发光二极管及其制造方法、发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种发光二极管及其制造方法、发光装置，发光二极管包括用于连接发光二极管与电源负极的第一电极；依次位于第一电极上的衬底、发光二极管管芯，衬底中形成有多个贯穿衬底的接触孔，接触孔的上孔径尺寸大于下孔径尺寸，接触孔中填充有用于连接第一电极和发光二极管管芯的电极插塞。包括发光二极管的发光装置中，发光装置还包括基座，发光二极管安装于基座上。发光二极管的制造方法，包括：在衬底上依次形成发光二极管管芯、第二电极；图形化衬底背面、形成露出发光二极管管芯的倒梯形接触孔；向倒梯形接触孔中填充导电材料、直至形成覆盖于衬底背面上的第一电极。本发明专利技术提高了发光二极管出光效率，并且制造工艺较为简单。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，更具体地，本专利技术涉及一种发光二极管及其制造方 法、发光装置。
技术介绍
发光二极管(LED)是响应电流而被激发从而产生各种颜色的光的半导体器件。其 中，以氮化镓(GaN)为代表的III-V族化合物半导体由于具有带隙宽、发光效率高、电子饱 和漂移速度高、化学性质稳定等特点，在高亮度蓝光发光二极管、蓝光激光器等光电子器件 领域有着巨大的应用潜力，引起了人们的广泛关注。然而，目前半导体发光二极管存在着发光效率低的问题。对于未经封装的发光二 极管，其出光效率一般只有百分之几。大量的能量聚集在器件内部不能出射，既造成能量浪 费，又影响器件的使用寿命。因此，提高半导体发光二极管的出光效率至关重要。基于上述的应用需求，许多种提高发光二极管出光效率的方法被应用到器件结构 中，例如表面粗糙化法，金属反射镜结构等。公开号为CN1858918A的中国专利申请公开了 一种发光二极管，所述的发光二极管下表面形成全角度反射镜结构，可以提高发光二极管 出光效率。然而，该方法需要在衬底上形成多层由高折射率层与低折射率层堆叠而成的薄 膜结构，制作工艺复杂。专利技术内容本专利技术解决本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管，其特征在于，包括用于连接发光二极管与电源负极的第一电极；依次位于所述第一电极上的衬底、发光二极管管芯，所述衬底中形成有多个贯穿衬底的接触孔，所述接触孔的上孔径尺寸小于下孔径尺寸，所述接触孔中填充有用于连接第一电极和发光二极管管芯的电极插塞。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张汝京，肖德元，
申请(专利权)人：映瑞光电科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]