像素结构及其制造方法技术

一种像素结构的制造方法。首先，提供一具有多个像素区域的基板。接着，于基板上形成共享电极，其环绕于各像素区域的周围。然后，于共享电极上形成储存电容电极。继之，形成第一保护层，覆盖储存电容电极与共享电极。再来，于各像素区域中形成扫描线以与栅极。接着，形成栅绝缘层以与栅绝缘层上的半导体层。再来，于各像素区域中形成数据线、源极与漏极。接着，于基板上形成第二保护层，并于漏极上方的第二保护层中形成接触窗开口。然后，于各像素区域中形成像素电极，而像素电极是藉由接触窗开口与漏极电性连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种，且特别是有关于一种具有高开口率 及良好显示质量的。
技术介绍
液晶显示器具有高画质、体积小、重量轻、低电压驱动、低消耗功率及应用范围广 等优点，因此已取代阴极射线管成为新一代显示器的主流。传统的液晶面板是由彩色滤光 基板、薄膜晶体管阵列基板以及配置于此两基板间的液晶层所构成。为了提升液晶面板的 显示质量，许多针对液晶面板的中像素结构的布局设计陆续被提出。图1为公知一种像素结构的上视示意图。请参照图1，基板101具有阵列排列的多 个像素区域102，而像素结构100设置于各像素区域102中。此处仅绘示单个像素区域102 以便于说明。像素结构100包括扫描线110与栅极112、共享电极114与共享电极116、半 导体层122、数据线130、源极132与漏极134，以及像素电极150。共享电极114与共享电 极116的配置可增加像素结构100中的储存电容，以维持显示画面的质量。像素结构100是一种利用公知的五道光罩制程所形成的薄膜晶体管像素结构。公 知的五道光罩制程包括形成扫描线Iio与栅极112、共享电极114与共享电极116的第一 道光罩制程；形成半导体层122的第二道光罩制程；形成数据线130、源极132与漏极134 的第三道光罩制程；形成漏极134上方接触窗开CH的第四道光罩制程；以及形成像素电极 150的第五道光罩制程。在像素结构100中，由于扫描线110、数据线130、构成薄膜晶体管的栅极112、源极 132与漏极134，以及共享电极114、116等组件是由不透光的金属层所构成，因此像素结构 100的开口率会受到这些不透光的金属层所影响而降低。共享电极114、116的设置虽可增 加像素结构100中的储存电容，但共享电极114、116在各个像素区域中所占的面积越大，即 意味着像素结构100的开口率越低。当像素结构100应用于高分辨率的可携式液晶显示装置时，由于每个像素区域 102所占空间变小，因此像素结构100的开口率约仅有52%，低于一般的电视或监视器。如 此，势必要增加显示装置中光源的亮度以维持像素结构100的显示亮度，而造成能源的浪费。此外，由于像素结构100的共享电极114与扫描线110是同时形成于基板101上， 因此当共享电极114与扫描线110的距离接近时，共享电极114与扫描线110之间容易发 生短路而使得产品的良率下降。
技术实现思路
本专利技术提供一种像素结构，可具有较高的开口率、以及良好的显示质量。本专利技术提供一种像素结构的制造方法，可制造出上述的像素结构、并可提高产品 良率。基于上述，本专利技术提供一种像素结构的制造方法，包括以下(A) (K)的步骤。步 骤(A)提供基板，此基板具有阵列排列的多个像素区域。步骤(B)于基板上形成共享电 极，环绕于各像素区域的周围。步骤(C)于共享电极上形成一储存电容电极。步骤(D)形 成第一保护层，覆盖储存电容电极与共享电极。步骤(E)于各像素区域中形成扫描线以与 栅极。步骤(F)形成栅绝缘层，覆盖扫描线与栅极。步骤(G)于栅极上方的栅绝缘层上形 成半导体层。步骤(H)于各像素区域中形成数据线、源极与漏极，而源极与漏极形成于半 导体层的两侧。步骤(I)于基板上形成第二保护层，覆盖数据线、源极与漏极。步骤(J) 于漏极上方的第二保护层中形成接触窗开口，而曝露出漏极。步骤(K)于各像素区域中形 成像素电极，而像素电极是藉由接触窗开口与漏极电性连接。