一种大规格的陶瓷基板制造技术

本发明专利技术公开了一种大规格的陶瓷基板。这种大规格的陶瓷基板包括陶瓷基板本体；成片区，所述成片区设置在所述陶瓷基板本体的表面；白边，所述白边设置在所述成片区的四周；所述成片区设有若干形成在陶瓷基板本体表面的一次凹痕和二次凹痕；所述一次凹痕与所述二次凹痕垂直相交；所述一次凹痕的深度大于所述二次凹痕的深度；所述陶瓷基板的外尺寸如下：长度≥89.60mm，宽度≥79.60mm，厚度≥0.43mm。本发明专利技术通过增大陶瓷基板的长宽尺寸，极大地增加了基片的生产效率，并且能够有效控制翘曲的发生，有利于大规模地自动化生产，降低材料、人工及时间成本。

【技术实现步骤摘要】
一种大规格的陶瓷基板
本专利技术涉及陶瓷基板
，特别涉及一种大规格的陶瓷基板。
技术介绍
贴片电阻(SMDResistor)是指将包含金属粉和玻璃釉粉混合物的电子浆料印刷在陶瓷基板上制成的电阻器，其具有：组装密集度高、产品体积小；电焊连接点稳定，可适应再流焊和波峰焊；可靠性高、电频特性好，电磁和射频干扰小；易于实现自动化生产等优点。贴片电阻因其具有以上优异的性能被广泛应用于高端计算机、工业设备、自动控制设备、医疗设备、高科技多媒体电子设备等领域。近年来随着经济的快速增长，国内外片阻市场年需求量也逐年递增，大规模的市场需求，对产品的生产效率提出了更高的要求。现有生产贴片电阻的基板应用最多的是中基板，其尺寸为L中＝70±0.30mm、W中＝60±0.30mm，这样的一块中基板可切割为0805型1598粒，或1206型798粒。在大规格集成电路中大量电路元件被需求的情况下，现有中基板的生产效率是无法满足当下日益增加的市场需求的。因此，有必要进行大规格陶瓷基板的开发以解决当下贴片电阻生产效率低的问题，但是陶瓷基板规格变大会产生翘曲，流延干燥不完全和外观不合格等问题。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中大规格陶瓷基板存在的上述技术问题之一。为此，本专利技术的目的之一在于提供一种大规格的陶瓷基板；本专利技术的目的之二在于提供这种大规格的陶瓷基板的制备方法；本专利技术的目的之三在于提供这种大规格的陶瓷基板的应用。本专利技术提供的陶瓷基板可以减少翘曲，解决了目前将陶瓷基板应用于贴片电阻中存在生产效率低的问题。在本专利技术的描述中，若干的含义是一个或者多个，多个的含义是两个以上。为了实现上述目的，本专利技术所采取的技术方案是：本专利技术的第一方面提供了一种大规格的陶瓷基板，包括陶瓷基板本体；成片区，所述成片区设置在所述陶瓷基板本体的表面；白边，所述白边设置在所述成片区的四周；所述成片区设有若干形成在陶瓷基板本体表面的一次凹痕和二次凹痕；所述一次凹痕与所述二次凹痕垂直相交；所述一次凹痕的深度大于所述二次凹痕的深度；所述陶瓷基板的外尺寸如下：长度≥89.60mm，宽度≥79.60mm，厚度≥0.43mm。具体来说，所述一次凹痕为先形成于所述陶瓷基板本体表面的凹痕，所述二次凹痕为后形成于所述陶瓷基板本体表面的凹痕。根据本专利技术提供的大规格陶瓷基板，通过一次凹痕和二次凹痕深度的控制，可以控制陶瓷基板在烧结时的收缩率不会过大，从而控制翘曲的发生。在本专利技术所述大规格陶瓷基板的一些优选的实施方式中，所述一次凹痕的深度为0.16mm～0.28mm；所述二次凹痕的深度为0.07mm～0.19mm。在本专利技术所述大规格陶瓷基板的一些优选的实施方式中，所述一次凹痕为纵向凹痕，所述二次凹痕为横向凹痕。在本专利技术所述大规格陶瓷基板的一些优选的实施方式中，所述横向凹痕未贯穿所述陶瓷基板本体，在陶瓷基板本体左右两侧留有一次白边；所述纵向凹痕贯穿所述陶瓷基板本体，在陶瓷基板本体上下两侧留有二次白边。在本专利技术所述大规格陶瓷基板的一些优选的实施方式中，所述陶瓷基板的外尺寸如下：长度为89.60mm～95.40mm，宽度为79.60mm～85.40mm，厚度为0.43mm～0.51mm。在本专利技术所述大规格陶瓷基板的一些优选的实施方式中，所述纵向凹痕的长度为79.60mm～85.40mm，所述横向凹痕的长度为85.98mm～91.74mm；所述横向凹痕超出所述成片区边界长度0.30mm～0.70mm，在成片区的左右两侧留有一次白边。在本专利技术所述大规格陶瓷基板的一些优选的实施方式中，陶瓷基板的左右两侧留有等距的一次白边，二次凹痕(横向凹痕)未完全贯穿，长度为2.32mm～3.71mm。在本专利技术所述大规格陶瓷基板的一些优选的实施方式中，陶瓷基板的上下两侧留有等距的二次白边，并有一次凹痕(纵向凹痕)贯穿，长度为1.885mm～2.270mm。在本专利技术所述大规格陶瓷基板的一些优选的实施方式中，所述一次白边设有若干辨识圆弧。如此，可以用于产品生产过程中辨识方向及同规格产品正背面的辨识。在本专利技术的一些具体实施方式中，所述一次白边的左侧或者右侧设有若干辨识圆弧。在本专利技术所述大规格陶瓷基板的一些优选的实施方式中，在一次白边的右侧设有1～2个辨识圆弧。在本专利技术所述大规格陶瓷基板的一些优选的实施方式中，辨识圆弧的半径R辨识＝0.50mm～1.50mm，辨识圆弧的圆心偏离陶瓷基板本体边界长度L弦＝0.10mm～0.40mm。在本专利技术所述大规格陶瓷基板的一些优选的实施方式中，所述陶瓷基板本体呈矩形，陶瓷基板本体的任意三个拐角处设有倒角，余下一个拐角处设有辨识角。如此，通过设置倒角，可以防止产品在制造过程中因为应力集中而撞坏受损，同时也起到保护操作者的作用。辨识角可以进一步用于产品生产过程中辨识方向及同规格产品正背面的辨识。在本专利技术所述大规格陶瓷基板的一些优选的实施方式中，在陶瓷基板的右下处设有辨识角。在本专利技术所述大规格陶瓷基板的一些优选的实施方式中，辨识角的尺寸C辨识角＝0.5mm～1.5mm。这里说明的是，以陶瓷基板辨识角处为斜边，作等腰直角三角形，C即为直角边长。在本专利技术所述大规格陶瓷基板的一些优选的实施方式中，在陶瓷基板的左上、右上、左下处设有倒角。在本专利技术所述大规格陶瓷基板的一些优选的实施方式中，辨识角的C辨识角>倒角的C倒角。在本专利技术所述大规格陶瓷基板的一些优选的实施方式中，倒角为45°倒角。在本专利技术所述大规格陶瓷基板的一些优选的实施方式中，倒角的尺寸均为C倒角＝0.2mm～1.0mm。在本专利技术所述大规格陶瓷基板的一些优选的实施方式中，倒角通过模具冲压形成。在本专利技术所述大规格陶瓷基板的一些优选的实施方式中，成片区设有45～47条纵向凹痕，每对纵向凹痕的区域通过64～68条横向凹痕。如此规格的大规格陶瓷基板可适用于0805型贴片电阻。在本专利技术所述大规格陶瓷基板的一些优选的实施方式中，成片区设有29～30条纵向凹痕，纵向凹痕贯穿整个成片区域，每对纵向凹痕的区域通过52～55条横向凹痕。如此规格的大规格陶瓷基板可适用于1206型贴片电阻。在本专利技术所述大规格陶瓷基板的一些优选的实施方式中，所述大规格陶瓷基板包括如下制备组分：氧化铝粉、助熔剂、添加剂和溶剂；所述添加剂包括粘结剂和增塑剂；所述粘结剂的质量为所述氧化铝粉与所述助熔剂质量之和的5％～8％。目前，浆料中粘结剂的添加量通常含量为9～14wt％，而本专利技术通过降低粘结剂的添加量，可以加速加工成型(如流延干燥)和横截面微粒均匀分布，改善翘曲。在本专利技术所述大规格陶瓷基板的制备组分中，氧化铝粉和助熔剂为固相组分。在本专利技术所述大规格陶瓷基板的一些优选的实施方式中，氧化铝粉的质量百分比为95％～98％，助熔剂的质量百分比为2％～5％。在本专利技术所述大规格陶瓷基板的一些优选的实施方式中，助熔剂包括SiO2、MgO本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种大规格的陶瓷基板，其特征在于：/n包括陶瓷基板本体；/n成片区，所述成片区设置在所述陶瓷基板本体的表面；/n白边，所述白边设置在所述成片区的四周；/n所述成片区设有若干形成在陶瓷基板本体表面的一次凹痕和二次凹痕；所述一次凹痕与所述二次凹痕垂直相交；所述一次凹痕的深度大于所述二次凹痕的深度；/n所述陶瓷基板的外尺寸如下：长度≥89.60mm，宽度≥79.60mm，厚度≥0.43mm。/n

