发光结构制造技术

本发明专利技术提出了一种发光结构（７），其具有：用于注入空穴的ｐ掺杂区域（１）；用于注入电子的ｎ掺杂区域（２）；至少一个第一类的ＩｎＧａＮ量子阱（４）和至少一个第二类的ＩｎＧａＮ量子阱（５），它们设置在ｎ掺杂区域（２）和ｐ掺杂区域（１）之间，其中第二类的ＩｎＧａＮ量子阱（５）具有比第一类的ＩｎＧａＮ量子阱（４）更高的铟含量。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光结构本专利技术涉及一种发光结构，其包含铟-镓-氮化物量子阱。本申请要求德国专利申请10 2007 043 096. 7以及德国专利申请102007 058 723. 8的优先权，其公开内容通过引用结合于此。在发光结构中，铟-镓-氮化物量子阱(还称作InGaN量子阱)通过(In)GaN阻 挡层来分离。通过在量子阱和阻挡层之间的异质结形成势垒，该势垒使载流子(即电子和 空穴)的注入变难。异质结的势垒通过在量子阱与势垒层之间的高的压电场来形成。由于 异质结的数目也随着量子阱的数目升高，困难的是构建包含多个量子阱的发光结构。要解决的任务在于提出一种发光结构，其具有高的辐射效率。本专利技术提出了一种发光结构，其包括ρ掺杂区域和η掺杂区域。P掺杂区域设计用于注入空穴。η掺杂区域设计用于注入电子。在所述区域之间设置有至少一个第一类的InGaN量子阱。优选地，在这些区域之 间设置有多个第一类量子阱。第一类量子阱彼此通过第一类的(In)GaN阻挡层(即第一类 阻挡层)分离，这些阻挡层至少可以包含GaN并且必要时可以附加地包含铟。此外，设置有至少一个第二类的InGaN量子阱。第二类量子阱的特征在于，其本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光结构（７），包含：－用于注入空穴的ｐ掺杂区域（１），－用于注入电子的ｎ掺杂区域（２），－有源区，其具有至少一个第一类的ＩｎＧａＮ量子阱（４）和至少一个第二类的ＩｎＧａＮ量子阱（５），该有源区设置在ｎ掺杂区域（２）和ｐ掺杂区域（１）之间，其中第二类的ＩｎＧａＮ量子阱（５）具有比第一类的ＩｎＧａＮ量子阱（４）更高的铟含量。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿德里安斯特凡阿夫拉梅斯库，汉斯于尔根卢高尔，马蒂亚斯彼得，斯特凡米勒，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]