用于带有盖层的衬底的沉积后清洁方法和配方组成比例

本发明专利技术的一个实施方式是制造集成电路的方法。该方法包括提供具有金属和电介质镶嵌金属化层的衬底和大体上沉积在该金属上的盖。在该盖沉积之后，该衬底利用溶液清洁，其包括胺以为该清洁溶液提供７至大约１３的ｐＨ。本发明专利技术另一实施方式是清洁衬底的方法。本发明专利技术又一实施方式是清洁溶液的配方。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于带有盖层的衬底的沉积后清洁方法和配方交叉引用本申请要求美国专利申请61/016，427 (档案号XCR-009)的权利，主题为 "POST-DEPOSITION CLEANING METHODS ANDFORMULATIONS FOR SUBSTRATES WITH CAP LAYERS”，申请人 ArturKOLICS、Shijian Li、Tana ARUNAGIRI 和 William THIE，递交于 12/21/2007。通过这个引用将美国专利申请61/016，427 (递交于12/21/2007)整体结合在 这里。
技术介绍
本专利技术关于电子器件的制造，如集成电路；更具体地，本专利技术涉及清洁衬底具有盖 层的方法和配方，在金属和电介质镶嵌金属化结构上包含该化学元素钴和镍至少一种。清洁具有混杂组分的表面是有挑战性的。在有些情况下更是如此，如对于经受腐 蚀的表面和如混杂组分具有不同腐蚀速率的表面。这个问题对于具有薄膜层(如用于制造 电子器件的层)的表面更严重。对于电子器件制造，具有大约20nm厚的膜的表面需要清洁 同时避免该表面质量和该膜厚度的降低。在具体的例子中，金属盖适用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种清洁具有铜和电介质镶嵌金属化的衬底的方法，该铜表面具有钴、钴合金、镍、镍合金或钴－镍合金膜组成的盖，该方法包括：施加清洁溶液至该衬底以去除缺陷和污染物的至少一种，该盖的溶解可以忽略不计，该溶液包括一种或多种胺，该一种或多种胺的至少一种在该清洁溶液提供从７至大约１３的ｐＨ。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿尔图尔科利奇，李时健，蒂鲁吉拉伯利阿鲁娜，威廉蒂，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]