催化剂制造技术

技术编号:5404785 阅读:401 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供了一种包括通式(I)所示配体的络合物:其中,各个R1可相同或不同,且为氢、可选取代的C1-20烃基、N(R5)2、甲硅烷基、甲硅烷氧基;可选取代的杂芳基、可选取代的杂环基,或者相邻碳原子上两个R1基结合在一起可形成可选取代的5~8元稠环;各个R2可相同或不同,且为氢、可选取代的C1-20烃基、N(R5)2、甲硅烷基、甲硅烷氧基;可选取代的杂芳基或可选取代的杂环基;R3结合到茚基的6元环上,且为-(Si(R5)2)p-、-(C(R5)2)n-,其中p为1或2,n为2或更大的整数;各个R4可相同或不同,且为氢、可选取代的C1-20烃基、N(R5)2、甲硅烷基、甲硅烷氧基;可选取代的杂芳基、可选取代的杂环基,或者相邻碳原子上两个R4基结合在一起可形成可选取代的5~8元稠合的碳环;各个R5可相同或不同,且为氢、可选取代的C1-20烃基,或者两个R5基结合在一起可形成可选取代的5~8元环;a为0~3;b为0~3;c为0~4;所述通式(I)的配体与金属离子M配位。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及烯烃聚合催化剂形成中所用的桥接的不对称η-配体的络合物,以及 所述催化剂本身及其在烯烃聚合中的应用。更具体地,本专利技术涉及包括在茚基的4 7位 和含配体的环戊二烯基五元环之间桥接的不对称配体的络合物。
技术介绍
金属络合物在烯烃聚合中的应用广为人知。众多的学术和专利文献描述了诸如茂 金属等催化剂在烯烃聚合中的应用。茂金属现已得到工业应有,特别是聚乙烯常使用环戊 二烯基类催化剂体系以各种不同取代模式来制备。然而,大多数茂金属络合物是基于与通常为氯化物的各种ο配体连接的对称的 Π -键配体体系,如环戊二烯基和茚基,并为未桥接的。当桥用在配体之间时,这些桥通常 形成在环戊二烯基的1位和另一环戊二烯基的1位之间。本领域公开了很多这类化合物。 然而,桥接的茂金属倾向于是对称的,以引起内消旋/外消旋异构。然而,仍需要发现用于烯烃聚合的新型催化剂材料,因为每种新型催化剂可为所 形成的聚合物提供不同的性质,并可显示出潜在有利的活性水平。特别地,新型催化剂可提 供更高的Mw和良好的共聚单体反应和氢响应。这对HDPE和MDPE特别有利。本专利技术人已经发现了本领域中未曾记载的一类新型烯烃聚合催化剂。尤其,形成 本专利技术催化剂所需的络合物是不对称的,且通过将茚基环的4 7位和环戊二烯基环连接 的桥来桥接。来自于茚基环4位的桥不是新的。W096/38458描述了在两个茚基配体的4位之间 桥接的络合物。不对称桥接的茂金属也不是新的。W001/40238描述了这样的茂金属,其中茚基通 过其4位上的亚甲基桥与环戊二烯基部分连接。W02006/065906描述了其中存在卤素取代 基的桥接的茚基配体体系。W02006/065809和W02005108435描述了使用诸如磷等第15族 和16族原子桥接的茚基配体,且W02005/105864描述了桥接的茚基配体体系,其中芳族杂 环与茚基环体系结合。
技术实现思路
本专利技术人已经发现这样的桥接的茚基络合物,其中桥是基于碳或硅的,并且将茚 基的4 7位与含配体的环戊二烯基五元环连接,它们很有价值,因为它们可提供高Mw和 高产率的聚合物。通常,高分子量聚合物在催化剂活性降低的工艺中形成,但是已发现本催 化剂产生高Mw聚合物而产率无显著降低。因此,一方面,本专利技术提供了包括通式(I)配体的络合物<formula>formula see original document page 6</formula>(R2)Z(I)其中,各个R1可相同或不同,且为氢、可选取代的C1J烃基、N(R5)2,甲硅烷基、甲硅烷氧 基;可选取代的杂芳基、可选取代的杂环基,或者相邻碳原子上两个R1基结合在一起可形成 可选取代的5 8元稠环;各个R2可相同或不同,且为氢、可选取代的C1J烃基、N(R5)2,甲硅烷基、甲硅烷氧 基;可选取代的杂芳基或可选取代的杂环基;R3结合到茚基的6元环上,且为_ (Si (R5) 2) p_ (其中P为1或2)、- (C (R5) 2) η-(其 中η为2或更大的整数);各个R4可相同或不同,且为氢、可选取代的C1J烃基、N(R5)2,甲硅烷基、甲硅烷氧 基、可选取代的杂芳基、可选取代的杂环基,或相邻碳原子上两个R4基结合在一起可形成可 选取代的5 8元稠合的碳环;各个R5可相同或不同,且为氢、可选取代的C1J烃基,或两个R5基结合在一起可形 成可选取代的5 8元环;a 为 0 3 ;b 为 0 3;c 为 0 4;所述通式(I)的配体与金属离子M配位。另一方面,本专利技术提供了包括通式(II)的络合物<formula>formula see original document page 6</formula>(R2)b(II)其中R1、R2、R4、R5、a、b 和 c 定义如上,且 R7 为-C(R5)2-;所述通式(II)与金属离子M配位;条件是R7与茚基环的5位或6位结合。