厚度测定方法技术

本发明专利技术涉及一种厚度测定方法，本发明专利技术所涉及的厚度测定方法利用干涉计测定层叠在基底层上的对象层的厚度，上述厚度测定方法包括：通过由与上述对象层实质上相同的材质构成并具有相互不同厚度的诸多样品层，获得对于上述样品层厚度的相位差的关系式的步骤；在空气层和基底层的分界面上，求出对于入射到上述基底层的光轴方向的第一干涉信号的步骤；在上述对象层和上述基底层的分界面上，求出对于上述光轴方向的第二干涉信号的步骤；对于上述光轴方向，在实质上相同的高度上，求出上述第一干涉信号的相位和上述第二干涉信号的相位之间的相位差的步骤；以及将上述相位差代入上述关系式来确定上述对象层厚度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种厚度测定方法，更详细地涉及一种测定对于透明薄膜层与基底层的分界面的干涉光的相位变化，可准确测定具有微米以下单位的厚度的透明薄膜层厚度的厚度测定方法。
技术介绍
半导体工序及FPD工序中确定产品质量的诸多因素中，薄膜层厚度控制所占的比重较大，因此，可以说在工序中必须对它进行直接监控。“薄膜层”是指在基底层，即在基板表面形成的具有极小厚度的层，一般指厚度为几十～几μm的范围。若想将这些薄膜层应用于特定用途，有必要了解薄膜层的厚度、组成、照度及其它物理光学特性。特别是，为了提高半导体元件的集成度，在基板上形成多层超薄膜层成为最近的一般趋势。为了开发这样的高集成半导体元件，要准确控制对特性给予很大影响的因素即包括薄膜层厚度的膜的物性。半导体工序及其它应用工序等中使用的测定薄膜层厚度的方式有几种，但最为普遍的是利用探针(stylus)的机械方法、光学方法等。光学方法中，可利用白色光干涉计(white light interferometer)确定薄膜的厚度。图1是表示习知厚度测定方法一实施例的示意图。如图1所示，在基底层10上层叠有厚度测定的对象层20即透明薄膜层，在对象层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种厚度测定方法，利用干涉计测定层叠在基底层上的对象层厚度，其特征在于，上述厚度测定方法包括：　　通过由与上述对象层实质上相同的材质构成并具有相互不同的厚度的诸多样品层，获得对于上述诸多样品层厚度的相位差的关系式的步骤；　　在空气层和上述基底层的分界面上，求出对于入射到上述基底层的光轴方向的第一干涉信号的步骤；　　在上述对象层和上述基底层的分界面上，求出对于上述光轴方向的第二干涉信号的步骤；　　在对于上述光轴方向实质上相同的高度，求出上述第一干涉信号的相位和上述第二干涉信号的相位之间的相位差的步骤；以及　　将上述相位差代入上述关系式来确定上述对象层厚度的步骤。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】KR 2008-1-31 10-2008-00103001.一种厚度测定方法，利用干涉计测定层叠在基底层上的对象层厚度，其特征在于，上述厚度测定方法包括：通过由与上述对象层实质上相同的材质构成并具有相互不同的厚度的诸多样品层，获得对于上述诸多样品层厚度的相位差的关系式的步骤；在空气层和上述基底层的分界面上，求出对于入射到上述基底层的光轴方向的第一干涉信号的步骤；在上述对象层和上述基底层的分界面上，求出对于上述光轴方向的第二干涉信号的步骤；在对于上述光轴方向实质上相同的高度，求出上述第一干涉信号的相位和上述第二干涉信号的相位之间的相位差的步骤；以及将上述相位差代入上述关系式来确定上述对象层厚度的步骤。2.如权利要求1记载的厚度测定方法，其特征在于，求出上述第一干涉信号的相位和上述第二干涉信号的相位之间的相位差的步骤包括：设定在上述第一干涉信号中成为基准的第一信号值，将对于上述光轴方向得到上述第一信号值的高度设定为第一高度，将上述第一信号值的相位设定为第一相位的步骤；将在与上述第一高度实质上相同的高度得到的第二干涉信号的信号值设定为第二信号值，将上述第二信号值的相位设定为第二相位的步骤；求出上述第一相位和上述第二相位之间的相位差的步骤。3.如权利要求2记载的厚度测定方法，其特征在于，上述第一干涉信号及上述第二干涉信号为光强度，上述第一信号值为上述第一干涉信号的最高值。4.如权利要求1记载的厚度测定方法，其特征在于，获得上述关系式的步骤包括：准备具有一厚度的样品层的步骤；在上述空气层和上述基底层的分界面上，求出对于上述光轴方向的第三干涉信号的步骤；在上述样品层和上述基底层的分界面上，求出对于上述光轴方向的第四干涉信号的步骤；在对于上述光轴方向实质上相同的高度...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴喜载，黄映珉，安佑正，
申请(专利权)人：株式会社SNU精密，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]