【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及特别可用于使厚膜成像的光敏性光致抗蚀剂组合物。在某些情况下，光致抗蚀剂膜具有大于2 μ m(微米)的厚度。本专利技术进一步提供本专利技术光敏性组合物的涂 覆和成像方法。
技术介绍
光致抗蚀剂组合物用于缩微光刻方法，这些方法例如在计算机芯片和集成电路的 制造中用于制造小型化电子元件。通常，在这些方法中，首先将光致抗蚀剂组合物的膜涂层 施加于基材材料上，例如用于制造集成电路的硅晶片上。然后烘烤该已涂覆的基材以使该 光致抗蚀剂组合物中的任何溶剂蒸发并将涂层固定到基材上。让该基材的被烘烤的涂覆表 面接下来经历暴露在辐射下的成像曝光。这种辐射曝光引起涂覆表面的曝光区域发生化学转变。目前，可见光、紫外(UV) 光、电子束和X射线辐射能量是缩微光刻方法中常用的辐射类型。在这一成像曝光之后，用 显影剂溶液处理已涂覆的基材以溶解和除去基材的经涂覆表面的已辐射曝光或未曝光的 区域。存在两类光致抗蚀剂组合物，负作用和正作用型。当负作用光致抗蚀剂组合物在 辐射下成像曝光时，该抗蚀剂组合物的暴露在辐射下的区域变得更不溶于显影剂溶液(例 如发生交联反应)，而该光致抗蚀剂涂层的...
【技术保护点】
包含树脂粘结剂的光致抗蚀剂组合物，所述树脂粘结剂选自：（１）在没有催化剂的情况下由（ｉ）和（ｉｉ）形成的反应产物，（ｉ）包含取代或未取代的羟基苯乙烯和丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯或丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯的混合物的聚合物，该丙烯酸酯和／或甲基丙烯酸酯被酸不稳定基团保护，该酸不稳定基团要求高活化能来解封，（ｉｉ）选自乙烯基醚和未取代或取代的杂脂环族的化合物；（２）在没有催化剂的情况下由（ｉ）酚醛清漆聚合物，（ｉｉ）含２－７个酚基的多羟基化合物和（ｉｉｉ）选自乙烯基醚和未取代或取代的杂脂环族的化合物形成的反应产物；（３）在没有催化剂的情况下由（ｉ）、（ｉｉ）和（ｉｉｉ）形成的反应产物，...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：MA托西，M鲍内斯库，
申请(专利权)人：AZ电子材料美国公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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