【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种薄膜,尤其是一种低拉应力薄膜。
技术介绍
低拉应力薄膜的主要应用在于MEMS制造(微机械加工)中。目前,公知的低拉应 力薄膜制作一般采用低温多晶薄膜制作。制作低拉应力薄膜的第一种方法在588°C温度 下,通过LPCVD (低压化学气相沉积)淀积2 μ m低应力多晶硅,得到残余应力为IOOMpa左 右拉应力;第二种方法为采用LPCVD淀积0. 5 μ m的氮化硅,得到控制残余应力为340Mpa 左右拉应力。其中,第一种方法由于采用低温淀积,多晶生长速度很慢,往往要得到2 μ m的 多晶硅需要48小时以上的工艺时间,对产能及工艺成本都不利;第二种方法对应控制氮化 硅膜工艺具有较高的要求,氮化硅本来属于较为大的拉应力,需要调整工艺达到低拉应力 并保证应力水平稳定性有很大难度。
技术实现思路
本技术的目的是克服现有技术中存在的不足,提供一种低拉应力薄膜,其工 艺简单,稳定性好。按照本技术提供的技术方案,所述低拉应力薄膜,包括衬底硅;所述衬底硅上 淀积有PSG (含P的二氧化硅)膜质层,所述PSG膜质层位于衬底硅的一端;所述PSG膜质 层上淀积有多晶硅薄膜,所述多晶硅薄膜上淀积有SiN层。所述多晶硅薄膜在600°C时,通过低压化学气相沉积淀积在PSG膜质层上。所述多 晶硅薄膜与SiN层形成的复合结构上翘。本技术的优点制作工艺简单,可以再IC半导体生产线上大批量生产,通过 多晶硅薄膜与SiN层的复合结构,有效保证薄膜的拉应力,稳定性好。附图说明图1为本技术的结构示意图。图2为在衬底硅上淀积PSG膜质层与多晶硅薄膜后的结构示意图。图3为在多晶硅薄膜上淀积S ...
【技术保护点】
一种低拉应力薄膜,包括衬底硅(4),其特征是:所述衬底硅(4)上淀积有PSG膜质层(3),所述PSG膜质层(3)位于衬底硅(4)的一端;所述PSG膜质层(3)上淀积有多晶硅薄膜(2),所述多晶硅薄膜(2)上淀积有SiN层(1)。
【技术特征摘要】
一种低拉应力薄膜,包括衬底硅(4),其特征是所述衬底硅(4)上淀积有PSG膜质层(3),所述PSG膜质层(3)位于衬底硅(4)的一端;所述PSG膜质层(3)上淀积...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈思奇,王荣华,朱琳,
申请(专利权)人:无锡华润华晶微电子有限公司,
类型:实用新型
国别省市:32[中国|江苏]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。