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本实用新型提供了一种参考电压器件，包括耗尽型ＰＭＯＳ晶体管和增强型ＰＭＯＳ晶体管，其中，耗尽型ＰＭＯＳ晶体管和增强型ＰＭＯＳ晶体管同为表面导电沟道型晶体管，且耗尽型ＰＭＯＳ晶体管和增强型ＰＭＯＳ晶体管的导电沟道内的离子分布完全相同，且耗尽型...
该专利属于ＢＣＤ半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过ＢＣＤ半导体制造有限公司授权不得商用。

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