【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及存储控制技术，特别涉及一种动态随机访问存储器(DRAM)的内存管 理方法及系统。
技术介绍
目前，DRAM技术获得巨大发展，主要应用的有同步动态随机接入存储器(SDRAM)、 双倍数据速率(DDR) SDRAM、第2代双倍数据速率(DDR2) SDRAM和第3代双倍数据速率 (DDR3) SDRAM等多种类型。对于现有的上述类型的DRAM，参见附图说明图1，实际应用系统都至少包 括DRAM内存控制器和DRAM内存颗粒，DRAM内存控制器向DRAM内存颗粒发送控制命令，包 括时钟信号、命令控制信号以及地址信号，并且通过上述控制命令控制对DRAM内存颗粒进 行数据信号的读写操作。具体说，内存颗粒通常具有4或8个存储体(BANK)，当控制器对某一个BANK进 行数据信号的读写操作之前，需要用激活(ACTIVE)命令来打开该BANK —对应行，才能 够读写该行内的数据。如果要读写此BANK的其它行包含的空间，则需要先利用预充电 (PRECHARGE)命令关闭已打开的其它行，然后再利用ACTIVE命令打开该对应行。为了在多 BANK的DRAM的读写访问中提高数据总线的利用率，DRAM内存控制器通常可以同时打开多 个BANK，并穿插进行多个BANK的数据读写操作。CPU发出的读写指令称为用户指令，在多数应用中，经常是用户指令成为DRAM内 存控制器的输入命令，DRAM内存控制器根据输入命令对DRAM内存颗粒进行控制。用户指 令最终体现为对DRAM存储空间的读写访问。用户指令包括操作类型和操作地址信息，其中 操作类型包括读或写操作；操作地址信息给出一个可...
【技术保护点】
一种动态随机访问存储器ＤＲＡＭ的内存管理方法，其特征在于，包括：接收包括操作类型和操作地址信息的用户指令，所述操作地址信息中包含表格索引和本表格内相对偏移地址信息；根据用户指令以及预先配置的表格管理表和表格ＢＡＮＫ空间映射表映射得到ＤＲＡＭ内存控制器的输入命令，所述输入命令中包含全局地址和操作类型；ＤＲＡＭ内存控制器根据输入命令控制ＤＲＡＭ内存颗粒的数据读写。
【技术特征摘要】
1.一种动态随机访问存储器DRAM的内存管理方法，其特征在于，包括接收包括操作类型和操作地址信息的用户指令，所述操作地址信息中包含表格索引和 本表格内相对偏移地址信息；根据用户指令以及预先配置的表格管理表和表格BANK空间映射表映射得到DRAM内存 控制器的输入命令，所述输入命令中包含全局地址和操作类型； DRAM内存控制器根据输入命令控制DRAM内存颗粒的数据读写。2.如权利要求1所述的内存管理方法，其特征在于，所述表格管理表和表格BANK空间 映射表的预先配置方法包括接收配置信息；根据配置信息设置突发访问长度、片选空间个数、BANK地址宽度、行地址宽度和列地址 宽度；根据配置信息设置表格管理表和表格BANK空间映射表，所述表格管理表的每一个表 项包括一个表格占用的BANK个数，所述表格BANK空间映射表包括BANK地址。3.如权利要求2所述的内存管理方法，其特征在于，所述根据用户指令以及预先配置 的表格管理表和表格BANK空间映射表映射得到DRAM内存控制器的输入命令包括计算表格内用户总偏移，计算方法为表格内的用户偏移=表格内相对偏移地址信息；根据突发访问长度和表格占用的BANK个数计算BANK查找序号和BANK偏移地址； 根据表格索引和BANK查找序号组成表格BANK空间映射表索引，根据表格BANK空间映 射表索引查询所述表格BANK空间映射表，得到用户指令对应的BANK地址； 计算BANK总偏移，计算方法为BANK总偏移=BANK偏移地址； 根据所需的行地址和列地址的总位数，将BANK总偏移中从低位起的相应位数映射为 列地址和行地址。4.如权利要求3所述的内存管理方法，其特征在于，所述根据突发访问长度和表格占 用的BANK个数计算BANK查找序号和BANK偏移地址包括根据突发访问长度确定突发低比特，用表格内的用户偏移中突发低比特以外的位除以 表格占用的BANK个数，余数为BANK查找序号，商以及表格内的用户偏移中突发低比特组成 BANK偏移地址。5.如权利要求3或4所述的内存管理方法，其特征在于， 所述表格管理表的每一个表项进一步包括用户指令附加偏移；所述计算表格内用户总偏移的计算方法为表格内的用户偏移=表格内相对偏移地址 信息+用户指令附加偏移。6.如权利要求3或4所述的内存管理方法，其特征在于， 所述表格BANK空间映射表进一步包括BANK附加偏移；所述计算BANK总偏移的计算方法为BANK总偏移=BANK偏移地址+BANK附加偏...
【专利技术属性】
技术研发人员：魏初舜，
申请(专利权)人：杭州华三通信技术有限公司，
类型：发明
国别省市：86[中国|杭州]
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