盐以及含有该盐的光致抗蚀剂组合物制造技术

技术编号:4010596 阅读:194 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种以式(a)表示的盐,其中Q1和Q2各自独立地表示氟原子等,X1表示单键等,X2表示单键等,Y1表示C3-C36脂环族烃基等,条件是-X2-Y1基团具有一个或多个氟原子,并且Z+表示有机抗衡阳离子,以及一种光致抗蚀剂组合物,其含有以式(a)表示的盐和树脂,所述树脂包含具有酸不稳定基团的结构单元,并且不溶或难溶于碱水溶液,但通过酸的作用变得可溶于碱水溶液。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种适用于酸生成剂的盐和一种含有该盐的光致抗蚀剂组合物。
技术介绍
用于采用光刻法的半导体微型制造的化学放大型正性抗蚀剂组合物含有酸生成 剂,该酸生成剂包含通过辐照产生酸的化合物。US2006/0194982 Al公开了一种光致抗蚀剂组合物,该组合物包含作为酸生成剂 的1-二氟甲磺酸三苯基锍。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种新的适用于酸生成剂的盐和包含该盐的光致抗蚀剂组 合物。本专利技术涉及下列内容<1> 一种以式(a)表示的盐 其中Q1和Q2各自独立地表示氟原子或C1-C4全氟烷基,X1表示单键或-(CH2) k_,并且-(CH2) k-中的一个或多个-CH2-可以被_0_或-CO-代 替,并且-(CH2)k-中的一个或多个氢原子可以被C1-C12脂族烃基取代,并且k表示1至18 的整数,X2表示单键,C1-C12 二价脂族烃基,C3-C12 二价脂环族烃基,或通过结合二价 脂族烃基与二价脂环族烃基形成的C4-C12 二价基团,并且所述脂族烃基中的一个或多 个-CH2-可以被-0-或-CO-代替,并且所述脂族烃基和所述脂环族烃基中的一个或多个氢 原子可以被氟原子,羟基,C3-C36脂环族烃基或C2-C4酰基取代,Y1表示C3-C36脂环族烃基,并且所述脂环族烃基中的一个或多个-CH2-可以 被-0-或-co-代替,并且所述脂环族烃基中的一个或多个氢原子可以被氟原子,C1-C12脂 族烃基,C3-C12脂环族烃基或C2-C4酰基取代,条件是-X2-Y1基团具有一个或多个氟原子, 并且Z+表示有机抗衡阳离子;<2&gt;根据<1>所述的盐,其中k是0至5的整数;<3>根据<1>或<2>所述的盐,其中Y1是可以具有一个或多个氟原子的金刚烷基, 或可以具有一个或多个氟原子的环己基;<4>根据<1>至<3>中任何一项所述的盐,其中X1是包含-C0-0-的基团; (a-3-1)(a-4-1)其中Z+,Q1和Q2具有如<1>中定义相同的含义;<6>根据<1>至<5>中任何一项所述的盐,其中Z+是以式(IX ζ)表示的阳离子 其中Pa,Pb和Pe各自独立地表示C1-C30烷基或C3-C30脂环族烃基,并且烷基中 的一个或多个氢原子可以被羟基,C1-C12烷氧基或C3-C12环烃基取代,并且所述脂环族烃 基中的一个或多个氢原子可以被羟基,C1-C12烷基或C1-C12烷氧基取代;<7>根据<1>至<5>中任何一项所述的盐,其中Z+是以式(IXa)表示的阳离子CN 101898988 A^ zR2/32 页<5>根据<1>至<4>中任何一项所述的盐,其中以式(a)表示的盐是以式(a_l_l), (a-2-l),(a-3-l)或(a_4_l)表示的盐6其中Q1和Q2各自独立地表示氟原子或C1-C4全氟烷基,X1表示单键或-(CH2) k_,并且-(CH2) k-中的一个或多个-CH2-可以被_0_或-CO-代 替,并且-(CH2)k-中的一个或多个氢原子可以被C1-C12脂族烃基取代,并且k表示1至18 的整数,X2表示单键,C1-C12 二价脂族烃基,C3-C12 二价脂环族烃基,或通过结合二价 脂族烃基与二价脂环族烃基形成的C4-C12 二价基团,并且所述脂族烃基中的一个或多 个-CH2-可以被-0-或-CO-代替,并且所述脂族烃基和所述脂环族烃基中的一个或多个氧 原子可以被氟原子,羟基,C3-C36脂环族烃基或C2-C4酰基取代, CN 101898988 A说明书3/32页(IXa)>2V ‘ ^ *其中P1,P2和P3各自独立地表示氢原子,羟基,C1-C12烷基或C1-C12烷氧基;<8> 一种光致抗蚀剂组合物,其包含根据<1>至<7>中任何一项所述的盐以及树 脂,所述树脂包含具有酸不稳定基团的结构单元,并且不溶或难溶于碱水溶液,但通过酸的 