【技术实现步骤摘要】
薄膜电阻元件
本专利技术是关于一种薄膜电阻元件,特别有关一种耐高温的薄膜电阻元件。
技术介绍
一般薄膜电阻元件在高温下使用时,或因长时间使用产生的高温作用下,会造成电阻元件中的电阻层氧化使得电阻失效。考虑到现今电子设备多维持在运转状态,长时间的运作而不断产生的高温容易导致电阻元件损坏,除散热元件的使用外,对于耐高温的电阻元件本身亦同样有需求,本专利技术提出具耐高温结构的电阻元件的解决方案。
技术实现思路
为了达到上述专利技术目的,本专利技术提供一种薄膜电阻元件,在高温下使用时,仍能维持电阻的功能。一种薄膜电阻元件,将氮化钽(TaN)层设置于基板的上表面上,五氧化二钽(Ta2O5)层实质覆盖于该氮化钽层上,以及二电极层分开地设置于氮化钽层与五氧化二钽层的两端或五氧化二钽层上,与氮化钽层及五氧化二钽层导通。以下通过具体实施例配合所附的图式详加说明,当更容易了解本专利技术的目的、
技术实现思路
、特点及其所达成的功效。附图说明图1为本专利技术一实施例薄膜电阻元件的侧剖面示意图。图2为本专利技术另一实施例薄膜电阻元件的侧剖面示意图。图3为本专利技术又另一实施例薄膜电阻元件的侧剖面示意图。符号说明:10薄膜电阻元件11基板12电极层13氮化钽层14五氧化二钽层15保护层具体实施方式以下将详述本专利技术的各实施例,并配合图式作为例示。除了这些详细说明之外,本专利技术亦可广泛地 ...
【技术保护点】
1.一种薄膜电阻元件,其特征在于,包含:/n一基板;/n一氮化钽层设置于所述基板的上表面上;/n一五氧化二钽层实质覆盖于所述氮化钽层上;以及/n二电极层分开地连接于所述氮化钽层与所述五氧化二钽层的两端,与所述氮化钽层及所述五氧化二钽层导通。/n
【技术特征摘要】
20191218 TW 1081464451.一种薄膜电阻元件,其特征在于,包含:
一基板;
一氮化钽层设置于所述基板的上表面上;
一五氧化二钽层实质覆盖于所述氮化钽层上;以及
二电极层分开地连接于所述氮化钽层与所述五氧化二钽层的两端,与所述氮化钽层及所述五氧化二钽层导通。
2.根据权利要求1所述的薄膜电阻元件,其特征在于,还包含一保护层设置于所述五氧化二钽层上,以及所述二电极层从所述保护层露出。
...
【专利技术属性】
技术研发人员:邱正中,卢契佑,
申请(专利权)人:光颉科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾;71
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