一装置电力连接被连接至前侧电力网络层连接中的一个或多个，一个或多个第二装置电力连接被连接至研磨侧电力网络连接中的一个或多个，因此前侧电力网络层和研磨侧电力网络层从芯片的器件层的顶部/后部和底部/前部两者为器件层提供双电力/接地馈送/分配。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及对半导体电路供电。更具体地，本专利技术涉及可靠且高效地向半导体芯片电路和芯片封装输送功率。

技术介绍

1、在现有技术中，将电力和信号连接递送到半导体电路的常规方式是通过形成于后段制程(beol)中的连接。

2、在beol中形成有多个金属导电水平层。这些水平层中的一些包含执行特定功能的水平连接。例如，一些水平连接将电力分配给芯片中的器件。其他水平连接可以向器件提供信号、信息、数据和/或控制和从器件提供信号、信息、数据和/或控制。通常，水平连接是保留在配电网络中的层内的导线或连接，例如，大多数水平连接是在典型的半导体电路芯片(芯片)内的一个或者多个水平层内运行的连接。

3、在beol中形成的其他连接是垂直连接，如过孔(例如，硅通孔(tsv))，其垂直地穿过水平连接层以互连不同水平连接层中的水平连接和/或实现其他垂直贯穿连接。

4、通常，外部连接(如c4接合或金属衬垫)放置在芯片外部，并且连接至/通过在beol中形成的水平和/或垂直连接。因此，形成将芯片内的器件的器件电力和/或器件信号连接来连接到芯片外部的外部连本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体芯片，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中，所述前侧电力网络层包含多个前侧信号连接，所述所述信号连接中的一个或多个连接至所述器件中的一个或多个上的器件信号连接。

3.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中，所述研磨侧电力网络层包含多个研磨信号连接，所述信号连接中的一个或多个连接至所述器件中的一个或多个上的器件信号连接。

4.根据权利要求1所述的半导体芯片，进一步包括一个或多个贯通电力过孔，每个所述贯通电力过孔具有顶部电力过孔端部和底部电力过孔端部，其中，所述贯通电力过孔底部电力过孔端部中的一个或多个电连接至所述前侧电力连接中的一...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体芯片，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中，所述前侧电力网络层包含多个前侧信号连接，所述所述信号连接中的一个或多个连接至所述器件中的一个或多个上的器件信号连接。

3.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中，所述研磨侧电力网络层包含多个研磨信号连接，所述信号连接中的一个或多个连接至所述器件中的一个或多个上的器件信号连接。

4.根据权利要求1所述的半导体芯片，进一步包括一个或多个贯通电力过孔，每个所述贯通电力过孔具有顶部电力过孔端部和底部电力过孔端部，其中，所述贯通电力过孔底部电力过孔端部中的一个或多个电连接至所述前侧电力连接中的一个或多个，并且所述贯通电力过孔顶部电力过孔端部中的一个或多个分别地电连接至所述研磨侧电力连接中的一个或多个，使得所述前侧电力连接中的一个或多个与所述研磨侧电力连接中的一个或多个电连接。

5.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中，所述底部外部连接是以下中的一个或多个：c4和导电衬垫。

6.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中，所述顶部外部连接是以下中的一个或多个：c4、导电衬垫、以及在绝缘层中电绝缘的导电衬垫。

7.一种芯片模块，包括：

8.根据权利要求7所述的模块，其中，所述衬底进一步包括一个或多个衬底接地连接和一个或多个衬底信号连接。

9.根据权利要求7所述的模块，其中，所述衬底电力连接中的一个或多个被连接至所述顶部外部电力连接中的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·G·法鲁克，佐久间克幸，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：