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本发明提出了一种发光结构（７），其具有：用于注入空穴的ｐ掺杂区域（１）；用于注入电子的ｎ掺杂区域（２）；至少一个第一类的ＩｎＧａＮ量子阱（４）和至少一个第二类的ＩｎＧａＮ量子阱（５），它们设置在ｎ掺杂区域（２）和ｐ掺杂区域（１）之间，其中第...
该专利属于欧司朗光电半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过欧司朗光电半导体有限公司授权不得商用。

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