具有多层结构的光电子器件制造技术

光电子器件，由包括式（Ⅰ）的结构单元的聚合物生成，见右化学式，其中Ｒ↑［１ａ］和Ｒ↑［２ａ］独立地为Ｃ↓［１０－２０］链烯基、Ｃ↓［３－２０］炔基、Ｃ↓［３－２０］取代链烯基、Ｃ↓［３－２０］取代炔基或其组合；且Ｒ↑［１ｂ］是烷基、取代烷基或其组合。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】对相关申请的交叉引用本申请是非临时的并要求2006年3月22日提交的美国临时申请系列号60/784,750的优先权，其经此引用并入本文，并与和其在同一日期提交的名为“OPTOELECTRONIC DEVICES WITH MULTILAYEREDSTRUCTURES(具有多层结构的光电子器件)”的美国专利申请相关，其经此引用并入本文。背景 有机发光二极管(OLED)是多层光电子器件。OLED的当前商业用途主要是用于显示器用途并且由作为活性材料的小分子构成。小分子基OLED的制造严重依靠气相沉积法。OLED的下一大的应用空间是一般照明。为了符合一般照明的大体积/低成本要求，需要像辊对辊(roll-to-roll)、报纸类印刷法这样的低成本制造。这种辊对辊制造使用溶剂基方法，并因此将小分子换成良好的成膜聚合物。使用接连的溶剂基沉积步骤的方法具有潜在问题，即用于涂施第二层的溶剂会除去第一聚合物层。 最初的聚合物基OLED是简单的三层器件，仅限于阴极、阳极和发射层，从而使聚合物被溶剂除去的问题最小化。当然需要改进器件性能，由此在OLED中必然需要附加的层。 对附加层的需求又带回下方层被除去的问题；其中所有层都是溶剂沉积的。已经使用两个基本策略以实现多个聚合物层的溶剂基沉积。可以设计一种器件，其中通过不会除去下方层的溶剂沉积后继层。原型实例在于，其中由聚(苯乙烯磺酸酯)掺杂的聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)(PEDOT:PSS)构成的空穴注射层从水中涂施，后继发光层，如9，9-二取代聚芴从二甲苯之类的溶剂中沉积；PDOT:PSS不会被二甲苯除去。制备具有通过溶剂沉积的多层的OLED的第二策略是使各层在涂施下一层之前不可溶。第二策略可以分成两种类型。溶剂可溶层可以与可交联单体，如丙烯酸酯结合。所需层和单体随后承受使单体交联的条件，通常为UV辐射。聚合物层和丙烯酸酯单体的辐射结果是形成相互渗透层，这使溶剂沉积的层不可溶。使溶剂沉积的层不可溶的更好的方式是定制合成所选层以使其含有可交联位点；不需要外加单体。在溶剂沉积的层沉积后，热或光使该层不可溶。 但是，仍然需要可使溶剂沉积的层不可溶以便进行后继沉积步骤的方法和组合物。 详述 一方面，本专利技术涉及由氢硅氧烷和包含式I的结构单元的聚芴之间的反应生成的混合有机-无机聚合物组合物 其中 R1和R2独立地为烷基、取代烷基、链烯基、炔基、取代链烯基、取代炔基、烷氧基、取代烷氧基、链烯氧基、炔氧基、取代链烯氧基、取代炔氧基或其组合； Ar1和Ar2独立地为芳基或取代芳基； m和n独立地为0或1；且 R1和R2的至少一个是链烯基、炔基、取代链烯基或取代炔基。 在具体实施方案中，R2可以是C3-20链烯基或C3-20炔基或C3-8链烯基或C4-8炔基，或R1可以是C3-C8烷基。在另一些实施方案中，R1和R2都可以是C3-20炔基，或R1和R2都是C4-8炔基。例如，聚合物组合物可以包括含有一个或多个下列结构单元的聚芴 另一方面，本专利技术涉及可以产生式I的结构单元的化合物或单体。该单体具有下式 其中 R1a和R2a独立地为C10-20链烯基、C3-20炔基、C3-20取代链烯基、C3-20取代炔基或其组合；R1b是烷基、取代烷基或其组合； 且 X1和X2独立地为卤素、磺酸酯(sulfonate)、硼酸或硼酸酯。 特别地，R1a和R2a可以是C3-20炔基或C4-8炔基。 本专利技术的示例性单体包括 R2a的优选取代基包括C3-20链烯基、C3-20炔基、C3-8链烯基和C4-8炔基。R1b的优选取代基是C3-C8烷基。 