芯片电阻组件制造技术

本实用新型专利技术提供一种芯片电阻组件，在电极周围设置封闭的保护层，使水气或硫气渗入并与电极接触的路径增加，延缓水气或硫气与电极接触反应，延长芯片电阻组件的使用寿命。延长芯片电阻组件的使用寿命。延长芯片电阻组件的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
芯片电阻组件


[0001]本技术是关于一种芯片电阻组件，特别是有关一种在电极周围设置保护层结构以减缓水气或硫气腐蚀的芯片电阻组件。

技术介绍

[0002]一般芯片电阻组件在银电极11上覆盖一导体层13，用以保护银电极11。然而，水气或硫气等容易从导体层13与基板10间的间隙侵入，如图1的硫/水气路径14所示，与银电极11反应，形成绝缘的硫化银(Ag2S)，电阻值可能增加或失效。

技术实现思路

[0003]对于一般芯片电阻组件仅在银电极11上覆盖一导体层13，用以保护银电极11。然而，水气或硫气等容易从导体层13与基板10间的间隙侵入，与银电极11反应形成绝缘的硫化银(Ag2S)，电阻值可能增加或失效。
[0004]本技术提供一种芯片电阻组件，在电极周围设置保护层，再将导电层覆盖于保护层和电极上，延长水气或硫气接触电极的入侵路径，而可避免或减缓腐蚀的情况，延长芯片电阻组件的使用寿命。
[0005]本技术提供一种芯片电阻组件，其特征在于，包含：一基板；一电阻层，设置于所述基板的上表面；一电极层，设置所述基板的两端，连接电阻层，形成二电极；一保护层，以一间距设置于所述电极层的周围；以及一导体层，实质覆盖于所述保护层及所述电极层上。
[0006]本技术的有益效果
[0007]利用保护层围绕电极周围，其保护层的结构可阻断或延缓硫气或水气从导体层与基板间的间隙与电极接触，而得以延长芯片电阻组件的寿命。
附图说明
[0008]图1为已知的芯片电阻组件侧剖视图。
[0009]图2为本技术的芯片电阻组件立体示意图。
[0010]图3为图2的A-A
’
切线剖视图。
[0011]图4为图3的另一实施例剖视图。
[0012]图5为图3的又另一实施例剖视图。
[0013]图6为本技术的另一实施例芯片电阻组件立体示意图。
[0014]附图标号：
[0015]10基板
[0016]11电极
[0017]12保护层
[0018]13导体层
[0019]14硫/水气路径
[0020]15电阻层
[0021]H间距
[0022]A-A
’
截面切线
具体实施方式
[0023]以下将详述本技术的各实施例，并配合图式作为例示，使读者对本技术有较完整的了解。这些详细说明可广泛地施行于其它的实施例中，任何所述实施例的轻易替代、修改、等效变化皆应包含在本技术的范围，本技术范围应以权利要求界定。特别注意的是，图式仅为示意之用，并非代表组件实际的尺寸或数量，有些细节可能未完全绘出，以求图式的简洁。
[0024]请参考图2及图6，为本技术两个实施例的芯片电阻组件立体示意图。此两实施例中，芯片电阻组件的电极11部分周围或周围设有保护层12。本技术芯片电阻组件的基板10两端设有电极11，基板10上电极11部分周围或周围设有保护层12。
[0025]接着参考图3，为图2实施例的A-A
’
切线剖视图。在此实施例中，二电极11周围以一定的间距H设有保护层12，保护层12、二电极11以及部分电阻层上再覆盖导体层13。
[0026]其中，图中所绘出的硫/水气路径14相较于传统的芯片电阻组件较长，因此水气或硫气可被延缓与电极11接触。可理解的，保护层12可以是多个独立条状或锯齿状的结构，且呈由电极11为中心往外排列，进一步增加硫/水气路径14，如图4所示，视实际需求调整。在其他实施例中，电极11可延伸至基板10下表面，同时，保护层12亦随电极11沿伸至基板10下表面，如图5所示。
[0027]本技术利用保护层围绕电极周围，其保护层的结构可阻断或延缓硫气或水气从导体层与基板间的间隙与电极接触，而得以延长芯片电阻组件的寿命。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片电阻组件，其特征在于，包含：一基板；一电阻层，设置于所述基板的上表面；一电极层，设置所述基板的两端，连接电阻层，形成二电极；一保护层，以一间距设置于所述电极层的周围；以及一导体层，实质覆盖于所述保护层及所述电极层上。2...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭明杰，蔡宗祐，卢契佑，
申请(专利权)人：光颉科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：