低能量、高剂量砷、磷与硼注入晶片的安全处理制造技术

本发明专利技术公开一种避免在注入工艺之后形成有毒气体的方法。当将掺杂剂布注入衬底上的膜层中，某些掺杂剂暴露于湿气中时会发生反应而形成有毒气体及／或可燃气体。借着使掺杂薄膜于原位暴露至含氧化合物中，可使注入薄膜堆栈层的浅处的掺杂剂反应成掺杂剂氧化物，从而降低形成有毒气体及／或可燃气的可能性。或者，可原位地在掺杂薄膜上形成覆盖层，以降低产生有毒气体及／或可燃气体的可能性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术实施例大体上涉及半导体制造工艺领域，更明确而言，是涉及更安全地制造掺杂砷、磷或硼的衬底(substrate)的方法。
技术介绍
集成电路可能包含超过一百万个形成在衬底(例如半导体晶片)上的微电 子场效应晶体管，例如互补金氧半导体场效晶体管(CMOS)，并且该些晶体 管在电路中合作地执行各种功能。CMOS晶体管在其衬底中的源极与漏极之间 设置有一栅极结构。栅极结构通常包括一栅极电极与一栅极介电层。栅极电极 设置在栅极介电层上，以控制介于源极与漏极之间且位于栅极介电层下方之信 道区域中的电荷载子流动。离子注入工艺典型用来将离子注入与掺杂至衬底中，以形成具有所欲离子 分布模式与浓度的栅极和源漏极结构。在离子注入工艺中，可使用不同的工艺 气体或气体混合物来提供离子来源种类，例如砷(arsenic)、磷(phosphorus) 或硼(boron)。特别是当砷暴露在湿气中时，会发生如下反应式的反应而产 生氧化砷与胂气(或称，砷化氢，Arsinegas):As + H20 ^ AsH3 + AsxOy胂气是毒性极高且可燃的气体。当施加高掺杂剂剂量(1x10"1/ci^或更 高)与低注本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种衬底处理方法，包含：　在一处理室中将一掺杂剂注入至一膜层内；以及　在该已注入膜层暴露于大气中的氧气下之前，先将该已注入膜层暴露于一含氧电浆中，以在该已注入膜层上形成氧化层而将该掺杂剂留在该膜层内。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：马耶德A福阿德，麦诺基韦列卡，卡提克桑瑟南姆，
申请(专利权)人：马耶德A福阿德，麦诺基韦列卡，卡提克桑瑟南姆，
类型：发明
国别省市：US[]