下载低能量、高剂量砷、磷与硼注入晶片的安全处理的技术资料

文档序号:5485616

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本发明公开一种避免在注入工艺之后形成有毒气体的方法。当将掺杂剂布注入衬底上的膜层中,某些掺杂剂暴露于湿气中时会发生反应而形成有毒气体及/或可燃气体。借着使掺杂薄膜于原位暴露至含氧化合物中,可使注入薄膜堆栈层的浅处的掺杂剂反应成掺杂剂氧化物,...
该专利属于马耶德.A.福阿德;麦诺基.韦列卡;卡提克.桑瑟南姆所有,仅供学习研究参考,未经过马耶德.A.福阿德;麦诺基.韦列卡;卡提克.桑瑟南姆授权不得商用。

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