功率电晶体的封装构造制造技术

本实用新型专利技术公开了一种功率电晶体的封装构造，其包括有：一承载板；一功率电晶体，包括有：一基板，包括有一第一表面及一第二表面，并以该第一表面的方向与该承载板连接；至少一源极，设置于该基板的第一表面；及至少一闸极，设置于该基板的第一表面。此外，本实用新型专利技术还可加设至少一汲极，设置于该基板的第一表面。其有利于缩小功率电晶体的厚度尺寸，从而进一步降低功率电晶体的串联电阻，并可减少功率电晶体在使用的过程当中所产生的热量。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种功率电晶体的封装构造，主要将设置有复数个功率电晶体的基板贴附在承载板上，并对基板进行研磨及切割，以完成功率电晶体的设置。
技术介绍
请参阅图l，为习用功率电晶体的封装构造的剖面示意图。如图所示，功率电晶体 的封装构造100主要包括有一功率电晶体10及一封装胶体14，其中功率电晶体10主要包 括有一基板11 ，且基板11包括一 N+型基板111及一 N型磊晶层113， N+型基板111及一 N 型磊晶层113以层迭的方式设置。 N+型基板111的表面为一汲极12，而N型磊晶层113上掺杂设置有至少一P型井 区13。 P型井区13内掺杂设置有至少一源极区15，并于源极区15上设置有一源极16。此 外N型磊晶层113上还设置有至少一闸极18，并以一绝缘层17隔离N型磊晶层113及闸极 18。 藉由上述的构件便已完成功率电晶体10的初步架构，在使用时可透过导线19与 汲极12、源极16及闸极18相连接，并可进一步将导线19的另一端与导电架相连接，而有利 于进行功率电晶体10的使用，例如在使用时亦可将N+型基板111直接设置在导电架上，并 进行导电架与源极16及闸极18的电性本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率电晶体的封装构造，其特征在于包括有：一承载板；一功率电晶体，包括有：一基板，包括有一第一表面及一第二表面，并以该第一表面的方向与该承载板连接；至少一源极，设置于该基板的第一表面；及至少一闸极，设置于该基板的第一表面。

【技术特征摘要】
一种功率电晶体的封装构造，其特征在于包括有一承载板；一功率电晶体，包括有一基板，包括有一第一表面及一第二表面，并以该第一表面的方向与该承载板连接；至少一源极，设置于该基板的第一表面；及至少一闸极，设置于该基板的第一表面。2. 根据权利要求1所述的功率电晶体的封装构造，其特征在于其中该电晶体的厚度 小于100微米。3. 根据权利要求1所述的功率电晶体的封装构造，其特征在于其中该基板包括有至 少一穿孔，该穿孔由该第一表面延伸至该第二表面，并于该穿孔内设置有一导电层。4. 根据权利要求1所述的功率电晶体的封装构造，其特征在于还包括有至少一电性 连接源极及该闸极的导电层，且该导电层由基板的第一表面延伸至第二表面。5. 根据权利要求1所述的功率电晶体的封装构造，其特征在于其中该基板包括有一 第一型基板及一第一型磊晶层。6. 根据权利要求5所述的功率电晶体的封装构造，其特征在于其中该第一型磊晶层 内设置有至少一第二型井区，并于该第二型井区内设置有至少一第一型源极区。7. 根据权利要求1所述的功率电晶体的封装构造，其特征在于其中该基板的第二表 面为一汲极。8. 根据权利要求1所述的功率电晶体的封装构造，其特征在于其中该基板的厚度小 于100微米。9...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁伟成，林昶伸，
申请(专利权)人：芯巧科技股份有限公司，梁伟成，
类型：实用新型
国别省市：71[中国|台湾]