半导体晶片洗涤方法及由该方法得到的晶片技术

本发明专利技术提供可有效除去晶片表面的Ｍｇ、Ｃａ的半导体晶片的洗涤方法以及由该方法得到的晶片。在该半导体晶片的洗涤方法中，采用具有极弱的蚀刻作用的洗涤液有机碱系洗涤液洗涤后，为了除去晶片表面的Ｃａ、Ｍｇ，用高纯度有机溶剂例如异丙醇进行洗涤。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体晶片洗涤方法及由该方法得到的晶片。
技术介绍
化合物半导体被用于制作金属半导体场效应晶体管(MESFET)、高电子迁移率晶体管(HEMT)、异质结双极晶体管(HBT)等各种受/发光元件。这些元件的活性层通过分子束外延(MBE)法、有机金属气相成长(MOVPE)法及离子注入法等形成在镜面晶片表面。该镜面晶片按照下述的步骤制作。切割晶锭，切出晶片。随后，用#800～#3000的氧化铝磨粒研磨该切割晶片而除去锯痕，提高平坦性后，使用次氯酸系水溶液或者次氯酸水溶液和磨粒(二氧化硅、氧化铝、锆)的混合液作为研磨液，使用表面上具有多孔层的布作为研磨布，通过机械化学研磨来完成镜面处理。接着，对该镜面通过规定方法进行洗涤，干燥。图2表示以往的半导体晶片的洗涤方法的流程。如图2所示，以往的半导体晶片的洗涤方法包括下述工序工序S11，用具有极弱的蚀刻作用的洗涤液对脱脂洗涤过镜面的半导体晶片进行洗涤；工序S12，进行超纯水洗涤；工序S13，最后进行干燥。但是，对于该洗涤方法而言，使用有机碱系洗涤液作为具有极弱的蚀刻作用的洗涤液时，仅通过超纯水进行水洗会在晶片表面(镜面)残留一点点洗本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体晶片的洗涤方法，其特征在于，用具有蚀刻作用的洗涤液洗涤晶片表面后，为了除去晶片表面的Ｃａ、Ｍｇ，用高纯度有机溶剂进行洗涤。

【技术特征摘要】
JP 2005-2-24 2005-0492601.一种半导体晶片的洗涤方法，其特征在于，用具有蚀刻作用的洗涤液洗涤晶片表面后，为了除去晶片表面的Ca、Mg，用高纯度有机溶剂进行洗涤。2.根据权利要求1所述的半导体晶片的洗涤方法，其特征在于，所述有机溶剂使用异丙醇。3.根据权利要求1或2所述的半导体晶片的洗涤方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：植松锐，增山尚司，谷毅彦，
申请(专利权)人：日立电线株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]