【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种高致密氧化镁陶瓷制备方法,属于结构陶瓷应用
技术介绍
高纯、高致密氧化镁在高温下具有优良的耐酸碱性和电绝缘性,光透过性好,导热 性高。在氧化气氛或氮气保护下可稳定工作到M00°c,Fe、Zn、Pb、Cu、Mn等金属对它不起 还原作用。MgO陶瓷可用作冶炼金属的坩埚,在原子能工业中也适于冶炼高纯度的铀和钍; 还可用作热电偶保护套管。利用它能使电磁波通过的性质,作雷达罩及红外辐射的透射窗 口材料等。目前,国内市场的氧化镁陶瓷制品很多,但多为纯度和致密度低的产品,其产品附 加值也低。成型工艺主要有注浆成型、热压铸成型以及等静压成型。以氧化镁陶瓷坩埚为 例,目前大多采用电熔镁砂为原料,采用注浆成型工艺进行坩埚生产,产品的纯度和致密度 都比较低,不能满足冶炼高纯有色金属、高温合金及放射性合金的要求;采用等静压成型的 产品质量高,烧成收缩小,坯体致密,不易变形,但效率较低;热压铸方法成型操作方便,尺 寸精度高,生产效率高,但排蜡工期长,成品率也低。
技术实现思路
本专利技术针对以上技术的不足,提出了一种制备高致密氧化镁结构陶瓷的方法。本 方法适用于 ...
【技术保护点】
一种高致密氧化镁陶瓷的制备方法,其特征在于,它是通过下述工艺步骤实现的:第一步,对高纯氧化镁粉体进行预烧处理;所述预烧处理的温度为:1200℃-1600℃,预烧处理的时间为10-120min;第二步,配制凝胶注模用单体溶液,以丙烯酰胺为单体,以N,N’-亚甲基双丙烯酰胺为交联剂,以聚丙烯酰胺或柠檬酸铵作为分散剂,以去离子水为分散介质,混合成为单体溶液;所述单体溶液,其各成分的质量百分比为:单体5%-15%,交联剂0.25%-1.5%,分散剂0.4%-4%,分散介质79.5%-94.35%;第三步,将高纯度氧化镁陶瓷粉体加到第一步中得到的单体溶液中,通过球磨将各成分混合均匀, ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:骆兵,韩绍娟,许壮志,薛健,张明,吴学坤,
申请(专利权)人:沈阳临德陶瓷研发有限公司,
类型:发明
国别省市:89[中国|沈阳]
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