发光晶体结构制造技术

技术编号:5403862 阅读:230 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种设备,包括:一个包括Ⅲ族氮化物以及位于n型和p型Ⅲ族氮化物之间的结的结构,该结构具有棱锥形或楔形形状。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种具有发光二极管的设备以及制造这种设备的方法, 其中该发光二极管包括具有III族氮化物的结构。
技术介绍
希望提高发光晶体结构例如发光二极管(LED)的效率,因为这将 会增加它们在商业上应用的范围。可以通过两种方式提高效率增加外 部效率或增加内部效率。外部效率的提高是通过从该结构中提取更多光来实现的。本领域技 术人员众所周知,发光晶体结构具有一个临界角,超过该角度反射的光 会在内部反射而不会射出该结构。例如,常规的平面LED中所生成的光 只有大约5%射出该LED,而其余部分都是在内部反射。提取更多光的 方式包括使平面LED具有紋理以减少内部反射的光量。
技术实现思路
一个实施例是一种设备,包括一个结构,该结构包含m族氮化物以及n型与p型m族氮化物之间的结(junction),其中该结构具有棱 锥形或楔形形状。另一个实施例是一种设备,包括设置在衬底上的发光晶体结构。该 结构具有n型和p型势垒区(barrier region)以及它们之间的结。该结 被设置在该n型和p型势垒区的相对于该衬底平坦表面倾斜的一个或多 个表面上。另一个实施例是一种制造设备的方法。该方法包括形成发本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种设备,包括: 包括Ⅲ族氮化物以及位于n型和p型Ⅲ族氮化物之间的结的结构,该结构具有棱锥形或楔形形状。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:H吴
申请(专利权)人:卢森特技术有限公司
类型:发明
国别省市:US[美国]

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