另一方面，本专利技术涉及包含下式的结构单元的聚合物 其中R1a、R1b和R2a定义如上。 本专利技术的示例性聚合物包括下式的结构单元 用在本专利技术的聚合物组合物中的聚芴除了式I的那些外还可以包括例如如下结构单元未取代的芴基单元和/或被饱和基团如烷基取代的芴基单元。 其它结构单元可以衍生自如美国专利No.6,900,285中所述的共轭化合物。特别地，可以使用衍生自叔芳胺的结构单元。衍生自不饱和单体的结构单元的量为大约0.05摩尔％至大约50摩尔％，特别是大约1摩尔％至大约25摩尔％，更特别为大约1摩尔％至大约10摩尔％。 聚芴可以通过本领域已知的制造聚芴的方法制备，包括适当的二卤化物和二硼酸酯/二硼酸的Suzuki偶联和Yamamoto偶联。美国专利Nos.5,708,130、6,169,163、6,512,083和6,900285描述了含有芴亚单元的聚合物的合成。 可以使用被至少两个氢原子取代的任何硅氧烷。在许多实施方案中，存在超过两个的氢取代基。特别地，氢硅氧烷可以包括下式的结构单元 其中 R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9和R10独立地为H、C1-10烷基、苯基或 p和q独立地为0或1至100的整数；且 R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9和R10中至少两个是H。 在各种实施方案中，n是1至20的整数，或R3和R7和/或R5是H，或R9是苯基；或R4、R6、R8和R10是甲基。本专利技术的聚合物组合物中可用的示例性氢硅氧烷包括氢化物封端的甲基氢硅氧烷-苯基甲基硅氧烷共聚物、氢化物封端的聚二甲基硅氧烷、甲基氢硅氧烷-二甲基硅氧烷共聚物、聚甲基氢硅氧烷、聚乙基氢硅氧烷、氢化物封端的聚苯基-(二甲基氢甲硅烷氧基)硅氧烷、氢化物封端的甲基氢硅氧烷-苯基甲基硅氧烷共聚物、甲基氢硅氧烷-辛基甲基硅氧烷共聚物，和氢化物Q树脂。 如果需要，在本专利技术的聚合物组合物中，除了聚芴和氢硅氧烷外还可以使用乙烯基硅氧烷。本专利技术的聚合物组合物中可用的示例性乙烯基硅氧烷包括乙烯基封端的聚二甲基硅氧烷、乙烯基封端的二苯基硅氧烷-二甲基硅氧烷、乙烯基封端的聚苯基甲基硅氧烷、乙烯基封端的三氟丙基甲基硅氧烷-二甲基硅氧烷、乙烯基封端的二乙基硅氧烷-二甲基硅氧烷、三甲氧基甲硅烷氧基封端的乙烯基甲基硅氧烷-二甲基硅氧烷共聚物、乙烯基封端的乙烯基甲基硅氧烷-二甲基硅氧烷共聚物、乙烯基Q树脂和乙烯基T-结构聚合物。 氢硅氧烷和乙烯基硅氧烷的分子量不关键，且通常为大约200至大约200,000道尔顿。所用硅氧烷的总量为聚芴的大约1-50重量％，并取决于氢硅氧烷中氢化物的摩尔％、聚合物中衍生自不饱和单体的结构单元的摩尔％、组合物中聚合物的量，并且在使用乙烯基硅氧烷的情况下，取决于乙烯基硅氧烷中乙烯基的摩尔％和组合物中乙烯基硅氧烷的量。该化学计算量为小于大约1摩尔氢化物比大约1摩尔总不饱和度，即包括聚合物中和任何乙烯基硅氧烷中的不饱和度，至大约4.5摩尔氢化物比大约1摩尔不饱和度，特别是大约1.3摩尔氢化物比大约1摩尔不饱和。氢硅烷化反应的催化剂包括铂络合物。 又一方面，本专利技术涉及包含本专利技术的聚合物组合物作为有机场致发光层的至少一部分的光电子器件。 以有机发光器件为例的光电子器件通常包含多层，其在最简单的情况下包括阳极层和相应的阴极层以及位于所述阳极和所述阴极之间的有机场致发光层。当跨过电极施加偏压本文档来自技高网...

【技术保护点】
下式的化合物　＊＊＊　其中　Ｒ↑［１ａ］和Ｒ↑［２ａ］独立地为Ｃ↓［１０－２０］链烯基、Ｃ↓［３－２０］炔基、Ｃ↓［３－２０］取代链烯基、Ｃ↓［３－２０］取代炔基或其组合；且　Ｘ↑［１］和Ｘ↑［２］独立地为卤素、磺酸 酯、硼酸或硼酸酯。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：LN路易斯，JA塞拉，
申请(专利权)人：通用电气公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]