发射辐射的器件制造技术

一种发射辐射的器件（８），其具有：带有有源区（１２）的半导体层堆（１０），该有源区构建用于发射电磁辐射（Ｒ）；以及半导体层堆（１０）的至少一个表面（１４，１５，１６，１７）或者构建用于透射电磁辐射（Ｒ）的光学元件（１８，２０）的至少一个表面（１４，１５，１６，１７），其中该表面（１４，１５，１６，１７）具有法向量（Ｎ），其中在半导体层堆（１０）或者光学元件（１８，２０）的、电磁辐射（Ｒ）穿过的至少一个表面（１４，１５，１６，１７）上设置有防反射层（３０），并且该防反射层构建为使得其对于预先给定的波长在关于表面（１４，１５，１６，１７）的法向量（Ｎ）的如下观察角（ＡＬＰＨＡ）下具有最小的反射：在该观察角的情况下电磁辐射（Ｒ）的区域性的光通量的增加大致具有最大值。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发射辐射的器件本专利技术涉及一种发射辐射的器件，其具有构建用于发射电磁辐射的有源区。本专利技术的任务是，提出一种发射辐射的器件，借助该器件能够以简单的方式实现 发射辐射的器件的高的辐射发射效率。此外，将以简单的方式实现所希望的具有尽可能高 的精确度的辐射光谱。 该任务通过独立权利要求的特征来解决。本专利技术的有利的扩展方案以从属权利要 求来表明。根据第一方面，提出了一种发射辐射的器件，其具有带有有源区的半导体层堆， 该有源区构建用于发射电磁辐射；以及半导体层堆的至少一个表面或者构建用于透射电磁 辐射的光学元件的至少一个表面，其中该表面具有法向量，其中在电磁辐射穿过的半导体 层堆或者光学元件的至少一个表面上设置有防反射层，并且该防反射层构建为使得其对于 预先给定的波长在关于表面法向量的如下观察角下具有最小的反射在该观察角的情况下 电磁辐射的区域性的光通量的增加大致具有最大值。区域性的光通量是从相应表面的法向 量出发在半导体层堆的表面上的或者在构建用于透射电磁辐射的光学元件的表面上的立 体角范围中的光通量。在半导体层堆的表面上的或者在构建用于透射电磁辐射的光学元件的表面上的 立体角范围中的区域性的光通量能够给出关于发射辐射的器件的与角度相关的总体发射 的说明。防反射层构建为使得其对于预先给定的波长在关于表面法向量的如下观察角下具 有最小的反射在该观察角的情况下电磁辐射的区域性的光通量的增加大致具有最大值。 这样构建的优点是，这样可能在考虑到电磁辐射的与观察角度相关的区域性的光通量的分 布的情况下将发射辐射的器件的总体发射最大化。在一个实施形式中，防反射层构建为使得其对于预先给定的波长在关于法向量在 30°到60°之间的观察角下具有最小反射。由此，使如下的发射辐射的器件的整体发射最 大化是可能的在这些器件中，电磁辐射的区域性的光通量的增加的最大值在30°到60° 之间的观察角中。在另一优选的实施形式中，防反射层构建为使得其对于预先给定的波长在关于法 向量的40°到50°之间的观察角下具有最小的反射。由此，使如下的发射辐射的器件的整 体发射最大化是可能的在这些器件中，电磁辐射的区域性的光通量的增加的最大值在大 约45°的观察角中。在另一实施形式中，发射辐射的器件具有衬底，在该衬底上设置有半导体层堆，并 且该衬底具有背离于半导体层堆的表面，在该表面上设置有防反射层。这具有的优点是，防 反射层可以简单地施加到发射辐射的器件的现存的衬底上。在另一实施形式中，发射辐射的器件具有盖板，其与半导体层堆间隔，其中盖板具 有朝向半导体层堆的表面和背离于半导体层堆的表面，并且防反射层设置在盖板的表面的 至少之一上。由此，可以有利地与半导体层堆的制造无关地进行反射层的施加。最后，反射 层也可以施加到已经制成的发射辐射的器件上。在另一实施形式中，防反射层包括金属氟化物或者金属氧化物，并且该金属选自铪、锆、铝、钛和镁。这具有的优点是，带有这种金属的金属氟化物和金属氧化物非常良好地 适于防反射层。在另一实施形式中，衬底包括选自玻璃、石英和塑料的材料。由此，针对衬底的稳 定的、可简单地制造的并且成本低廉的解决方案是可能的。根据第二方面，提出了一种发射辐射的器件，其具有带有有源区的半导体层堆， 该有源区构建用于发射初级电磁辐射；以及与半导体层堆机械耦合的转换层，该转换层具 有发光材料，该发光材料构建用于将初级电磁辐射的一部分转换为次级电磁辐射，其中初 级电磁辐射的一部分与次级电磁辐射的一部分叠加成为具有所得到的色度坐标的混合辐 射，并且在混合电磁辐射穿过的表面的至少之一上设置有色彩校正层，该色彩校正层带有 至少两个相邻地设置的层，其中第一层由具有第一折射率的材料构成，而第二层由具有第 二折射率的材料构成，第一折射率与第二折射率不同，并且这些层构建用于根据观察角来 调节所得到的色度坐标。 