抗蚀剂制造技术

一种含有金属氮氧化物而成的抗蚀剂。本发明专利技术的抗蚀剂能够适合用于制备例如微透镜片材、光扩散片、无反射片、光半导体元件密封用片材、光波导、光盘、光传感器等的光学部件的表面加工用的成形模具。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及抗蚀剂。更详细而言，涉及用于制备在微透镜片材、光扩散片、无反射片、光半导体元件密封用片材、光波导、光盘、光传感器等的光学部件的表面进行纳米级的图案加工的成形模具的抗蚀剂，使用该抗蚀剂获得的成形模具的制造方法，和通过该制造方法获得的成形模具。
技术介绍
在基板表面加工纤细的孔的技术也被应用于光学部件的加工中，对于近年来的光学电子仪器的精密化，要求更高度的加工技术。 例如，日本特开2006-216220号公报中公开了一种使用抗蚀剂而在基板表面形成纤细的孔的方法，该抗蚀剂为通过对具备由铂氧化物、银氧化物等构成的金属化合物层(电工合金层)、和其两面上的相变层的物质进行激光照射而形成贯通孔，从而加工成规定的图案的抗蚀剂。
技术实现思路
本专利技术涉及 〔1〕一种抗蚀剂，其含有金属氮氧化物而成； 〔2〕一种成形模具的制造方法，其包括 工序A将上述〔1〕中所述的抗蚀剂层压至模具材料的工序； 工序B从工序A中层压的抗蚀剂的上方进行激光照射，在抗蚀剂中形成贯通孔的工序；和 工序C对于在工序B中形成的贯通孔处露出的模具材料的表面进行蚀刻的工序； 以及 〔3〕一种成形模具，其通过上述〔2〕中所述的制造方法获得。 附图说明 图1为示出对实施例1的抗蚀剂进行激光照射而形成贯通孔时的孔的形状的图。 图2为示出对比较例1的抗蚀剂进行激光照射而形成贯通孔时的孔的形状的图。 图3为示出本专利技术的抗蚀剂的使用方案的一个实例的图。 附图标记说明 1模具材料 2电介体层 3第1发热层 4金属氮氧化物层 5第2发热层 具体实施例方式 日本特开2006-216220号公报所记载的方法中，由于通过激光照射而产生许多直径大约50nm的金属微粒，且附着于贯通孔的内壁和基板表面，因此在光学部件的加工中无法进行精密的加工，存在无法获得充分的光学特性的问题。 因此，本专利技术人等鉴于现有技术的问题而进行了深入研究，从而完成了本专利技术。即，本专利技术涉及一种用于制备具有优异光学特性的光学部件的表面加工用的成形模具的抗蚀剂、使用该抗蚀剂获得的成形模具的制造方法、和通过该制造方法获得的成形模具。 本专利技术的抗蚀剂具有可以制备成形模具的效果，该成形模具能够在光学部件的表面形成纤细的孔。 本专利技术的这些优点以及其他优点可以通过以下说明而获知。 本专利技术的抗蚀剂的很大特征在于，其含有金属氮氧化物作为金属化合物。 日本特开2006-216220号公报所记载的抗蚀剂使用金属氧化物作为金属化合物的层。金属化合物层被激光照射时，则分解为气体和金属，并在照射部位形成贯通孔。此时，产生的金属微粒附着于贯通孔的内壁，因此会对之后的成形模具制备带来影响。另一方面，本专利技术中，由于使用金属氮氧化物作为金属化合物，因此，虽然详细理由不明，但通过激光照射而产生的N2气体会抑制金属微粒的产生，且抑制该微粒附着于激光照射部位，并使制备与精密的光学部件的表面图案相应的成形模具成为可能。另外，本说明书中，“成形模具”是指通过对其压接树脂片材等并脱模而可成形光学部件的模具。 本专利技术的抗蚀剂只要含有金属氮氧化物，则没有特定限制，作为本专利技术的抗蚀剂的一个方案，可以列举以下方案金属氮氧化物形成层，除了该金属氮氧化物的层之外，还含有第1发热层和第2发热层，它们以第1发热层、金属氮氧化物层和第2发热层的顺序被层压。所述由3层结构构成的抗蚀剂，例如，通过被进行激光照射时，照射部位的温度上升，从而产生结构变化。具体而言，第1发热层和第2发热层吸收激光而发热，并且金属化合物层的金属氮氧化物层被分解为金属和气体，其结果，形成了贯通孔。 在制备成形模具时，可以是第1发热层和第2发热层中的任一层与模具材料接触，只要其含有通过激光照射而温度上升并发热的成分(也称发热成分)，则没有特定限制。 作为发热成分，例如可以列举AgInSbTe的合金、GeSbTe的合金、SbTe的合金、InSbTe的合金、BiSbTe的合金、GaSbTe的合金等，它们可以单独或组合使用。