半导体陶瓷材料及ＮＴＣ热敏电阻制造技术

本发明专利技术的目的在于提供一种半导体陶瓷材料及ＮＴＣ热敏电阻，其无需依赖２种以上材料组合，只须采用１种半导体陶瓷材料，即可提供电阻温度特性的直线性优良的ＮＴＣ热敏电阻。作为构成ＮＴＣ热敏电阻（１）所具备的陶瓷基体（２０）的具有负的电阻温度特性的半导体陶瓷材料，是使用（Ｌａ１－αＢａα）ｘＭｎｙＯｚ（其中，ｚ是由ｘ和ｙ的值所决定的、满足作为陶瓷的电中性条件的数值）表示的氧化物构成的陶瓷材料。上述式中，当ｘ＝１且ｙ＝０．８～１．５时，为０．６０≤α≤０．７５，当ｘ＝１且ｙ＝１．７～２．３时，为０．５０≤α≤０．６３。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及具有负的电阻温度特性的半导体陶瓷材料及使用其构成的NTC热敏 电阻，特别涉及用于使电阻温度特性的直线性提高的改良。
技术介绍
NTC热敏电阻具有在常温下电阻高、在高温下电阻变低的负的电阻温度特性，用于 例如温度传感器或温度补偿用电路等。 NTC热敏电阻的负的电阻温度特性， 一般而言为非直线性。另一方面，于上述温度 传感器、温度补偿用电路等使用NTC热敏电阻的情况，为了对微小温度变化灵敏度良好地 反应，要求电阻温度特性更加直线性。因此，已知以往通过在NTC热敏电阻所插入的电路中 设置IC或固定电阻，为得到所希望的电阻温度特性而进行调整。然而，若采用这样的结构， 电路结构会复杂化，将产生成本提高的问题。 为解决如此问题，例如日本特开2003-272904号公报(专利文献1)中公开了一 种NTC热敏电阻，其通过将具有负的电阻温度特性的2种电阻器材料层叠使其一体化，而 使温度特性更加直线化。与的类似的技术，例如日本特开2002-231508号公报(专利文献 2)及日本特开平2-189901号公报(专利文献3)中亦有公开。即，专利文献2中公开一种 热敏电阻，其通过使彼此特性不同的热敏电阻材料不反应地一体化，而等价地并联连接第1 热敏电阻与第2热敏电阻，在宽范围内电阻温度特性为直线性。专利文献3中公开了一种 NTC热敏电阻，其通过使电阻温度特性不同的2种以上的电阻体层层叠使其一体化，而使电 阻温度特性成为直线性。 这些专利文献1 3中所记载的技术，均通过将具有互不相同的负的电阻温度特 性的至少2种热敏电阻材料所构成的陶瓷层层叠或接合，而使电阻温度特性更加直线化。 因此，根据专利文献1 3所记载的技术，不仅必须准备至少2种热敏电阻材料， 还存在选择电阻变化成为直线性的材料并加以组合等、难以调整的问题。另外，由于是通过 将至少2种热敏电阻材料所构成的陶瓷层接合而构成，所以有因烧成时的元素扩散或收縮 率不同、线膨胀系数不同等，产生特性变化或接合面脆弱、出现裂纹等。 专利文献1 :日本特开2003-272904号公报 专利文献2 :日本特开2002-231508号公报 专利文献3 :日本特开平2-189901号公报
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于提供一种无需组合2种以上材料，通过其本身能提供直 线性的负的电阻温度特性的半导体陶瓷材料、及使用其构成的NTC热敏电阻。 本专利技术的半导体陶瓷材料特征如下所述，其包含A中含有稀土类元素与钡元素、B 中含有锰元素的以AxBy0z(其中，z是由A及B中所含元素的价数及x和y的值所决定的、满 足作为陶瓷的电中性条件的数值)表示的氧化物，且具有负的电阻温度特性，为解决上述技术性问题，当x二l且y二O. 8 1.5时，A中钡元素的含有比例为60 75摩尔％，当x =liy=1.7 2. 3时，A中钡元素的含有比例为50 63摩尔％。 本专利技术的半导体陶瓷材料中，优选当x = 1且y = 0. 8 1. 5时，A中钡元素的含 有比例为69 72摩尔％，当x = 1且y = 2. 0 2. 1时，A中钡元素的含有比例为54 63摩尔％。 另外，上述以4By0z表示的氧化物，更具体而言，是以(Lai—。Ba丄MriyOz(其中，z 是由x和y的值所决定的、满足作为陶瓷的电中性条件的数值)表示。这种情况下，当x =1且y = 0. 8 1. 5时，满足0. 60《a《0. 75，当x = 1且y = 1. 7 2. 3时，满足 0. 50《a《0. 63。 本专利技术的NTC热敏电阻具备陶瓷基体(日文原文七，$ '7夕素体)、及将陶瓷基 体的至少一部分夹持并以彼此相对的方式形成的电极。