这具有的优点是，在考虑到混合电磁辐射的组成的情况下可能根据观察角差别明 显地影响发射辐射的器件的初级辐射和次级辐射的混合比例。此外，这具有的优点是，不应 被发射的波长的电磁辐射可以被反射回转换层中，并且在那里可以为了进一步的利用而转 换为次级电磁辐射。在第二方面的一个实施形式中，色彩校正层构建为带有多个层的层堆，并且这些 层设置为使得分别与层之一相邻的两个层具有如下的折射率这些折射率二者都小于或大 于相应的层的折射率。这对应于具有交替的高和低折射率的层的层堆的布置。通过层的这 种布置，能够实现宽带的并且高效的色彩校正。在第二方面的另一实施形式中，色彩校正层设置在转换层上。由此，色彩转换层可 以设置为使得其在机械上受到特别良好的保护。在第二方面的另一实施形式中，发射辐射的器件具有盖板，该盖板设置在转换层 上，并且该盖板具有背离于转换层的表面，色彩校正层设置在该表面上。由此，可以与层堆 以及转换层的制造无关地进行色彩校正层的施加。反射层最后也可以施加到已经制成的发 射辐射的器件的盖板上。在第二方面的另一实施形式中，发射辐射的器件具有盖板，该盖板与转换层间隔， 其中盖板具有朝向半导体层堆的表面和背离于半导体层堆的表面，并且色彩校正层设置在 盖板的表面至少之一上。这具有的优点是，可以与层堆以及转换层的制造无关地进行色彩 校正层的施加。反射层最后也可以施加到此外已经制成的发射辐射的器件的分离的盖板 上。在第二方面的另一实施形式中，色彩校正层包括金属氟化物或者金属氧化物，并 且金属选自镁、铪、锆、铝和钛。色彩校正层的层可以由不同的金属氟化物和金属氧化物形 成。带有这种金属的金属氟化物和金属氧化物非常良好地适用于色彩校正的层。根据第三方面，提出了一种发射辐射的器件，其具有带有有源区的半导体层堆， 该有源区构建用于发射电磁辐射；以及带有表面的覆盖元件，其中在覆盖元件的第一区段 中在表面上设置有吸收性的或者反射性的层，并且在覆盖元件的第二区段中，表面没有吸 收性的或者反射性的层。这具有的优点是，发射辐射的器件可以借助半导体层堆发出具有 横截面形状的光束，该光束通过覆盖元件的构建为窗口区域的第二区段的形状来确定。在第三方面的一个实施形式中，在覆盖元件的第二区段的表面之一上设置有防反 射层，并且该防反射层构建为使得其对于预先给定的波长在关于表面法向量的如下观察角 下具有最小的反射在该观察角的情况下电磁辐射的区域性的光通量的增加大致具有最大 值。由此可能的是，在考虑到电磁辐射的与观察角度相关的区域性的光通量的分布的情况 下，在覆盖元件的构建为窗口区域的第二区段中发射辐射的器件的整体发射具有最大值。在第三方面的另一实施形式中，防反射层构建为使得其对于预先给定的波长在 40°到50°之间的观察角下具有最小的反射。这具有的优点是，发射辐射的器件的整体发 射可以具有最大值，其中电磁辐射的区域性的光通量的增加的最大值在大约45°的观察角 中。在第三方面的另一实施形式中，防反射层包括金属氟化物或者金属氧化物，并且 该金属选自铪、锆、铝、钛和镁。这是特别有利的，因为带有这种金属的金属氟化物和金属氧 化物可以非常良好地适于防反射层。 在第三方面的另一实施形式中，电磁辐射是初级电磁辐射，并且带有与层堆机械 耦合的转换层，该转换层具有发光材料，该发光材料构建为用于将初级电磁辐射的一部分 转换为次本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发射辐射的器件（８），其具有：－带有有源区（１２）的半导体层堆（１０），该有源区构建用于发射电磁辐射（Ｒ）；以及－半导体层堆（１０）的至少一个表面（１４，１５，１６，１７）或者构建用于透射电磁辐射（Ｒ）的光学元件（１８，２０）的至少一个表面（１４，１５，１６，１７），其中该表面（１４，１５，１６，１７）具有法向量（Ｎ），其中：在半导体层堆（１０）或者光学元件（１８，２０）的、电磁辐射（Ｒ）穿过的至少一个表面（１４，１５，１６，１７）上设置有防反射层（３０），并且该防反射层构建为使得该防反射层对于预先给定的波长在关于表面（１４，１５，１６，１７）的法向量（Ｎ）的如下观察角（ＡＬＰＨＡ）下具有最小反射：在该观察角的情况下电磁辐射（Ｒ）的区域性的光通量的增加大致具有最大值。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：斯特凡格勒奇，扬马费尔德，约尔格埃里希佐尔格，莫里茨恩格尔，斯特芬科勒，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]