本专利技术提供一种像素结构，设置于基板上，此基板具有阵列排列的多个像素区域， 且像素结构设置于各像素区域中，此像素结构包括共享电极、储存电容电极、第一保护层、 扫描线与栅极、栅绝缘层、半导体层、数据线、源极及漏极、第二保护层以及像素电极。共享 电极设置于基板上方，环绕于各像素区域的周围。储存电容电极位于共享电极上。第一保 护层覆盖储存电容电极与共享电极。扫描线与栅极设置于各像素区域中。栅绝缘层覆盖扫 描线与栅极。半导体层设置于栅极上方的栅绝缘层上。数据线、源极及漏极设置于各像素 区域中，而源极与漏极设置于半导体层的两侧。第二保护层覆盖数据线、源极及漏极，其中 漏极上方的第二保护层中具有接触窗开口。像素电极设置于各像素区域中，且像素电极是 藉由接触窗开口与漏极电性连接。本专利技术提供一种像素结构的制造方法。首先，提供基板，其具有阵列排列的多个像 素区域。接着，于各像素区域中形成扫描线、栅极以及至少一共享电极线段，其中共享电极 线段仅位于部分的像素区域内。再来，于各像素区域中形成第一储存电容电极，且第一储存 电容电极电性连接于相邻的两个共享电极线段之间。继之，形成栅绝缘层，覆盖扫描线、栅 极、共享电极线段与第一储存电容电极。然后，于栅极上方的栅绝缘层上形成半导体层。接 着，于各像素区域中形成数据线、源极与漏极，而源极与漏极形成于半导体层的两侧。再来， 于基板上形成保护层，覆盖数据线、源极与漏极。继之，于该漏极上方的保护层中形成接触 窗开口，而曝露出漏极。然后，于各像素区域中形成像素电极，此像素电极是藉由接触窗开 口与漏极电性连接。本专利技术提供一种像素结构，设置于基板上，此基板具有阵列排列的多个像素区域， 且像素结构设置于各像素区域中，此像素结构包括扫描线、栅极、至少一共享电极线段、第 一储存电容电极、栅绝缘层、半导体层、数据线、源极、漏极、保护层、以及像素电极。扫描线、 栅极及至少一共享电极线段设置于各像素区域中，其中共享电极线段仅位于部分的像素区 域内。第一储存电容电极设置于各像素区域中，且第一储存电容电极电性连接于相邻的两 个共享电极线段之间。栅绝缘层覆盖扫描线、栅极、共享电极线段与第一储存电容电极。半 导体层设置于栅极上方的栅绝缘层上。数据线、源极与漏极设置于各像素区域中，而源极与 漏极形成于半导体层的两侧。保护层设置于基板上且覆盖数据线、源极与漏极，其中漏极上 方的保护层中具有接触窗开口。像素电极是藉由接触窗开口与漏极电性连接。本专利技术的像素结构将共享电极以及储存电容电极设置在像素区域的周围且对应 扫描线与数据线而设置，藉此，共享电极不遮蔽到像素区域中间的部分，而提高像素结构的 开口率。所形成的储存电容还可维持良好的显示质量。此外，像素结构的制造方法较公知技术多利用了 1至2道的光罩制程，亦即，利用额外的光罩制程来制作共享电极及储存电容 电极。特别是，由于共享电极与扫描线并非利用同一道光罩制程而制作，可避免共享电极与 扫描线之间发生短路现象。为让本专利技术之上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式 作详细说明如下。附图说明图1为公知一种像素结构的上视示意图；图2为本专利技术第一实施例的像素结构上视示意图；图3A 3C分别为沿图2的T_T’、S-S，以及U-U，线的断面示意图；图4A-图4H为本专利技术第一实施例的像素结构的制造方法流程示意图；图5为本专利技术第二实施例的像素结构上视示意图；图6沿图5的V-V’线的断面示意图；图7A 7H为本专利技术第二实施例的像素结构的制造方法流程示意图；图8为本专利技术第三实施例的像素结构上视示意图；图9A 9C分别为沿图8的X_X’、Y-Y，以及Z-Z’线的断面示意图；图IOA IOG为本专利技术第三实施例的像素结构的制造方法流程示意图。