【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及陶瓷材料合成
,具体地说是一种In203/Sn02多孔道结构气敏 材料的制备方法。
技术介绍
随着科学技术的发展,对可燃性气体及毒性气体的检测、监控、报警的要求越来越 高,这就对检测所依赖气敏材料提出了更高的要求;因此,提高气敏材料的灵敏度、选择性 及长期稳定性以及降低工作温度、缩短响应恢复时间等成为气敏材料发展的重要方向。目前研究者普遍认为改善气敏材料综合性能的方法主要有掺杂金属离子(包括 贵金属或稀土元素)或金属氧化物、增大气敏材料比表面积、加强气敏机理的研究等。 多孔道结构金属氧化物气敏材料正是利用多孔结构比表面积大,介孔(几个纳米 到几十个纳米)结构对气体的吸附性强,增加了化学反应的活性点这一材料微观结构特性 提出的,这种结构的金属氧化物气敏材料的气体敏感性远优于常规金属氧化物复合材料。 虽然多孔道微观结构对提高气敏材料气体敏感性起到了重要作用,但同一种金属氧化物在 特定温度条件下不仅仅对一种气体敏感,可能对几种气体都敏感,导致人们对气体种类检 测的困难,需要对气敏材料的选择性进一步提高,以实现所制备的传感器在使用过程中仅 对所检测的气体敏感;这一目标的实现,仅靠一种金属氧化物材料很困难,因此,气敏材料 研究工作者提出了采用复合金属氧化物来提高气敏材料的选择性。正是基于多孔结构金属 氧化物对气体的敏感性,以及复合金属氧化物对气体的选择性和敏感性都有所提高的基础 上,开发孔道结构复合金属氧化物气敏材料,对提高金属氧化物气敏材料的气敏效应具有 重要意义。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对气敏材料的发展趋势,结合多孔道结构和复相金属 ...
【技术保护点】
一种In↓[2]O↓[3]/SnO↓[2]多孔道结构气敏材料的制备方法,其特征在于:将市售In↓[2]O↓[3]和SnO↓[2]粉按4∶1或7∶3或3∶2的比例在钢模中压制成素坯,然后将素坯装入氧气氛烧结炉中进行固相烧结,获得多孔道结构In↓[2]O↓[3]/SnO↓[2]气敏材料;原位烧结生长氧气氛烧结条件:升温速率50-500℃/h;保温分为两段,第一段温度范围600-700℃,第二段温度范围1250-1450℃;保温时间1-5小时;氧气流量3-8L/min。
【技术特征摘要】
一种In2O3/SnO2多孔道结构气敏材料的制备方法,其特征在于将市售In2O3和SnO2粉按4∶1或7∶3或3∶2的比例在钢模中压制成素坯,然后将素坯装入氧气氛烧结炉中进行固相烧结,获得多孔道结构In2O3/SnO2气敏材料;原位烧结生长氧气氛烧结条件升温速率50 500℃/h;保温分为两段,第一段温度范围600 700℃,第二段温度范围1250 1450℃;保温时间1 5小时;氧气流量3 8L/min。2.根据权利要求1所述的I...
【专利技术属性】
技术研发人员:周晓龙,曹建春,陈敬超,阮进,于杰,杜焰,沈黎,吴大平,熊大民,
申请(专利权)人:昆明理工大学,
类型:发明
国别省市:53[中国|云南]
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