【技术特征摘要】
1.一种大规格的陶瓷基板，其特征在于：
包括陶瓷基板本体；
成片区，所述成片区设置在所述陶瓷基板本体的表面；
白边，所述白边设置在所述成片区的四周；
所述成片区设有若干形成在陶瓷基板本体表面的一次凹痕和二次凹痕；所述一次凹痕与所述二次凹痕垂直相交；所述一次凹痕的深度大于所述二次凹痕的深度；
所述陶瓷基板的外尺寸如下：长度≥89.60mm，宽度≥79.60mm，厚度≥0.43mm。


2.根据权利要求1所述的陶瓷基板，其特征在于：所述一次凹痕的深度为0.16mm～0.28mm；所述二次凹痕的深度为0.07mm～0.19mm。


3.根据权利要求1所述的陶瓷基板，其特征在于：所述一次凹痕为纵向凹痕，所述二次凹痕为横向凹痕；所述横向凹痕未贯穿所述陶瓷基板本体，在陶瓷基板本体左右两侧留有一次白边；所述纵向凹痕贯穿所述陶瓷基板本体，在陶瓷基板本体上下两侧留有二次白边。


4.根据权利要求3所述的陶瓷基板，其特征在于：所述陶瓷基板的外尺寸如下：长度为89.60mm～95.40mm，宽度为79.60mm～85.40mm，厚度为0.43mm～0.51mm；所述纵向凹痕的长度为79.60mm～85.40mm，所述横向凹痕的长度为85.98mm～91.74mm；所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙健，黄雪云，王高强，
申请(专利权)人：南充三环电子有限公司，潮州三环集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51