【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体
，特别涉及一种参考电压器件。
技术介绍
目前，参考电压器件被广泛应用在集成电路产品中，用来为集成电路产 品提供参考电压。集成电路产品的稳定性直接取决于所述参考电压器件的稳 定性，例如当参考电压器件受到温度、环境等影响提供的参考电压值发生变 化，必然会使得集成电路产品的性能发生变化。图1为一种参考电压器件的电路图，图2为一种现有的图1所示的参考 电压器件的剖面结构示意图。参考图1和图2所示，耗尽型PMOS晶体管Pl 的栅极和源极耦接，增强型PMOS晶体管P2的栅极和漏极耦接，耗尽型PMOS 晶体管Pl漏极和增强型PMOS晶体管P2的源极耦接参考电压器件的输出端。 其中，耗尽型PMOS晶体管Pl为耗尽型PMOS晶体管，并且为掩埋沟道工 艺，并且采用N型多晶硅作为栅极；增强型PMOS晶体管P2为增强型，并 且为表面沟道工艺，并且采用N型多晶硅作为栅极。因为在耗尽型PMOS晶 体管Pl和增强型PMOS晶体管P2的沟道杂质分布不同，因此阈值电压和跨 导随温度的变化相差很大。因此上述现有的参考电压器件随温度的变化阈值电压容易发生变化，所 以稳定性较...
【技术保护点】
一种参考电压器件，包括耗尽型ＰＭＯＳ晶体管和增强型ＰＭＯＳ晶体管，其特征在于，耗尽型ＰＭＯＳ晶体管和增强型ＰＭＯＳ晶体管同为表面导电沟道型晶体管，且耗尽型ＰＭＯＳ晶体管和增强型ＰＭＯＳ晶体管的导电沟道内的离子分布完全相同，其中耗尽型ＰＭＯＳ晶体管的栅极为Ｐ型掺杂，增强型ＰＭＯＳ晶体管的栅极为Ｎ型掺杂。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陆云，胡林辉，张美玲，王燕萍，
申请(专利权)人：BCD半导体制造有限公司，
类型：实用新型
国别省市：KY[开曼群岛]
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