作用变得可溶于碱水溶液;化合物 马聚ο<9>根据<8>所述的光致抗蚀剂组合物,其中所述光致抗蚀剂组合物还包含碱性<10>—种用于制造光致抗蚀剂图案的方法,所述方法包括以下步骤(1)_(5)(1)将根据<8>或<9>所述的光致抗蚀剂组合物涂覆在衬底上的步骤,(2)通过进行干燥形成光致抗蚀剂膜的步骤,(3)将所述光致抗蚀剂膜对辐射曝光的步骤,(4)烘焙已曝光的光致抗蚀剂膜的步骤,和(5)用碱性显影剂使已烘焙的光致抗蚀剂膜显影,从而形成光致抗蚀剂图案的步具体实施例方式本专利技术的盐是以式(a)表示的盐Q1(a)Y1X X/ 2 ICI Q-O3S.Z+7Y1表示C3-C36脂环族烃基,并且所述脂环族烃基中的一个或多个-CH2-可以 被-0-或-co-代替,并且所述脂环族烃基中的一个或多个氢原子可以被氟原子,C1-C12脂 族烃基,C3-C12脂环族烃基或C2-C4酰基取代,条件是-X2-Y1基团具有一个或多个氟原子, 并且Z+表示有机抗衡阳离子。C1-C6全氟烷基的实例包括三氟甲基,五氟乙基,七氟丙基,九氟丁基,i^一氟戊基 和十三氟己基,并且优选三氟甲基。Q1和Q2各自独立地优选表示氟原子或三氟甲基,并且 Q1和Q2更优选为氟原子。 X1中-(CH2) k-的实例包括C1-C18亚烷基,如亚甲基,亚乙基,三亚甲基,四亚甲基, 五亚甲基,六亚甲基,七亚甲基,八亚甲基,九亚甲基,十亚甲基,^^一亚甲基,十二亚甲基, 十三亚甲基,十四亚甲基,十五亚甲基,十六亚甲基,十七亚甲基,异亚丙基,仲亚丁基和叔 亚丁基。其中-(CH2)k-中的一个或多个-CH2-被-0-或-CO-代替的-(CH2)k_的实例包括 *-co-o-x10-, *-co-o-xn-co-o-, *-x10-o-co-, *-x13-o-x14-,*-x15-o-和 *-x10-co-o-,其中 * 是 与-CQ1Q2结合的位置,X10是单键或C1-C16亚烷基,X11是单键或C1-C14亚烷基,X13是单 键或C1-C17亚烷基,X14是单键或C1-C17亚烷基,条件是X13和X14的总碳数为1至17,X15 是单键或 C1-C17 亚烷基。在它们中,优选*-CO-O-Xici-, *-co-o-xn-co-o-, *-x1Q-o-co-和 *-x13-o-x14-,更优选 *-co-o-x1(l-。脂族烃基的实例包括烷基例如甲基,乙基,丙基,异丙基,丁基,仲丁基,叔丁基,戊 基,己基,庚基,2-乙基己基,辛基,壬基,癸基,十一烷基和十二烷基。二价脂族烃基的实例包括烷烃二基(alkanediyl)例如甲烷二基,乙烷二基,丙烷 -~ 基,丁焼·~ 基,戊焼·~ 基,己焼·~ 基,庚焼·~ 基, 2-乙基己烷二基,辛烷二基,壬烷二基,癸 烷二基,十一烷二基和十二烷二基。二价脂环族烃基的实例包括饱和的二价脂环族烃基例如环丙烷二基,环丁烷二 基,环戊烷二基,环己烷二基,环庚烷二基,环辛本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种以式(a)表示的盐:***(a)其中Q↑[1]和Q↑[2]各自独立地表示氟原子或C1-C4全氟烷基,X↑[1]表示单键或-(CH↓[2])↓[k]-,并且-(CH↓[2])↓[k]-中的一个或多个-CH↓[2]-可以被-O-或-CO-代替,并且-(CH↓[2])↓[k]-中的一个或多个氢原子可以被C1-C12脂族烃基取代,并且k表示1至18的整数,X↑[2]表示单键,C1-C12二价脂族烃基,C3-C12二价脂环族烃基,或通过结合二价脂族烃基与二价脂环族烃基形成的C4-C12二价基团,并且所述脂族烃基中的一个或多个-CH↓[2]-可以被-O-或-CO-代替,并且所述脂族烃基和所述脂环族烃基中的一个或多个氢原子可以被氟原子,羟基,C3-C36脂环族烃基或C2-C4酰基取代,Y↑[1]表示C3-C36脂环族烃基,并且所述脂环族烃基中的一个或多个-CH↓[2]-可以被-O-或-CO-代替,并且所述脂环族烃基中的一个或多个氢原子可以被氟原子,C1-C12脂族烃基,C3-C12脂环族烃基或C2-C4酰基取代,条件是-X↑[2]-Y↑[1]基团具有一个或多个氟原子,并且Z↑[+]表示有机抗衡阳离子。...

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:市川幸司吉田勋
申请(专利权)人:住友化学株式会社
类型:发明
国别省市:JP

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