兼容半导体元件的微型悬浮结构及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种兼容半导体元件的微型悬浮结构及其制造方法，该方法包含在硅基底上方的绝缘层内形成半导体元件及微机电结构，微机电结构包含彼此独立的微结构与兼容连接件，兼容连接件电性连接半导体元件与微机电结构。接着，由前述绝缘层朝硅基底进行第一次蚀刻产生保留空间，再由前述硅基底相对方向的第二次蚀刻产生切割空间，然后利用硅基底第三次蚀刻产生与保留空间、切割空间相通的悬浮空间。此时，利用绝缘层内的兼容连接件达成微机电结构与半导体元件的电性连接，避免微机电结构不当侵蚀及曝露。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种半导体的装置及制造方法，且特别是有关于一种微型悬浮结构及其制造方法。
技术介绍
现今微机电系统(Micro-Electro-Mechanical Systems，MEMS)包含各种不同的微型结构。例如，不可动的探针、流道、孔穴结构，或是一些可动的弹簧、连杆、齿轮。将上述不同的微型结构和相关的半导体电路相互整合，即可构成各种不同的半导体应用。半导体电路例如互补式金属氧化层半导体(Complementary Metal-Oxide Semiconductor，CMOS)。而通过制造方法与结构设计提升微型结构各种不同的功能，是未来半导体微机电系统的关键指针，也是未来进一步研究芯片时的严峻挑战。因此，若能研发改进已知的技术，未来的发展性实无法预估。目前微机电装置中的传感器及致动器皆独立于半导体元件之外制造，且必须利用湿蚀刻、干蚀刻和牺牲层(sacrificial-layer)去除等专用的微机电作业在硅基底上制作出悬浮式结构。其中，湿蚀刻是一种快速有效的蚀刻方式，而且其所使用的蚀刻剂通常对不同材料具有相当高的“选择性”(selectivity)。而干蚀刻，例如等离子蚀刻本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种兼容半导体元件的微型悬浮结构制造方法，其特征在于，该制造方法包含：在一硅基底表面形成内具一微结构、一兼容连接件与一半导体元件的一绝缘层，且该兼容连接件电性连接在该半导体元件与该微结构之间；蚀刻该绝缘层以形成一蚀刻空间，且该蚀刻空间到达该硅基底的表面；应用选择比沿着该蚀刻空间蚀刻该硅基底，以形成具一致深度的一保留空间；应用选择比由该硅基底底面进行蚀刻，以形成具一致深度的多个切割空间；以及应用选择比由该硅基底底面与该些切割空间处进行蚀刻，以在该硅基底底面形成一悬浮空间，使该微结构悬浮，并使该些切割空间内的硅基底继续被蚀刻出一致的深度，而到达绝缘层底面，以使该悬浮空间、该保留空间与该些切割空间相...

【技术特征摘要】
1.一种兼容半导体元件的微型悬浮结构制造方法，其特征在于，该制造方法包含：在一硅基底表面形成内具一微结构、一兼容连接件与一半导体元件的一绝缘层，且该兼容连接件电性连接在该半导体元件与该微结构之间；蚀刻该绝缘层以形成一蚀刻空间，且该蚀刻空间到达该硅基底的表面；应用选择比沿着该蚀刻空间蚀刻该硅基底，以形成具一致深度的一保留空间；应用选择比由该硅基底底面进行蚀刻，以形成具一致深度的多个切割空间；以及应用选择比由该硅基底底面与该些切割空间处进行蚀刻，以在该硅基底底面形成一悬浮空间，使该微结构悬浮，并使该些切割空间内的硅基底继续被蚀刻出一致的深度，而到达绝缘层底面，以使该悬浮空间、该保留空间与该些切割空间相通，且该微结构与该半导体元件下方的该硅基底被该些切割空间分隔而绝缘。2.根据权利要求1所述的兼容半导体元件的微型悬浮结构制造方法，其特征在于，还包含：制作一罩层于该绝缘层表面；形成一通孔位于该罩层相对应该微结构的预期蚀刻空间处；以及由该通孔向下进行反应性离子蚀刻以形成该蚀刻空间。3.根据权利要求2所述的兼容半导体元件的微型悬浮结构制造方法，其特征在于，还包含：去除该蚀刻空间周缘及相对应该微结构上方的该罩层；蚀刻该绝缘层至预设深度，形成一容许空间；以及利用深反应离子蚀刻由该蚀刻空间向该硅基底蚀刻，以形成一保留空间。4.根据权利要求3所述的兼容半导体元件的微型悬浮结构制造方法，其特征在于，还包含：去除该罩层。5.根据权利要求4所述的兼容半导体元件的微型悬浮结构制造方...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈晓翔，
申请(专利权)人：微智半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]