【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于MnAs纳米线技术，特别是。
技术介绍
作为晶体外延生长的典型示例，MnAs/GaAs异质结构一直是薄膜晶体生长领域的 研究重点，在自旋注入器件、自旋阀、磁隧道结等自旋电子学领域具有潜在的应用前景。MnAs/GaAs异质结构一般由分子束外延技术(MBE)及设备生长得到。MBE是一种应 用于晶体薄膜生长和薄膜器件制备的技术。通过MBE设备，不仅可以调整晶体生长的成分、 温度、时间等参数，而且通过设计、选择异质结构中的衬底、缓冲层等，可以调控晶体生长的 取向、晶格匹配度、应力等，从而得到不同类型、不同性能的晶体。M. Tanaka 的研究 Bemicond. Sci. Technol. 17(2002)327]指出，在 GaAs (001)单晶 衬底表面，当衬底温度不高于250°C时，MnAs能够形成外延二维薄膜，并且具有两种可能的 外延晶向对应关系。无论何种晶向对应关系，MnAs的晶体结构通常都为六角密堆结构，其 铁磁居里温度在310 320K之间，在该温度区间，可以观察到MnAs由铁磁态(α -MnAs)向 顺磁态(β-MnAs)的转变。在异质外...
【技术保护点】
一种ＭｎＡｓ纳米线，其特征在于９０％以上的纳米线沿［１１０］ＧａＡｓ晶向排列，晶向对应关系满足［＊１０１］ＭｎＡｓ‖［００１］ＧａＡｓ，［１＊０２］ＭｎＡｓ‖［１１０］ＧａＡｓ，且［＊＊２０］ＭｎＡｓ‖［＊１０］ＧａＡｓ，其外延生长于ＧａＡｓ（００１）单晶衬底上，横躺与ＧａＡｓ（００１）单晶表面，具有六角密堆晶体结构。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：徐锋，陈光，杜宇雷，李永胜，
申请(专利权)人：无锡南理工科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：32[]
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