【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种晶圆表面缺陷的检测方法及装置。
技术介绍
半导体芯片的尺寸越来越小，工艺过程中产生缺陷对成品率的影响也越来越明 显。对缺陷准确的分析直接关乎芯片的失效的判定及缺陷的改善方向。当前主流6英寸的晶圆使用的缺陷分析设备在对晶圆进行分析时是采用测试带 到测试带(die by die)比较的方式来检测缺陷。例如在申请号为“20071004M85”的中国专利文献中公开了一种晶圆缺陷的检测 方法，该晶圆缺陷的检测方法包括如下步骤选定检测带，该检测带是以晶圆中心为圆心， 半径是晶圆半径十分之一至五分之一的圆形区域；在该检测带内选取若干个呈反射状均勻 分布的检测点，检测点大于49个；对每一检测点进行分析，找出缺陷的位置。然而，一个测试带通常的大小可以为一个芯片(chip)所在的区域或多个芯片所 在的区域，或者一个曝光区域(BLOCK)，检测生成的结果文件对应定义的测试带，从而可以 定位缺陷在测试带中的位置。但是利用上述设备进行检查时，通常测试带的尺寸不能小于 2mmX 2mm，因此当芯片的尺寸小于2mm时，一个测试带就会包括多个芯片所...
【技术保护点】
一种晶圆表面缺陷的检测方法，其特征在于，包括步骤：将晶圆分为至少两个测试带，确定所述测试带内不同芯片的位置，对各测试带检测，得到缺陷在以测试带为坐标系中的坐标；根据测试带内芯片的位置，以及缺陷在测试带坐标系中的坐标，确定缺陷所在的芯片；将所述每个测试带的坐标系转换为以其包含的芯片所在区域为坐标系的子坐标系；确定所述缺陷在子坐标系中的坐标。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：顾颂，
申请(专利权)人：无锡华润上华半导体有限公司，无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]
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