氮化硅结合碳化硅大型坩埚的制备方法技术

技术编号:5211541 阅读:406 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一种氮化硅结合碳化硅大型坩埚的制备方法,属于特种耐火制品技术领域,依次包括配料、成型、烘干和烧成,其配料重量百分组成为:SiC73%、Si24%、成型结合剂2%和氨气1%,成型采用振动浇注成型,冷冻脱模。能够生产高质量的大型坩埚,密度高,热稳定性好,使用寿命长,能够保证用其生产的产品产量、质量和生产效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种氮化硅结合碳化硅大型坩埚的制备方法,属于特种耐火制品

技术介绍
长期以来,受坩埚技术条件和制造工艺的制约,材质、密度都不是很好,性能欠佳,因此只能生产小型的坩埚,其容量、溶液温度、使用寿命及用其生产的产品产量、质量都受到限制,影响生产效率。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种氮化硅结合碳化硅大型坩埚的制备方法,能够生产高质量的大型坩埚,密度高,热稳定性好,使用寿命长,能够保证用其生产的产品产量、质量和生产效率。本专利技术所述的氮化硅(Si3N4)结合碳化硅(SiC)大型坩埚的制备方法,依次包括配料、成型、烘干和烧成,其配料重量百分组成为:SiC  73%、Si  24%、成型结合剂 2%和氨气1%。SiC粉和Si粉可直接购买。其中:成型结合剂为聚乙烯醇和硅溶胶的3:7重量比例的混合溶液。将配料混合后,采用振动浇注成型方法成型,冷冻脱模;冷冻温度在-170℃,可由液氮实现。立体置放烘干,烘干温度280-330℃。烧成制度控制为:(1)电炉烧成,炉内抽真空控制为:-0.03~-0.05MPa;(2)室温到500±30℃的升温速度为50~70℃/h;(3)本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氮化硅结合碳化硅大型坩埚的制备方法,依次包括配料、成型、烘干和烧成,其特征在于配料重量百分组成为:SiC  73%、Si  24%、成型结合剂 2%和氨气1%。2.根据权利要求1所述的氮化硅结合碳化硅大型坩埚的制备方法,其特征在于成型结合剂为聚乙烯醇和硅溶胶的3:7重量比例的混合溶液。3.根据权利要求1或2所述的氮化硅结合碳化硅大型坩埚的制备方法,其特征在于成型采用振动浇注成型,冷冻脱模。4.根据权利要求3所述的氮化硅结合碳化硅大型坩埚的制备方法,其特征在于冷冻温度-170℃。5.根据权利要求4所述的氮化硅结合碳化硅大型坩埚的制备方法,其特征在于立体置放烘干,烘干温度280—330℃。6.根据权利要求5所述的氮化硅结合碳化硅大型坩埚的制备方法,其特征在于烧成制度控制为:(1)电炉烧成,炉内抽真空控制为:-0.03~-0.05MPa;(2)室温到500±30℃的升...

【专利技术属性】
技术研发人员:贾世恒
申请(专利权)人:淄博恒世科技发展有限公司
类型:发明
国别省市:37

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