微电阻结构及其制造方法技术

技术编号:12991918 阅读:129 留言:0更新日期:2016-03-10 02:24
本发明专利技术提供一种微电阻结构、其制造方法及其半成品,所述微电阻结构包含一复合式金属基板结构、一图案化电极层设置于复合式金属基板结构的下表面;一封胶层覆盖部分复合式金属基板结构,其中封胶层实质上由软性树脂油墨所组成;以及电性隔绝的两外电极分别包覆暴露出的复合式金属基板结构。本发明专利技术的微电阻结构、其制造方法及其半成品,因微电阻结构具有高弯折特性可应用于穿戴式电子装置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关一种芯片电阻元件,特别是有关一种微电阻结构、其制造方法及其半成品。
技术介绍
随着科技不断的进步,软性显示装置与穿戴式电子装置近年来也逐渐兴起,电子零件轻、薄、短、小也成为最基本的设计要求,而软性元件可承受的弯折能力较佳,亦可应用于软性显示装置的弯折特性,或配合穿戴式电子装置因设计需求不同的使用。传统芯片电阻器1(请参阅图1),其主要结构包含绝缘性氧化铝陶瓷材料11、正面导电体12、背面导电体13、电阻体14、玻璃保护体15、树脂保护体16、侧电极薄膜17、金属镍18与金属锡19。传统芯片电阻器1的本体为一种绝缘性氧化铝陶瓷材料11,其为一种质地硬且脆的材质,可承受的弯折性测试极限通常为3mm以内,故当芯片电阻器元件组装于电路板中时,如经由较高程度的弯折测试,往往会导致芯片电阻器断裂,造成电路板系统失效。
技术实现思路
本专利技术提供一种微电阻结构、其制造方法及其半成品,以解决现有技术中的一项或多项缺失。本专利技术一实施例的微电阻结构的制造方法,包含以下步骤:提供一复合式金属板材,其包含:一合金层;一胶层设置于合金层的一上表面;以及一金属层设置于胶层上。形成一图案化电极层阵列设置于合金层的一下表面。移除部分复合式金属板材,以形成部分分离的多个微电阻单元,其中每一微电阻单元中,图案化电极层定义为相互分离的一第一电极区与一第二电极区,且金属层包含一第一金属部及一第二金属部。形成一上封胶层覆盖于部分第一金属部与部分二金属部;及形成一下封胶层覆盖部分合金层,其中上封胶层及下封胶层至少其中的一实质上由软性树脂油墨所组成。进行一冲压步骤,形成多个分离的微电阻结构;以及进行一电镀步骤,于微电阻结构上形成电性隔绝的两外电极。本专利技术又一实施例的微电阻结构半成品包含一复合式金属板材与一图案化金属层。复合式金属板材包含:一合金层;一胶层;及一金属层,其中胶层设置于合金层的一上表面,金属层设置于胶层上。而图案化电极层阵列设置于合金层的一下表面。本专利技术再一实施例的微电阻结构包含:一复合式金属基板结构、一图案化电极层、一上封胶层及一下封胶层、两电性隔绝外电极。其中复合式金属基板结构包含:一合金层、一胶层及一金属层,其中胶层设置于合金层的一上表面,金属层设置于胶层上,且金属层包含第一金属部及第二金属部。而图案化电极层设置于合金层的下表面,其中图案化电极层定义为相互分离的第一电极区与第二电极区。上封胶层覆盖于部分第一金属部与部分二金属部,且下封胶层覆盖部分合金层并曝露出第一电极区及第二电极区,其中上封胶层及下封胶层至少其中之一实质上由软性树脂油墨所组成。电性隔绝的两外电极分别包覆暴露出的第一金属部及第一电极区;及第二金属部及第二电极区。本专利技术的微电阻结构、其制造方法及其半成品,利用软性树脂油墨形成封胶层保护电阻结构,有效提高微电阻的弯折力。再者,利用先形成内电极再形成合金层及金属层上的图案,有效提高制造工艺效率。通过使用特殊油墨增加微电阻结构的弹性,以提升微电阻结构的弯折力。此外,利用先形成内电极再形成合金层及金属层上的图案,可避免先蚀刻再电镀时电阻体上产生导体并联问题,故可有效提高制造工艺效率。更者,合金层与金属层上的图案可同时制作,以有效降低成本。再者,由于金属层宽度的大小影响电阻散热的效果,故使合金层与金属层宽度相同,可提高电阻使用功率。附图说明图1为现有技术的一种芯片电阻器的剖面示意图。图2A、图2B、图2C为本专利技术不同实施例的具有高弯折力的微电阻结构的剖面示意图。图2D为本专利技术一实施例的具有高弯折力的微电阻结构的合金层结构的仰视示意图。图3为本专利技术一实施例的具有高弯折力的微电阻结构的制造方法的流程图。图4A、图4B-1、图4B-2、图4C-1、图4C-2、图4D-1、图4D-2、图4E为本发明一实施例的具有高弯折力的微电阻结构的步骤(各阶段半成品结构示意图)。符号说明:1芯片电阻器11绝缘性氧化铝陶瓷材料12正面导电体13背面导电体14电阻体15玻璃保护体16树脂保护体17侧电极薄膜18金属镍19金属锡2微电阻结构20复合式金属板材202合金层2022上表面2024下表面2026缺口204胶层206金属层206a第一金属部206b第二金属部2062,2064次金属层30图案化电极层30a第一电极区30b第二电极区40上封胶层42下封胶层50,52外电极60第一镂空部62第二镂空部R微电阻单元具体实施方式以下藉由具体实施例配合所附的图式详加说明,当更容易了解本专利技术的目的、
技术实现思路
、特点及其所达成的功效。本专利技术主要提供一种具有高弯折力的微电阻结构、其制造方法及其半成品,具有高弯折力的微电阻结构包含一复合式金属基板结构、一图案化电极层、一上封胶层及一下封胶层及两电性隔绝外电极,其中上、下封胶层至少其中之一实质上由软性树脂油墨所组成。利用软性树脂油墨形成封胶层保护电阻结构,可有效提高微电阻的弯折力。再者,藉由先形成内电极再形成合金层及金属层上的图案,可有效提高制造工艺效率。而本专利技术所指的微电阻结构,其尺寸包含但不限于2512尺寸,0.25英寸x0.12英寸(6.3mmx3.1mm)。以下将详述本案的各实施例,并配合图式作为例示。除了这些详细描述之外,本专利技术还可以广泛地施行在其他的实施例中,任何所述实施例的轻易替代、修改、等效变化都包含在本案的范围内,并以所附的权利要求为准。在说明书的描述中,为了使读者对本专利技术有较完整的了解,提供了许多特定细节;然而,本专利技术可能在省略部分或全部这些特定细节的前提下,仍可实施。此外,众所周知的步骤或元件并未描述于细节中,以避免造成本专利技术不必要的限制。图式中相同或类似的元件将以相同或类似符号来表示。特别注意的是,图式仅为示意之用,并非代表元件实际的尺寸或数量,不相关的细节未完全绘出,以求图式的简洁。请先参考图2A,图2A为本专利技术一实施例的具有高弯折力的微电阻结构的剖面示意图。如图所示,本专利技术一实施例的具有高弯折力的微电阻结构2包含一复合式金属基板结构20、一图案化电极层30、一上封胶层40及一下封胶层42、两电性隔绝外电极50、52。其中复合式金属基板结构20包含一合金层202、一胶层204及一金属层206,其中胶层204设置于合金层202的一上表本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种微电阻结构的制造方法,其特征在于,包含以下步骤:提供一复合式金属板材,所述复合式金属板材包含:一合金层;一胶层设置于所述合金层的一上表面;以及一金属层设置于所述胶层上;形成一图案化电极层阵列设置于所述合金层的一下表面;移除部分所述复合式金属板材,以形成部分分离的多个微电阻单元,其中每一所述微电阻单元中,所述图案化电极层定义为相互分离的一第一电极区与一第二电极区,且所述金属层包含一第一金属部及一第二金属部;形成一上封胶层覆盖于部分所述第一金属部与部分所述二金属部;及形成一下封胶层覆盖部分所述合金层,其中所述上封胶层及所述下封胶层至少其中之一实质上由一软性树脂油墨所组成;进行一冲压步骤,形成多个分离的微电阻结构;以及进行一电镀步骤,于所述微电阻结构上形成电性隔绝的两外电极。