另外，构成第1发热层和第2发热层的发热成分可以相同或不同，但优选相同。 另外，第1发热层和第2发热层只要是可发热的物质，则可以含有所述合金以外的其他成分。作为其他成分，可以列举O、N、F、C、Si等，各层中的合金的含量优选为60重量％以上，更优选为80重量％以上，实际上进一步优选为100重量％。 第1发热层和第2发热层的制备可以根据溅射法、真空蒸镀法、CVD法等公知的方法进行，但从容易控制层的组成的观点来看，优选使用溅射法。另外，作为溅射法，优选使用高频的气体的高频(RF射频)溅射法。 例如，在第1发热层和第2发热层由AgInSbTe的合金构成的情况下，将AgInSbTe的合金作为靶材，在真空条件下，使氩气(Ar)等惰性气体以高速碰撞，从而可以形成所述合金的薄膜。 第1发热层和第2发热层的厚度从发热性和加工性的观点来看优选为1～50nm，更优选为2～30nm，进一步优选为3～20nm。另外，在通过溅射法形成层的情况下，层的厚度可以通过控制成膜时间来调整。 本专利技术中的金属化合物层是含有金属氮氧化物的金属氮氧化物层。 作为金属氮氧化物中的金属，没有特定限制，优选含有选自由Pt、Ag、Pd和W所构成的组中的至少1种作为主要成分，从加工精度的观点来看，更优选含有Pt。另外，本说明书中，“金属的主要成分”是指在金属氮氧化物层中所含的金属总体的含量为80％以上、优选为95％以上的成分。 另外，金属氮氧化物中的氧的含有率优选为55～80Atom％，更优选为55～60Atom％。另外，作为氮的含有率，优选为5～30Atom％，更优选为20～30Atom％。另外，本说明书中，原子含量(Atom％)可以根据后述的实施例中记载的方法来测定。 另外，金属氮氧化物层只要是可以通过激光照射而抑制金属微粒的产生的物质，则也可以含有所述金属氮氧化物以外的其他成分。作为其他成分，可以列举Si、F、C等，金属氮氧化物层中的金属氮氧化物的含量优选为60重量％以上，更优选为80重量％以上，进一步优选为基本上100重量％。 金属氮氧化物层优选与所述第1发热层和第2发热层同样地使用溅射法来制备。 例如，在金属氮氧化物层由铂氮氧化物构成的情况下，以铂作为靶材，在真空条件下，通过向氩气(Ar)等惰性气体中适量混合氮气、氧气等反应性气体，并使该混合物以高速碰撞，从而可形成铂氮氧化物的薄膜。另外，根据反应性气体的流量，可以调整所获得的金属氮氧化物中的氮含有率、氧含有率。 从加工稳定性的观点来看，金属氮氧化物层的厚度优选为5～100nm，更优选为7～50nm，进一步优选为10～30nm。 这样，得到第1发热层、金属氮氧化物层和第2发热层，本专利技术的抗蚀剂只要是将这些层以该顺序直接或间接层压，则层压方法没有限制，从操作性的观点来看，可以使用溅射法将这些层层压。即，可以如下层压使用溅射法，在第1发热层上形成金属氮氧化物层，进而，在其上形成第2发热层。另外，本说明书中，“直接层压”的抗蚀剂是指第1发热层、金属氮氧化物层和第2发热层被直接层压而形成的抗蚀剂，“间接层压”的抗蚀剂是指在第1发热层和金属氮氧化物层之间、和/或金属氮氧化物层和第2发热层之间根据常规方本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抗蚀剂，其含有金属氮氧化物而成。

【技术特征摘要】
JP 2008-12-25 2008-3304311.一种抗蚀剂，其含有金属氮氧化物而成。2.根据权利要求1所述的抗蚀剂，其中，金属氮氧化物含有选自由Pt、Ag、Pd和W所构成的组中的至少1种作为主要成分。3.根据权利要求1所述的抗蚀剂，其中，金属氮氧化物中的氧的含有率为55～80Atom％，氮的含有率为5～30Atom％。4.根据权利要求1所述的抗蚀剂，其进一步含有第1发热层和第2发热层，且...

【专利技术属性】
技术研发人员：栗原一真，中野隆志，岛隆之，富永淳二，藤冈和也，末广一郎，
申请(专利权)人：独立行政法人产业技术综合研究所，日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]