具光耦特性的电子元件的改良结构制造技术

本发明专利技术是一种具光耦特性的电子元件的改良结构，主要是以绝缘体、发光单元以及感光单元组成，所述绝缘体具有顶面以及底面，且所述发光单元以及所述感光单元设在所述绝缘体的顶面且彼此相邻并电性绝缘，其中，在所述发光单元、所述感测单元及所述绝缘体之间构成有光通道。借此，所述发光单元以及所述感光单元可不受传统电子元件导线架的结构限制来配置，达到提升光耦效率的目的。到提升光耦效率的目的。到提升光耦效率的目的。

【技术实现步骤摘要】
具光耦特性的电子元件的改良结构


[0001]本专利技术涉及一种电子元件的改良结构，尤指一种具光耦特性的电子元件的改良结构。

技术介绍

[0002]一般来说，为了在不同供电级别的电路之间传递电信号，并避免电信号遭受不同干扰，需要以电气隔离的方式在不同电路间来传递电信号，且通常以光电耦合元件来实现电气隔离的电信号传递。
[0003]前述的光电耦合元件可称作光耦合器、光隔离器或光电隔离器，并可简称为光耦。光电耦合元件的特性是以光(含可见光、红外线等)作为媒介在不具电性连接的两端来传输电信号，因此可以光电耦合元件来实现电气隔离的需求。
[0004]然而，已知的光电耦合元件结构易受其导线架的影响而受限。进一步来说，由于导线架是用以与外部电路电性连接，因此为了实现电气隔离的目的，光电耦合元件中的导线架必须分割成发光侧导线架、感光侧导线架，且发光侧导线架与感光侧导线架之间需形成隔离区域，即光电耦合元件结构亦会受限于导线架的隔离区域的间距，而受此导线架的结构的影响常导致耦合效果不佳，封装后测试与修改不易等问题，使得转换效率低及制造成本高，因此，确实有待进一步提出改良方案的必要性。

技术实现思路

[0005]有鉴于上述现有技术的不足，本专利技术的主要目的在于提供一种以光线传送电讯号的电子元件的改良结构，其将发光与感光的结构设在相邻同一侧，并使其光耦合时可不受传统电子元件导线架的结构限制而配置，达到提升光耦效率的目的。
[0006]为达成上述目的所采取的主要技术手段是令前述具光耦特性的电子元件的改良结构包括：
[0007]绝缘体，具有顶面及底面；
[0008]发光单元，设在所述绝缘体的顶面；以及
[0009]感光单元，设在所述绝缘体的顶面，且相邻于所述发光单元，且与所述发光单元电性绝缘；
[0010]其中，在所述发光单元、所述感测单元及所述绝缘体之间构成有光通道。
[0011]由上述构造，所述发光单元以及所述感光单元是设在所述绝缘体上且位在同一面，且同时与所述绝缘体之间构成有所述光通道，使所述发光单元以及所述感光单元的相对位置不受传统电子元件导线架的结构限制，并达到提升光耦效率的目的。
[0012]为使能更进一步了解本专利技术的特征及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，但是此等说明与所附图式仅系用来说明本专利技术，而非对本专利技术的权利范围作任何的限制。
附图说明
[0013]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0014]图1是根据本专利技术实施例一的结构示意图；
[0015]图2是根据本专利技术实施例一的另一结构示意图；
[0016]图3是根据本专利技术实施例二的结构示意图；
[0017]图4是根据本专利技术实施例三的结构示意图；
[0018]图5是根据本专利技术实施例四的结构示意图；以及
[0019]图6是根据本专利技术实施例五的结构示意图。
[0020]附图标记
[0021]100、200、300
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电子元件
[0022]110
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绝缘体
[0023]111
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顶面
[0024]112
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底面
[0025]113
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侧面
[0026]120
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发光单元
[0027]121
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发光面
[0028]130
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感光单元
[0029]131
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收光面
[0030]140
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光通道
[0031]210
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导线层
[0032]220
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反光层
具体实施方式
[0033]关于本专利技术的光耦特性的电子元件的改良结构的较佳实施例，请参阅图1所示，所述电子元件100包括绝缘体110、发光单元120以及感光单元130。
[0034]所述绝缘体110具有彼此相对的顶面111以及底面112，其中，所述顶面111用以乘载所述发光单元120以及所述感光单元130。
[0035]所述发光单元120设在所述绝缘体110的顶面111且与所述绝缘体110连接，所述发光单元120用以接收来自外部的电信号，并根据所述电信号来对应发光。
[0036]所述感光单元130设在所述绝缘体110的顶面111且与所述绝缘体110连接，且所述感光单元130与所述发光单元120相邻，并于所述绝缘体110的顶面111上与所述发光单元120之间相距距离，其中，所述感光单元130用以感测所述发光单元120所产生的光线，并产生对应的感测电信号，且所述感测电信号与所述发光单元120接收的所述电信号相关联。
[0037]由于所述发光单元120以及所述感光单元130是设在所述绝缘体110之上，彼此因为所述绝缘体110而电气隔离，因此所述发光单元120以及所述感光单元130之间的距离不必受到所述电子元件100的导线架的结构限制，而可具有较短的光传输距离，具有更佳的耦
合效果，达到提升光耦效率的目的。
[0038]进一步地，所述发光单元120是具有发光面121，所述发光面121的方向是朝向所述绝缘体110的顶面111，借此将所述发光单元120产生的光线往所述绝缘体110的顶面111发射。
[0039]进一步地，所述感光单元130是具有收光面131，所述收光面131的方向是朝向所述绝缘体110的顶面111，借此所述感光单元130感测于所述绝缘体110中所传递的光线。
[0040]在本较佳实施例中，所述绝缘体110的至少一部分是可透光，因此可在所述发光单元120及所述感光单元130之间提供光通道140，即所述光通道140构成在所述发光单元120及所述感测单元130之间的所述绝缘体110内，如图2所示。进一步地，所述可透光的绝缘体110的所述光通道140，是由所述发光单元120的所述发光面121、所述绝缘体110的内部、所述感光单元130的所述收光面131所构成，即光线传递的方向是由所述发光面121经由所述光通道140传递至所述感光单元130，因此所述发光单元120所产生的光线藉由所述光通道14本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具光耦特性的电子元件的改良结构，其特征在于，其包括：绝缘体，具有顶面及底面；发光单元，设于所述绝缘体的顶面；以及感光单元，设于所述绝缘体的顶面，并相邻于所述发光单元，且与所述发光单元电性绝缘，其中，在所述发光单元、所述感测单元及所述绝缘体之间构成有一光通道。2.根据权利要求1所述的具光耦特性的电子元件的改良结构，其特征在于，在所述发光单元及所述感测单元之间的所述绝缘体内构成有所述光通道。3.根据权利要求2所述的具光耦特性的电子元件的改良结构，其特征在于，所述发光单元具有发光面，所述发光面的方向是朝向所述绝缘体的顶面，所述感光单元是具有收光面，所述收光面的方向朝向所述绝缘体的顶面。4.根据权利要求3所述的具光耦特性的电子元件的改良结构，其特征在于，所述绝缘体可透光，并在所述发光单元以及所述感光单元之间提供所述光通道。5.根据权利要求4所述的具光耦特性的电子元件的改良结构，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁伟成，张平，
申请(专利权)人：芯巧科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：