【技术特征摘要】
2014.09.03 TW 1031304501.一种微电阻结构的制造方法,其特征在于,包含以下步骤:
提供一复合式金属板材,所述复合式金属板材包含:一合金层;一胶层设置于所
述合金层的一上表面;以及一金属层设置于所述胶层上;
形成一图案化电极层阵列设置于所述合金层的一下表面;
移除部分所述复合式金属板材,以形成部分分离的多个微电阻单元,其中每一所
述微电阻单元中,所述图案化电极层定义为相互分离的一第一电极区与一第二电极
区,且所述金属层包含一第一金属部及一第二金属部;
形成一上封胶层覆盖于部分所述第一金属部与部分所述二金属部;及形成一下封
胶层覆盖部分所述合金层,其中所述上封胶层及所述下封胶层至少其中之一实质上由
一软性树脂油墨所组成;
进行一冲压步骤,形成多个分离的微电阻结构;以及
进行一电镀步骤,于所述微电阻结构上形成电性隔绝的两外电极。
2.如权利要求1所述的微电阻结构的制造方法,其特征在于,所述软性树脂油
墨为硅树脂油墨、环氧树脂油墨或其二者的混和油墨。
3.如权利要求1所述的微电阻结构的制造方法,其特征在于,于形成所述上封
胶层、所述下封胶体之前还包含调整所述微电阻结构的一电阻值,其中调整所述微电
阻结构的所述电阻值的方式包含磨削、激光照射及蚀刻。
4.如权利要求1所述的微电阻结构的制造方法,其特征在于,移除部分所述复
合式金属板材的步骤中,是移除部分所述合金层以形成部分分离的多个微电阻单元,
移除部分所述金属层以于每一所述微电阻单元中形成所述第一金属部及所述第二金
属部。
5.如权利要求4所述的微电阻结构的制造方法,其特征在于,是以金属蚀刻方
式同时移除部分所述金属层与部分所述合金层。
6.如权利要求4所述的微电阻结构的制造方法,其特征在于,移除部分所述合
金层时,还包含于每一所述微电阻单元中形成至少一缺口,所述缺口是自所述合金层
边缘朝所述合金层中心断开,且所述些缺口是左右交错平行设置。
7.如权利要求1所述的微电阻结构的制造方法,其特征在于,单一所述微电阻

\t结构的弯折深度的范围达2mm至10mm之间,且所述弯折深度为由所述微电阻结构
的中心为基准,自其两侧向下弯折的深度。
8.如权利要求1所述的微电阻结构的制造方法,其特征在于,所述复合式金属
板材是利用热压合技术粘贴设置为一体。
9.如权利要求1所述的微电阻结构的制造方法,其特征在于,所述图案化电极
层是利用电镀方式阵列设置于所述合金层的所述下表面。
10.如权利要求1所述的微电阻结构的制造方法,其特征在于,是利用网版印刷
方式将所述上封胶层与所述下封胶层形成于所述微电阻结构上。

【专利技术属性】
技术研发人员:卢契佑邵建民于建中曾冠闵
申请(专利权)人:光颉科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾;71

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