本专利技术的NTC热敏电阻，其特征在 于上述陶瓷基体包含本专利技术的半导体陶瓷材料。 根据本专利技术的半导体陶瓷材料，通过其本身能提供直线性的负的电阻温度特性。 因此，通过使用本专利技术的半导体陶瓷材料，可以容易地提供电阻变化具有直线性的NTC热 敏电阻。 本专利技术的半导体陶瓷材料中，若AxByOz的A中钡元素的含有比例，在x = 1且y = 0. 8 1. 5时，限定为69 72摩尔％，另外，在x = 1且y = 2. 0 2. 1时，限定为54 63摩尔％，则可使电阻变化更加直线化。 根据本专利技术的NTC热敏电阻，构成陶瓷基体的半导体陶瓷材料仅1种，故可避免如 将2种以上陶瓷层接合构成的情况那样，因烧成时的特性变化、线膨胀系数不同等而产生 裂纹等问题。另外，根据本专利技术的NTC热敏电阻，因其本身具有直线性电阻温度特性，故电 路中不需设置IC或固定电阻用以调整电阻温度特性。附图说明 图1是显示本专利技术的一个实施方式的NTC热敏电阻1的外观的立体图。 图2是显示对于NTC热敏电阻的电阻温度特性的基于本专利技术的改善效果的示意图。 符号说明 1 NTC热敏电阻 11、 12电极 20 陶瓷基体具体实施例方式图1是显示本专利技术的一个实施方式的NTC热敏电阻1的外观的立体图。 NTC热敏电阻1具备电极11及12、以及夹持于电极11及12之间的陶瓷基体20。电极11及12由Ag、Ag-Pd、Pd、Pt或Au、或含有这些的合金构成。陶瓷基体20由下述的本专利技术的半导体陶瓷材料构成。 另外，图1中，虽然图示圆板状的NTC热敏电阻1 ，但也可以是长方体状，另外，也可 以是具有内部电极的层叠结构。 构成陶瓷基体20的半导体陶瓷材料，具有负的电阻温度特性，其包含A中含有稀土类元素与钡元素、B中含有锰元素的以AxByOz(其中，z是由A及B中所含元素的价数及x和y的值所决定的、满足作为陶瓷的电中性条件的数值)表示的氧化物。此处，当1= l且y = 0. 8 1. 5时，A中钡元素的含有比例为60 75摩尔％，当x=liy=1.7 2. 3时，A中钡元素的含有比例为50 63摩尔％。此外，关于z值，即使因氧缺陷等造成氧含量略有偏差的情况也可得到同样效果。 构成陶瓷基体20的半导体陶瓷材料，通过选为上述组成，可使NTC热敏电阻1的电阻温度特性直线化。 构成陶瓷基体20的半导体陶瓷材料中，A中钡元素的含有比例，进一步限定而言，若在x=liy = 0. 8 1.5时，设为69 72摩尔X，在x二l且y二2. 0 2. l时，设为54 63摩尔％ ，则可使电阻温度特性的直线性更加良好，且可提高电阻变化对温度变化的灵敏度。 作为构成陶瓷基体20的半导体陶瓷材料，在更具体的实施方式中，使用以(Lai—。Ba。)xMny(U其中，z是由x禾P y的值所决定的、满足作为陶瓷的电中性条件的数值)表示的氧化物。此处，当x二 l且y = 0.8 1.5时，满足0.60《a《0. 75，当x = 1且y = 1. 7 2. 3时，满足O. 50《a《0. 63。 下面，对为了确认本专利技术的效果所实施的实验例进行说明。 首先，作为初始原料，准备La^3、BaC03及Mn304的各粉末，将这些在烧成后按表1的组成比称量、混合。然后，在这些初始原料中，添加纯水与聚羧酸系分散剂，用球磨机与Zr(^球一同进行混合粉碎，干燥后在90(TC下预烧2小时，进而，用球磨机再度粉碎得到预烧粉。 然后，在所得到的100重量份的预烧粉中，添加40重量份的水及2. 0重量份的聚羧酸系分本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体陶瓷材料，其包含Ａ中含有稀土类元素与钡元素、Ｂ中含有锰元素的以Ａ↓［ｘ］Ｂ↓［ｙ］Ｏ↓［ｚ］表示的氧化物，其中，ｚ是由Ａ及Ｂ中所含元素的价数及ｘ和ｙ的值所决定的、满足作为陶瓷的电中性条件的数值，所述半导体陶瓷材料具有负的电阻温度特性，且当ｘ＝１且ｙ＝０．８～１．５时，Ａ中钡元素的含有比例为６０～７５摩尔％；当ｘ＝１且ｙ＝１．７～２．３时，Ａ中钡元素的含有比例为５０～６３摩尔％。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：三浦忠将，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]