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本发明涉及一种兼容半导体元件的微型悬浮结构及其制造方法，该方法包含在硅基底上方的绝缘层内形成半导体元件及微机电结构，微机电结构包含彼此独立的微结构与兼容连接件，兼容连接件电性连接半导体元件与微机电结构。接着，由前述绝缘层朝硅基底进行第一次蚀...
该专利属于微智半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过微智半导体股份有限公司授权不得商用。

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