【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种适用于酸生成剂的盐和一种含有该盐的光致抗蚀剂组合物。
技术介绍
用于采用光刻法的半导体微型制造的化学放大型正性抗蚀剂组合物含有酸生成 剂，该酸生成剂包含通过辐照产生酸的化合物。US2006/0194982 Al公开了一种光致抗蚀剂组合物，该组合物包含作为酸生成剂 的1-二氟甲磺酸三苯基锍。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种新的适用于酸生成剂的盐和包含该盐的光致抗蚀剂组 合物。本专利技术涉及下列内容<1> 一种以式(a)表示的盐 其中Q1和Q2各自独立地表示氟原子或C1-C4全氟烷基，X1表示单键或-(CH2) k_，并且-(CH2) k-中的一个或多个-CH2-可以被_0_或-CO-代 替，并且-(CH2)k-中的一个或多个氢原子可以被C1-C12脂族烃基取代，并且k表示1至18 的整数，X2表示单键，C1-C12 二价脂族烃基，C3-C12 二价脂环族烃基，或通过结合二价 脂族烃基与二价脂环族烃基形成的C4-C12 二价基团，并且所述脂族烃基中的一个或多 个-CH2-可以被-0-或-CO-代替，并且所述脂族烃基和所述脂环族烃...
【技术保护点】
一种以式（ａ）表示的盐：＊＊＊（ａ）其中Ｑ↑［１］和Ｑ↑［２］各自独立地表示氟原子或Ｃ１－Ｃ４全氟烷基，Ｘ↑［１］表示单键或－（ＣＨ↓［２］）↓［ｋ］－，并且－（ＣＨ↓［２］）↓［ｋ］－中的一个或多个－ＣＨ↓［２］－可以被－Ｏ－或－ＣＯ－代替，并且－（ＣＨ↓［２］）↓［ｋ］－中的一个或多个氢原子可以被Ｃ１－Ｃ１２脂族烃基取代，并且ｋ表示１至１８的整数，Ｘ↑［２］表示单键，Ｃ１－Ｃ１２二价脂族烃基，Ｃ３－Ｃ１２二价脂环族烃基，或通过结合二价脂族烃基与二价脂环族烃基形成的Ｃ４－Ｃ１２二价基团，并且所述脂族烃基中的一个或多个－ＣＨ↓［２］－可以被－Ｏ－或－ＣＯ－代替，并且所述脂族...
【技术特征摘要】
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