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本发明公开了一种ＭｎＡｓ纳米线及其制备方法，９０％以上的纳米线沿［１１０］ＧａＡｓ晶向排列，晶向对应关系满足且其外延生长于ＧａＡｓ（００１）单晶衬底上，横躺与ＧａＡｓ（００１）单晶表面，具有六角密堆晶体结构。本发明的利用分子束外延技术与设备...
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