蒸镀装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种蒸镀装置，其用于对基材进行镀膜；该蒸镀装置包括外壳及反应装置；外壳包括内侧壁及底壁，内侧壁设置有用于承载基材的工作区，底壁上开设有轴孔；反应装置容置在外壳内并通过转轴转动连接在轴孔内；反应装置包括外筒及容置在外筒中的内筒，外筒与内筒之间形成第一空间，内筒围成第二空间；第一空间内设置有放置膜料的坩埚及轰击膜料的电子枪，第二空间内设置有一离子源；外筒的外侧设置有多个与第一空间连通的第一喷口及与第二空间连通的第二喷口，从第一喷口喷出的气态膜料被从第二喷口喷出的氧化性离子气体氧化后附着于基材上。从反应装置喷射出的气态膜料与氧化性离子气体混合均匀，从而使膜料能完全氧化，有效提高镀膜质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种蒸镀装置，特别涉及一种离子辅助镀膜的蒸镀装置。
技术介绍
蒸镀是一种物理气相沉积技术，即以物理的方式进行薄膜沉积。具体地，其通过离 子束或电子束对膜料进行加热，使膜料变成气态，而沉积在待镀基材表面以形成一蒸镀膜 层。蒸镀技术因成膜过程简单，工艺易控制而得到广泛应用，例如光学元件表面反射膜层、 装饰件表面膜层等。蒸镀过程需要在一蒸镀装置中进行，所述蒸镀装置通常包括一蒸镀腔室、一用于 承载待镀膜基材的传统的伞架、一位于伞架正下方的用于承载膜料的坩埚及一释放出氧化 性气体的离子源。传统的蒸镀方法是将待镀膜基材放置于伞架上，在释放出气态膜料的同 时也释放出氧化性气体，使气态膜料与氧化性气体反应后沉积于待镀膜基材上表面。然而， 一般蒸镀装置内释放氧化性气体的离子源的位置与待镀膜基材的位置相对固定，当采用处 于不同位置的不同膜料进行镀膜时，很可能由于离子源与膜料的位置关系，使得气态的膜 料还未完全氧化就沉积于待镀膜基材上，从而影响镀膜质量及效果。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种可有效提高镀膜质量的蒸镀装置。一种蒸镀装置，其用于对待镀膜基材进行镀膜；该蒸镀装置包括一外壳及一反应 装置；所述外壳包括一内侧壁及一底壁，所述内侧壁设置有至少一工作区用于承载所述基 材，所述底壁上开设有一轴孔；所述反应装置容置在外壳内并通过一转轴转动连接在轴孔 内；反应装置包括外筒及容置在外筒中的内筒，外筒与内筒之间形成第一空间，内筒围成第 二空间；所述第一空间内设置有用于放置膜料的坩埚及用于轰击膜料的电子枪，所述第二 空间内设置有一离子源；所述外筒的外侧设置有多个与第一空间连通的第一喷口及与第二 空间连通的第二喷口，从第一喷口喷出的气态膜料被从第二喷口喷出的氧化性离子气体氧 化后附着于基材上。本专利技术提供的蒸镀装置通过在使用电子枪轰击后的气态膜料进行镀膜的过程中， 同时向待镀膜基材上喷射出氧化性离子，使得气态的膜料与氧化性离子混合均勻，使得在 膜料附着于基材上之前能被完全氧化，从而有效提高镀膜质量。附图说明图1是本专利技术实施方式提供的蒸镀装置的分解示意图。图2是图1中的蒸镀装置的反应装置的分解示意图。图3是图1中的蒸镀装置的半剖示意图。主要元件符号说明本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蒸镀装置，其用于对待镀膜基材进行镀膜；该蒸镀装置包括一外壳及一反应装置；所述外壳包括一内侧壁及一底壁，所述内侧壁设置有至少一工作区用于承载所述基材，所述底壁上开设有一轴孔；所述反应装置容置在外壳内并通过一转轴转动连接在轴孔内；反应装置包括外筒及容置在外筒中的内筒，外筒与内筒之间形成第一空间，内筒围成第二空间；所述第一空间内设置有用于放置膜料的坩埚及用于轰击膜料的电子枪，所述第二空间内设置有一离子源；所述外筒的外侧设置有多个与第一空间连通的第一喷口及与第二空间连通的第二喷口，从第一喷口喷出的气态膜料被从第二喷口喷出的氧化性离子气体氧化后附着于基材上。

【技术特征摘要】
1.一种蒸镀装置，其用于对待镀膜基材进行镀膜；该蒸镀装置包括一外壳及一反应装 置；所述外壳包括一内侧壁及一底壁，所述内侧壁设置有至少一工作区用于承载所述基材， 所述底壁上开设有一轴孔；所述反应装置容置在外壳内并通过一转轴转动连接在轴孔内； 反应装置包括外筒及容置在外筒中的内筒，外筒与内筒之间形成第一空间，内筒围成第二 空间；所述第一空间内设置有用于放置膜料的坩埚及用于轰击膜料的电子枪，所述第二空 间内设置有一离子源；所述外筒的外侧设置有多个与第一空间连通的第一喷口及与第二空 间连通的第二喷口，从第一喷口喷出的气态膜料被从第二喷口喷出的氧化性离子气体氧化 后附着于基材上。2.如权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于所述反应装置还包括一第一盖体及一 第二盖体...

【专利技术属性】
技术研发人员：裴绍凯，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业深圳有限公司，鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94[]