用于无机材料的选择区域沉积的有机硅氧烷材料制造技术

一种用于形成构图薄膜的原子层沉积方法，包括：（ａ）提供基板；（ｂ）向基板涂布含有沉积抑制剂材料的组合物，其中该沉积抑制剂材料是有机硅氧烷聚合物；和（ｃ）在步骤（ｂ）后或在与涂布沉积抑制剂材料的同时对沉积抑制剂材料进行构图，从而有效地提供没有沉积抑制剂材料的选择区域。该无机薄膜基本上仅沉积在没有沉积抑制剂材料的基板的选择区域中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总的涉及在使用薄膜金属、金属氧化物材料等的原子层沉积的方法中将所 述材料选择区域沉积到基板上。具体而言，本专利技术涉及在选择区域沉积中可用作沉积抑制 剂的有机硅氧烷化合物。
技术介绍
当今的电子器件要求电学或光学反应性物质的多层构图层，有时需要在相对较大 的基板上。电子器件，例如射频识别(RFID)标签、光伏器件(photovoltaics)、光学和化学 感应器等在它们的电路中均需要具有一定程度的构图(patterning)。平板显示器，例如液 晶显示器或电致发光显示器(例如0LED)精确依赖于构图的连续层来形成背板中的薄膜组 件。这些组件包括电容器、晶体管和电源总线。为了提高性能和降低成本，业界一直以来都 在寻找材料沉积和层构图的新方法。薄膜晶体管(TFT)可认为是众多薄膜组件的电子和制造方面的代表。TFT广泛用 作电子器件中的开关元件，这些电子器件例如是有源矩阵液晶显示器，智能卡，以及各种其 它的电子器件及其组件。薄膜晶体管(TFT)是场效应晶体管(FET)的一种。最知名的FET 的例子是M0SFET (金属氧化物半导体-FET)，这是当今高速应用中常规的开关元件。薄本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于形成构图薄膜的原子层沉积方法，包括：　　（ａ）提供基板；　　（ｂ）向基板涂布含有沉积抑制剂材料的组合物，其中该沉积抑制剂材料包含有机硅氧烷聚合物，该聚合物可以任选地被交联；　　（ｃ）在步骤（ｂ）后或在与涂布沉积抑制剂材料的同时对沉积抑制剂材料进行构图，从而有效地提供没有沉积抑制剂材料的选择区域；以及　　（ｄ）通过原子层沉积，将无机薄膜沉积在基板上；　　其中，该无机薄膜基本上仅沉积在没有沉积抑制剂材料的基板的选择区域中。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：C杨，LM欧文，DH莱维，PJ考德里科尔万，DC弗里曼，
申请(专利权)人：伊斯曼柯达公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]