晶体硅锭的切割方法技术

本发明专利技术提供一种晶体硅锭的切割方法，首先提供一具有四个待滚圆面的晶体硅锭，再提供一用以夹持所述晶体硅锭且可绕贯穿晶体硅锭的中心轴进行旋转的夹具，提供至少一根金刚线将其与所述晶体硅锭之待滚圆面相对设置，然后设置所述金刚线与晶体硅锭之待滚圆面的间距，以确定所述晶体硅锭之待滚圆面的所构圆形的直径，最后高速运行所述金刚线，低速旋转所述夹具，当低速旋转的晶体硅锭与高速运行的金刚线接触时，其待滚圆面被所述金刚线切割，如此以达到不用研磨或者磨削的手段将晶体硅棒滚圆的目的，使被切割下来的材料能够成块状以利于回收节约成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种多线切割技术，特别是涉及一种适用于单晶硅锭的滚圆切割方法。
技术介绍
多线切割技术是目前世界上比较先进的硅棒加工技术，它的原理是通过一根高速 运动的钢线带动附着在钢线上的切割刃料对半导体等硬脆材料进行摩擦，从而达到切割目 的。线切割技术与传统的刀锯片、砂轮片及内圆切割相比有具有效率高，产能高，精度高等 优点。在现有对硅棒，尤其是单晶硅棒进行加工过程中，为方便对单晶硅棒进行后续的 抛光及切片等作业，需要事先将所述单晶硅棒加工成具有四面圆角的立方体。在悉知的加 工技术中，通常的做法是将所述单晶硅棒置于两个相对平行的砂轮之间进行面磨削，之后 再对四个弧度面进行磨削，在对所述单晶硅棒的四个弧度面进行磨削时，需要将所述砂轮 绕该单晶硅棒的轴心做高速旋转，再将该单晶硅棒置于旋转是砂轮之间进行四个弧度面的 磨削，这种做法带来的问题是由于砂轮的质量比较重，且旋转的角速度比较大，旋转时较 难控制，若稍有偏差则会影响到针对该单晶硅棒进行磨削的精确度，进而影响到该单晶硅 棒的品质；更重要的是，采用磨削的方法对晶体硅棒进行滚圆，在磨削的过程中需要加水或 者油等液体充当研磨液，期间被砂轮磨掉的一部分晶硅材料和研磨液混合一起后变成了泥 浆，所以回收的难度很大，对工件的污染也比较严重，会导致后续对设备及工件的清洗十分 不便。所以，如何提供一种线切割技术，以不用研磨或者磨削的手段达成晶体硅棒滚圆 的目的，以使被切割下来的材料能够成块状，不但利于回收，节约成本，避免以上所述的缺 点，实为相关领域之业者目前亟待解决的问题。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种晶体硅锭的切割方 法，以不用研磨或者磨削的手段达成晶体硅棒滚圆的目的，使被切割下来的材料能够成块 状而利于回收节约成本。为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种，其特征 在于首先，提供一具有顶面、底面以及连接所述顶面及底面的四个待滚圆面的晶体硅锭； 其次，提供一夹具，用以夹持所述晶体硅锭的顶面及底面，且所述夹具可绕贯穿所述晶体硅 锭的顶面与底面之中心轴进行旋转；然后，提供至少一根金刚线，将所述金刚线与所述晶体 硅锭之待滚圆面相对平行设置；接着，设置所述金刚线与晶体硅锭之待滚圆面的间距，以确 定所述晶体硅锭之待滚圆面的所构圆形的直径；最后，高速运行所述金刚线，之后低速旋转 所述夹具，当低速旋转的晶体硅锭与高速运行的金刚线接触时，其待滚圆面被所述金刚线 切割。本专利技术之中，所述晶体硅锭为单晶硅棒。所述夹具一端具有 驱动旋转的电机。本专利技术之中，所述金刚线还可以为两根，分别平行设置于所 述晶体硅锭的其中两个待滚圆面，然，并不局限于此，于另一的实施方式中，所述金刚线还 可以为四根，分别平行设置于所述晶体硅锭的四个待滚圆面。本专利技术之中，所述高速运行的金刚线的运行速度为IOOOm/ min ；所述低速旋转的夹具的旋转速度为0. 5 2mm/min。如上所述，本专利技术之将金刚线与晶体硅锭之待滚圆面相对平 行设置，于高速运行金刚线以及低速旋转夹具，当低速旋转的晶体硅锭与高速运行的金刚 线接触时，其待滚圆面被所述金刚线切割，以使被切割下来的硅材料能够成块状而利于回 收节约成本，同时也解决了现有技术中采用磨削的方法对晶体硅棒进行滚圆，被砂轮磨掉 的一部分晶硅材料和研磨液混合一起后变成了泥浆，回收的难度很大，对工件的污染也比 较严重等问题。附图说明图1显示为本专利技术的之操作流程示意图。图2显示为本专利技术的之具体实施状态的正向示意图。图3显示为本专利技术的之具体实施状态的侧向示意图。图4显示为本专利技术的之另一实施状态的侧向示意图。图5显示为本专利技术的之又一实施状态的侧向示意图。