具体实施例方式本专利技术是以增本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素结构的制造方法，其特征在于，包括：（Ａ）提供一基板，具有阵列排列的多个像素区域；（Ｂ）于该基板上形成一共享电极，环绕于各该像素区域的周围；（Ｃ）于该共享电极上形成一储存电容电极；（Ｄ）形成一第一保护层，覆盖该储存电容电极与该共享电极；（Ｅ）于各该像素区域中形成一扫描线以及一栅极；（Ｆ）形成一栅绝缘层，覆盖该扫描线及该栅极；（Ｇ）于该栅极上方的该栅绝缘层上形成一半导体层；（Ｈ）于各该像素区域中形成一数据线、一源极与一漏极，而该源极与该漏极形成于该半导体层的两侧；（Ｉ）于该基板上形成一第二保护层，覆盖该数据线、该源极与该漏极；（Ｊ）于该漏极上方的该第二保护层中形成一接触窗开口，而曝露出该漏极；以及（Ｋ）于各该像素区域中形成一像素电极，该像素电极是藉由该接触窗开口与该漏极电性连接。

【技术特征摘要】
1.一种像素结构的制造方法，其特征在于，包括(A)提供一基板，具有阵列排列的多个像素区域；(B)于该基板上形成一共享电极，环绕于各该像素区域的周围；(C)于该共享电极上形成一储存电容电极；(D)形成一第一保护层，覆盖该储存电容电极与该共享电极；(E)于各该像素区域中形成一扫描线以及一栅极；(F)形成一栅绝缘层，覆盖该扫描线及该栅极；(G)于该栅极上方的该栅绝缘层上形成一半导体层；(H)于各该像素区域中形成一数据线、一源极与一漏极，而该源极与该漏极形成于该半 导体层的两侧；(I)于该基板上形成一第二保护层，覆盖该数据线、该源极与该漏极；(J)于该漏极上方的该第二保护层中形成一接触窗开口，而曝露出该漏极；以及 (K)于各该像素区域中形成一像素电极，该像素电极是藉由该接触窗开口与该漏极电 性连接。2.如权利要求1所述的像素结构的制造方法，其特征在于，步骤(B) (D)是在步骤 (I)之后进行，于步骤(J)中，使该漏极上方的该第二保护层与该第一保护层中形成该接触窗开口， 而曝露出该漏极。3.如权利要求1所述的像素结构的制造方法，其特征在于，形成该半导体层的方法包括于该栅极上方的该栅绝缘层上形成一通道层；以及 于该通道层上形成一奥姆接触层。4.如权利要求1所述的像素结构的制造方法，其特征在于，该储存电容电极往各该像 素区域内延伸、且与该像素电极在各该像素区域的周围部分重迭。5.一种像素结构，设置于一基板上，其特征在于，该基板具有阵列排列的多个像素区 域，且该像素结构设置于各该像素区域中，该像素结构包括一共享电极，设置于该基板上方，环绕于各该像素区域的周围；一储存电容电极，位于该共享电极上；一第一保护层，覆盖该储存电容电极与该共享电极；一扫描线及一栅极，设置于各该像素区域中；一栅绝缘层，覆盖该扫描线与该栅极；一半导体层，设置于该栅极上方的该栅绝缘层上；一数据线、一源极及一漏极，设置于各该像素区域中，而该源极与该漏极设置于该半导 体层的两侧；一第二保护层，覆盖该数据线、该源极及该漏极，其中该漏极上方的该第二保护层中具 有一接触窗开口 ；以及一像素电极，设置于各该像素区域中，该像素电极是藉由该接触窗开口与该漏极电性 连接。6.如权利要求5所述的像素结构，其特征在于，该共享电极、该储存电容电极与该第一保护层依序设置于该第二保护层上，且使该漏极上方的该第二保护层与该第一保护层中形 成该接触窗开口，而曝露出该漏极。7.如权利要求5所述的像素结构，其特征在于，该储存电容电极对应该扫描线而设置， 且该储存电容电极、该第一保护层与该扫描线构成一第一储存电容。8.如权利要求5所述的像素结构，其特征在于，该储存电容电极对应该数据线而设置， 且该储存电容电极、该第一保护层、该第二保护层与该数据线构成一第二储存电容。9.如权利要求5所述的像素结构，其特征在于，该储存电容电极往各该像素区域内延 伸、且与该像素电极在各该像素区域的周围部分重迭。10.如权利要求5所述的像素结构，其特征在于，该储存电容电极的材料包括铟锡氧 化物或...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘梦骐，
申请(专利权)人：华映视讯吴江有限公司，中华映管股份有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]