另一方面,本专利技术提供了烯烃聚合催化剂,包括(i)络合物,所述络合物包括与通式(I)或(II)中至少一种配体配位的金属离子; 禾口(ii)助催化剂。另一方面,本专利技术提供了上述催化剂在烯烃聚合中的应用。又一方面,本专利技术提供了用于至少一种烯烃聚合的方法,包括将所述至少一种烯 烃与上述催化剂反应。形成本专利技术络合物所需的化合物也是新的,并形成本专利技术的又一个方面。因此,另 一方面,本专利技术提供了通式(III)或(IV)的化合物<formula>formula see original document page 7</formula>其中R1、R2、R3、R4、R5、R7、a、b 和 c 定义如上。在整个说明书中使用以下定义。如本文所用,术语C1J烃基涵盖仅包括碳和氢的任何C1,基团,因此包括C1,烷 、。2-20 fe 、。2-2020 ^Ffe 、。6-20。7-20ο 非另有说明,优选的C1J烃基为C1J烷基或C6_2(l芳基,特别是Ci_8烷基或c6_1(l芳基。最特 别优选的烃基为甲基、乙基、丙基、异丙基、叔丁基、苯基或苄基。术语卤代(halo)包括氟基、氯基、溴基和碘基,特别是氯基。术语甲硅烷基是指通式(R5)3Si-的基团,其中R5定义如上。高度优选的甲硅烷基 为通式和_6烷基)3Si_的那些,特别为三甲基甲硅烷基或叔丁基二甲基甲硅烷氧基。术语甲硅烷氧基是指通式(R5)3SiO-的基团,其中R5定义如上。高度优选的甲硅 烷氧基为通式和_6烷基)3SiO-的那些,特别为三甲基甲硅烷氧基或叔丁基二甲基甲硅烷氧 基。术语杂芳基是指包括至少一个杂原子的单环的芳环或多环的芳环结构。优选的杂 芳基具有最多20个碳原子,优选最多10个碳原子。优选的杂芳基具有选自0、S和N,特别 是0和N的1 4个杂原子。优选的杂芳基包括吡啶基、吡咯基、呋喃基、吲哚基、吲嗪基、 苯并呋喃基或苯并噻嗯基。术语杂环基是指包括至少一个杂原子的单环或多环(非芳香)结构。优选的杂环 基具有最多20个碳原子,优选最多10个碳原子。优选的杂环基具有选自0、S和N,特别是 0和N的1 3个杂原子。优选的杂环基包括哌啶基、呋喃基、哌嗪基二嗪、噁唑啉基或亚硫酰基。本文所用的术语可选取代的是指基团上存在一个或多个其它取代基。所述可选的 取代基选自由C1J烃基、C1J烷基卤化物、C1J烷基羟基、-N(R5)2、甲硅烷基、甲硅烷氧基、羟基、-OCOCu 烷基、-而2、-。卩3、-5!1、-(( = 0)R5、-C( = 0)0R5、-C( = O)NR5R5、-SR5、-NR5C(= O) R5,-OC ( = 0)R5、-OR5、杂芳基和杂环基组成的组中。优选的可选的取代基为Cp6烷基、苯基、NH2、匪e2和三甲基甲硅烷基。应理解存在的可选的取代基数量可根据承载此可选的取代基的部分的性质而改 变。然而,优选存在1 3个此可选的取代基,特别是1个。当然,任何可选取代的部分可 保持未取代。 金属离子M可以为元素周期表中的任何金属离子。优选地,金属离子为过渡金属 离子或镧系元素离子,特别为过渡金属离子,如元素周期表中第3族至第6族中的一种。有 意义的具体金属离子包括Sc、Y、Ti、&am本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种包括通式(Ⅰ)的配体的络合物:  *** (Ⅰ)  其中,  各个R↑[1]相同或不同,且为氢、可选取代的C↓[1-20]烃基、N(R↑[5])↓[2]、甲硅烷基、甲硅烷氧基;可选取代的杂芳基、可选取代的杂环基,或者相邻碳原子上两个R↑[1]基结合在一起形成可选取代的5~8元稠环;  各个R↑[2]相同或不同,且为氢、可选取代的C↓[1-20]烃基、N(R↑[5])↓[2]、甲硅烷基、甲硅烷氧基;可选取代的杂芳基或可选取代的杂环基;R↑[3]结合到茚基的6元环上,且为-(Si(R↑[5])↓[2])↓[p]-、-(C(R↓[5])↓[2])n-,其中p为1或2,n为2或更大的整数;  各个R4相同或不同,且为氢、可选取代的C↓[1-20]烃基、N(R↑[5])↓[2]、甲硅烷基、甲硅烷氧基、可选取代的杂芳基、可选取代的杂环基,或者相邻碳原子上两个R↑[4]基结合在一起形成可选取代的5~8元稠合的碳环;  各个R↑[5]相同或不同,且为氢、可选取代的C↓[1-20]烃基,或者两个R↑[5]基结合在一起形成可选取代的5~8元环;  a为0~3;b为0~3;  c为0~4;  所述通式(Ⅰ)的配体与金属离子M配位。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:亚历山大泽尔马诺维奇沃斯科布瓦尼科夫安德烈费奥多罗维奇阿萨琴科德米特里科纳诺维奇米哈伊尔V尼库林阿列克谢察勒夫雅内梅雷宁蒂纳瓦纳于尔基考哈宁埃里克曼斯内尔埃萨柯克劳拉萨里南
申请(专利权)人:保瑞利斯科技公司
类型:发明
国别省市:FI[芬兰]

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