具体实施例方式以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书 所揭示的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实 方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在不背离本发 明的精神下进行各种修饰或改变。第一实施方式请参阅图1至图3，图1显示为本专利技术的之操作流程示意图； 图2显示为本专利技术的之具体实施状态的正向示意图；图3显示为本发 明的之具体实施状态的侧向示意图。需要说明的是，本实施例中所提 供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，遂图式中仅显示与本专利技术的晶体硅锭的切 割方法有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组 件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。如图所示，本专利技术提供一种，其应用于对晶体硅锭进行切割 作业，于本实施例中，所述晶体硅锭1为单晶硅棒，所述包括以下步 骤首先执行步骤Si，提供一具有顶面、底面(未标示)以及连接所述顶面及底面的四 个待滚圆面11的晶体硅锭11 ；于本实施例中，本专利技术提供一种只对所 述单晶硅棒的四个待滚圆面11进行切割作业，所述单晶硅棒还具有分别相对的第一对待磨面(未标示)及第二对待磨面(未标示)，本专利技术中提及的四个待滚圆面11介于所述第 一对待磨面与第二对待磨面之间。接着执行步骤S2。于步骤S2中，提供一夹具2，用以夹持所述晶体硅锭1的顶面及底面，且所述夹具 2可绕贯穿所述晶体硅锭的顶面与底面之中心轴(图示中的X)进行旋转；于本实施例中， 所述夹具2 —端具有驱动旋转的电机，具体地，当所述电机旋转时带动所述夹具2的两个夹 头，进而带动置于夹具2中的晶体硅锭1进行旋转。接着执行步骤S3。于步骤S3中，提供至少一根金刚线3，将所述金刚线3与所述晶体硅锭1之待滚圆 面11相对平行设置；于本实施例中，所述金刚线3为表层具有金刚砂的金刚线，选用该种金 刚线在加工过程中避免使用具有研磨砂的研磨液，不但减少了用料成本，也解决了工件清 洗不方便、研磨液回收难度大，以及对工件污染严重的问题。于本实施例中，所述为金刚线 3的线径为0. 3mm。接着执行步骤S4。于步骤S4中，设置所述金刚线3与晶体硅锭1之待滚圆面11的间距，以确定所述 晶体硅锭1之待滚圆面11的所构圆形的直径；于本实施例中，所述金刚线3的线径与所述 待滚圆面11的所构圆形的直径向交，换言之，所述金刚线3被设置于所述待滚圆面11的所 构圆形的圆周上。需要指明的是，所述金刚线3与晶体硅锭1之待滚圆面11的实际间距根 据具体的加工需要确定。接着执行步骤S5。于步骤S5中，高速运行所述金刚线3，于本实施例中，所述金刚线3的运行速度为 1000m/min。接着执行步骤S6。于步骤S5中，低速旋转所述夹具2，当低速旋转的晶体硅锭1与高速运行的金刚线 3接触时，所述晶体硅锭1之待滚圆面11被所述金刚线3切割。于具体的实施方式中，所述 低速旋转的夹具的旋转速度为0. 5 2mm/min之间，以便所述夹具2带动置于夹具2中的 晶体硅锭1进行旋转以及金刚线3高速运行时，针对所述晶体硅锭1进行滚圆方式的切割， 进而保证切割下来的废料成块状，以利于回收再造。第二实施方式请参阅图4，图4显示为本专利技术的之另一实施状态的侧向示 意图。于本实施例中，所述金刚线3还可以为两根，分别平行设置于所述晶体硅锭1的其中 两个待滚圆面11，具体地，所述两根金刚线3分别设置在所述待滚圆面11的所构圆形的圆 周上。于第一实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体硅锭的切割方法，其特征在于：（１）提供一具有顶面、底面以及连接所述顶面及底面的四个待滚圆面的晶体硅锭；（２）提供一夹具，用以夹持所述晶体硅锭的顶面及底面，且所述夹具可绕贯穿所述晶体硅锭的顶面与底面之中心轴进行旋转；（３）提供至少一根金刚线，将所述金刚线与所述晶体硅锭之待滚圆面相对平行设置；（４）设置所述金刚线与晶体硅锭之待滚圆面的间距，以确定所述晶体硅锭之待滚圆面的所构圆形的直径；以及（５）高速运行所述金刚线，之后低速旋转所述夹具，当低速旋转的晶体硅锭与高速运行的金刚线接触时，其待滚圆面被所述金刚线切割。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：卢建伟，
申请(专利权)人：上海日进机床有限公司，
类型：发明
国别省市：31