【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及可用于显微光刻领域中的光致抗蚀剂组合物、和尤其可用于在半导体器件的生产中使负性图案(negative pattern)和正 性图案(positive pattern)成像的新型光活性化合物，以及光致抗 蚀剂组合物和用于使光致抗蚀剂成像的方法。
技术介绍
光致抗蚀剂组合物被应用在用于制造小型化电子元件例如在制造 计算机芯片和集成电路中的显微光刻工艺中。 一般而言，在这些工艺 中，首先将光致抗蚀剂组合物的薄膜涂层涂覆在基材例如用于制造集 成电路的硅晶片上。然后将涂覆的基材烘焙以蒸发光致抗蚀剂组合物 中的任何溶剂并且使涂层固定在基材上。随后将涂覆在基材上的光致 抗蚀剂对辐射进4亍成《象式(image-wise)膝光。所述辐射膝光造成在涂覆表面的曝光区域中的化学转变。可见光、 紫外(UV)光、电子束和X-射线辐射能是现今普遍用于显微光刻工艺中 的辐射类型。在该成像式啄光之后，用显影剂溶液处理涂覆的基材以 溶解和除去光致抗蚀剂的辐射曝光或未曝光的区域。半导体器件的小 型化趋势已导致使用在越来越低的辐射波长下敏感的新型光致抗蚀 剂，并且另外已导致使用复杂的多级...
【技术保护点】
一种式Ａｉ Ｘｉ的化合物， 其中Ａｉ是有机鎓阳离子；和 Ｘｉ是式Ｘ－ＣＦ↓［２］ＣＦ↓［２］ＯＣＦ↓［２］ＣＦ↓［２］－ＳＯ↓［３］－的阴离子，其中Ｘ选自卤素、烷基、烷氧基和芳氧基； 其中Ａｉ选自 ＊＊＊ 和 Ｙ－Ａｒ 其中Ａｒ选自 ＊＊＊、萘基或蒽基； Ｙ选自 Ｒ↓［６］－＊Ｒ↓［７］、＊＊＊，－Ｉ↑［＋］－萘基，－Ｉ↑［＋］－蒽基； 其中Ｒ↓［１］、Ｒ↓［２］、Ｒ↓［３］、Ｒ↓［１Ａ］、Ｒ↓［１Ｂ］、Ｒ↓ ［２Ａ］、Ｒ↓［２Ｂ］、Ｒ↓［３...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：M帕德马纳班，S查克拉帕尼，MD拉曼，
申请(专利权)人：AZ电子材料美国公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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