生酸剂化合物和包含其的光致抗蚀剂制造技术

本发明专利技术提供了特别用作光致抗蚀剂组合物组分的生酸剂化合物。在一个优选的方面，本发明专利技术提供了环锍盐和包含这种化合物的光致抗蚀剂组合物。在另一个优选的方面，本发明专利技术还提供了包含一个或多个共价连接的酸不稳定性部分，特别是含有酯的酸不稳定性部分的生酸剂化合物。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供了特别用作光致抗蚀剂组合物组分的生酸剂化合物。在一个优选的方面，本专利技术提供了环锍盐和包含这种化合物的光致抗蚀剂组合物。在另一个优选的方面，本专利技术还提供了包含一个或多个共价连接的酸不稳定性部分，特别是含有酯的酸不稳定性部分的生酸剂化合物。【专利说明】生酸剂化合物和包含其的光致抗蚀剂
本专利技术涉及新的生酸剂化合物。在一个优选的方法，本专利技术提供了环锍盐和包含这种化合物的光致抗蚀剂组合物。在另一个优选的方面，本专利技术提供了包含一个或多个共价连接的酸不稳定性部分，特别是包含酯的酸不稳定性部分的生酸剂化合物。
技术介绍
光致抗蚀剂是用于将图像传递到基材的光敏膜。它们形成负图像或正图像。在基材上涂覆光致抗蚀剂之后，涂层穿过图案化的光掩膜曝光于活化能源，例如紫外光以形成光致抗蚀剂涂层中的潜像。该光掩膜具有对限定期望转移到下层基质的图像的活化辐射不透明和透明的区域。通过抗蚀剂涂层中潜像图案的显影而提供浮雕图像。已知的光致抗蚀剂可以提供具有足以用于许多现有商业应用的分辨率和尺寸的特性。但是对于许多其他的应用，还需要新的光致抗蚀剂以提供亚微米尺寸的高分辨图像。对改变光致抗蚀剂的组成进行了许多尝试以改进功能性质的性能。在其他情况中，报道了多种光活化化合物用于光致抗蚀剂组合物中。参见US20070224540、EP1906241和JP4369375B。远紫外线(EUV)和e_电子束图像技术也得以使用。参见U.S.专利7，459，260。EUV利用典型的在Inm到40nm之间的短波辐射，其通常具有13.5nm的辐射。EUV光致抗蚀剂的发展继续成为对EUV平版印刷术(EUVL)技术的实现的挑战性问题。对可以提供高分辨精细特征，包括低线宽光洁度(LWR)和对提供晶片生产力具有充分敏感性的材料发展提出了需要。
技术实现思路
我们现在发现了特别用作光致抗蚀剂组合物组分的新的生酸剂化合物。在优选的方面，本专利技术的生酸剂化合物和光致抗蚀剂特别用于EUV成像。在第一方面，提供对应于下式(I)的生酸剂化合物:【权利要求】1.光致抗蚀剂组合物，其包括: ⑴聚合物；和 (?)对应于下式(I)的生酸剂: 2.权利要求1的光致抗蚀剂组合物，其中所述生酸剂对应于下式(II): 3.光致抗蚀剂组合物，其包括: ⑴聚合物；和 (?)对应于下式(III)的生酸剂: 4.权利要求3的光致抗蚀剂组合物，其中生酸剂对应于下式(LV): 5.权利要求2或4的光致抗蚀剂组合物，其中D是单键。6.权利要求1到5中任一项的光致抗蚀剂组合物，其中R1包含酯键。7.权利要求1到6中任一项的光致抗蚀剂组合物，其中生酸剂与聚合物共价连接。8.提供光致抗蚀剂浮雕图像的方法，其包括: a)在基材上施用权利要求1到7中任一项的光致抗蚀剂组合物涂层；并且 b)将光致抗蚀剂组合物层曝光于活化辐射中并且使曝光的光致抗蚀剂组合物涂层显影。9.权利要求8的方法，其中光致抗蚀剂组合物层曝光于EUV或电子束辐射。10.如权利要求1-7中任一项所述的生酸剂。【文档编号】G03F7/004GK103676477SQ201310543175【公开日】2014年3月26日 申请日期:2013年9月16日 优先权日:2012年9月15日【专利技术者】P·J·拉宝美 申请人:罗门哈斯电子材料有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
光致抗蚀剂组合物，其包括：(i)聚合物；和(ii)对应于下式(I)的生酸剂：其中R1是提供酸不稳定性部分的非氢取代基；A是氢原子或非氢取代基；e是0到4的整数；R2和R3是相同或不同的非氢取代基，且R2和R3可以一起形成芳香环或非芳香环；并且Z?是抗衡阴离子；排除其中R2和R3各自是未取代的苯基；?(C=O)OR1是对位取代基；R1是叔丁基或?C(CH3)2(C6H5)，且e为0的化合物。FSA0000097200960000011.tif

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：P·J·拉宝美，
申请(专利权)人：罗门哈斯电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：