盐以及含有该盐的光致抗蚀剂组合物制造技术

本发明专利技术提供：一种以式（Ｉ－ＣＣ）表示的盐，其中Ｑ１和Ｑ２各自独立地表示氟原子等，Ｘ１表示单键等，Ｙ１表示Ｃ１－Ｃ３６脂族烃基等，Ａ１和Ａ２各自独立地表示Ｃ１－Ｃ２０脂族烃基等，Ａｒ１表示可以具有一个或多个取代基的（ｍ４＋１）价Ｃ６－Ｃ２０芳族烃基，Ｂ１表示单键等，Ｂ２表示能够通过酸的作用消除的基团，ｍ１和ｍ２各自独立地表示０至２的整数，ｍ３表示１至３的整数，条件是ｍ１＋ｍ２＋ｍ３＝３，并且ｍ４表示１至３的整数；和一种光致抗蚀剂组合物，其包含以式（Ｉ－ＣＣ）表示的盐以及树脂，所述树脂包含具有酸不稳定基团的结构单元，并且不溶或难溶于碱水溶液，但通过酸的作用变得可溶于碱水溶液。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种适用于酸生成剂的盐和一种含有该盐的光致抗蚀剂组合物。
技术介绍
用于采用光刻法的半导体微型制造的化学放大型正性抗蚀剂组合物含有酸生成 剂，该酸生成剂包含通过辐照产生酸的化合物。US 2006/0194982A1公开了一种光致抗蚀剂组合物，该组合物包含作为酸生成剂 的1-二氟甲磺酸三苯基锍。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种新的适用于酸生成剂的盐和包含该盐的光致抗蚀剂组 合物。本专利技术涉及下列内容<1> 一种以式(I-CC)表示的盐 其中Q1和Q2各自独立地表示氟原子或C1-C4全氟烷基，X1表示单键或-(CH2) k_，并且-(CH2) k-中的一个或多个-CH2-可以被_0_或-CO-代 替，并且-(CH2)k-中的一个或多个氢原子可以被C1-C4脂族烃基取代，并且k表示1至17 的整数，Y1表示C1-C36脂族烃基，C3-C36脂环族烃基或C6-C36芳族烃基，并且所述脂族 烃基，所述脂环族烃基和所述芳族烃基可以具有一个或多个不含氟原子的取代基，并且所 述脂族烃基和所述脂环族烃基中的一个或多个-CH2-可以被-0-或-CO-代替，A1和A2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种以式（Ⅰ－ＣＣ）表示的盐：＊＊＊（Ⅰ－ＣＣ）其中Ｑ↑［１］和Ｑ↑［２］各自独立地表示氟原子或Ｃ１－Ｃ４全氟烷基，Ｘ↑［１］表示单键或－（ＣＨ↓［２］）↓［ｋ］－，并且－（ＣＨ↓［２］）↓［ｋ］－中的一个或多个－ＣＨ↓［２］－可以被－Ｏ－或－ＣＯ－代替，并且－（ＣＨ↓［２］）↓［ｋ］－中的一个或多个氢原子可以被Ｃ１－Ｃ４脂族烃基取代，并且ｋ表示１至１７的整数，Ｙ↑［１］表示Ｃ１－Ｃ３６脂族烃基，Ｃ３－Ｃ３６脂环族烃基或Ｃ６－Ｃ３６芳族烃基，并且所述脂族烃基，所述脂环族烃基和所述芳族烃基可以具有一个或多个不含氟原子的取代基，并且所述脂族烃基和所述脂环族烃基中的一个或多个－ＣＨ↓［２］－可以被－...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：市川幸司，杉原昌子，增山达郎，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：JP